山东省自然科学基金(ZR2011AM011)
- 作品数：3 被引量：5H指数：1
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- 相关机构：山东建筑大学山东师范大学更多>>
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- 菲涅耳深区散斑强度统计特性及演化
- 2014年
- 利用直透光波和高斯散斑场的叠加理论和基尔霍夫近似研究了菲涅耳深区散斑的构成,给出了菲涅耳深区散斑场及其强度概率密度和对比度的表达式.利用原子力显微镜测量的随机散射表面高度分布数据模拟菲涅耳深区不同散射距离处散斑,并计算绘出其强度概率密度和对比度曲线.理论与模拟相结合研究这两个统计函数的特征和直透光强所占比例的影响,以及它们随散射距离的演化规律.
- 宋洪胜庄桥刘桂媛秦希峰程传福
- 关键词：散斑概率密度对比度
- 菲涅耳衍射区超快激光脉冲散斑场特性的研究被引量：4
- 2013年
- 将散斑场的研究拓展到超快激光领域,进而引入了超快散斑的概念。首先在理论上研究了超快脉冲照明随机粗糙表面在菲涅耳衍射区域形成的超快散斑光场及其自相关函数,然后利用光场的自相关、强度系综平均和强度自相关等统计函数导出散斑强度自相关函数。发现超快散斑的强度相关随着时间的推迟逐渐呈现出周期性振荡的特征,且振荡频率依次增大。利用对菲涅耳衍射区超快散斑场的计算模拟,发现了诸如散斑颗粒随时间逐渐增大、颗粒中出现频率越来越大的干涉条纹以及干涉条纹由观察面两侧向中心方向依次消失等一系列全新的动态演化规律。
- 宋洪胜刘桂媛秦希峰张宁玉程传福
- 关键词：超快光学散射统计特性
- 铒离子注入绝缘体上Si的射程分布研究被引量：1
- 2014年
- 利用离子注入掺杂技术设计、制作半导体集成器件时,了解离子注入半导体材料的射程分布和横向离散规律等是很重要的.用200—500 keV能量的铒(Er)离子注入SOI(silicon-on-insulator,绝缘体上的硅)样品中,利用卢瑟福背散射(RBS)技术研究了剂量为2×1015cm-2的Er离子注入SOI的平均投影射程Rp和射程离散△Rp,把测出的实验值和SRIM软件得到的理论计算值进行了比较,发现平均投影射程Rp的实验值跟理论计算值符合较好,射程离散△Rp的实验值和理论计算值差别大一些.
- 秦希峰马桂杰时术华王凤翔付刚赵金花
- 关键词：离子注入
