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国家高技术研究发展计划(715-010-0022)

作品数：1 被引量：1H指数：1
相关作者：康俊勇肖细凤更多>>
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文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 1篇混晶
  • 1篇SN
  • 1篇ALGAAS
  • 1篇DX中心

机构

  • 1篇厦门大学

作者

  • 1篇肖细凤
  • 1篇康俊勇

传媒

  • 1篇红外与毫米波...

年份

  • 1篇2002
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
AlGaAs∶Sn混晶中的两类类DX中心被引量：1
2002年
在测得Ａｌ０．２６Ｇａ０．７４Ａｓ:Ｓｎ混晶中两类类ＤＸ中心的电子热俘获势垒精细结构后,研究和确定了其相关的束缚能、晶格驰豫能和光离化能．采用第一原理赝势法的计算和分析结果表明,Ｓｎ施主杂质次近邻Ａｌ/Ｇａ原子的不同局域组分所引起的Ｓｎ杂质及其最近邻Ａｓ原子的不同晶格驰豫,是产生两类类ＤＸ中心能级精细结构的主要原因．
肖细凤康俊勇
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