公共文化服务平台

低温烧结氧化铝基体材料性能的研究: 2009年; 以目前最常用的LTCC材料为基础,选择Al2O3为片式熔断器基体材料。系统研究在不同烧结温度下的Al2O3-Bi2O3陶瓷基体,通过X射线衍射和扫描电镜分析了不同温度下样品的相组成及密度变化,指出形成这种相结构的可能影响因素;测试了不同频率下样品的介电性能。结果表明,Bi2O3的掺杂可以提高Al2O3陶瓷的烧结活性,进而大大降低了陶瓷的烧结温度,密度在900℃达到最大值3.7g/cm3,陶瓷样品的主晶相为-αAl2O3,没有杂相存在,且断口形貌分布均匀没有明显的气孔存在,同时总结出了介电常数和介质损耗的变化规律。; 王珍党新安张昌松; 关键词：显微结构介电性能

锶钡比及膜厚对钛酸锶钡薄膜介电行为的影响: 2012年; 采用溶胶-凝胶法制备不同锶钡比、不同膜厚的钛酸锶钡薄膜,研究了薄膜的介电行为。性能测试表明,在不同的锶钡比的钛酸锶钡薄膜中,介电性能最好的锶钡比为0.5:0.5,此时介电系数最大介电损耗最小;膜厚与薄膜的介电系数呈线性关系,随膜厚增加薄膜的介电系数线性增加。; 赵丽丽张智翔高永进翟春雪何崇斌; 关键词：溶胶-凝胶法钛酸锶钡薄膜介电性能

低温烧结Al_2O_3-Bi_2O_3陶瓷基板的性能研究: 2010年; 以Al2O3和Bi2O3为主要原料,添加微量烧结助剂,采用传统的陶瓷制备工艺制备片式熔断器基体材料。采用X射线衍射分析、扫描电镜(SEM)对材料进行了观察和性能测试。结果表明,随着烧结温度的升高和Bi2O3含量的增多,基体材料的致密度和收缩率均相应增大;相对介电常数随着温度的升高而增大,而介电损耗减小;当Al2O3质量分数为50%时,基体材料经950℃保温2h烧结后,ρ=3.87g/cm3,εr=33.92,tanδ=0.036,满足低介电损耗性能要求。; 张昌松王珍党新安; 关键词：氧化铋显微结构

RTGG法制备(Na_(0.84)K_(0.16))_(0.5)Bi_(0.5)TiO_3无铅压电织构陶瓷的研究被引量：1: 2010年; 以NaCl-KCl熔盐法制备出了片状的Bi4Ti3O12微晶模板,选用此模板分别采用干法和湿法流延工艺结合RTGG技术制备了（Na0.84K0.16）0.5Bi0.5TiO3无铅压电织构陶瓷。研究了不同工艺条件下获得的织构陶瓷烧结行为、织构度、显微组织结构和电性能的变化规律。结果表明,（Na0.84K0.16）0.5Bi0.5TiO3织构陶瓷的烧成温度范围只有10~20℃,其介电性能、压电性能呈现明显的各向异性,沿垂直于流延方向织构陶瓷的各种电学性能均明显优于平行于流延方向的电学性能,两种流延方法在1150℃烧结所得的（Na0.84K0.16）0.5Bi0.5TiO3织构陶瓷在显微组织结构和电性能方面均表现出最强的各向异性,该织构陶瓷的压电常数d33=134pC/N。; 张昌松郭晨洁党新安杨立军; 关键词：压电性能

无水溶胶-凝胶制备钛酸锶钡的热分析及膜光学性能研究被引量：2: 2012年; 利用无水溶胶-凝胶技术制备了Ba0.7Sr0.3TiO3薄膜,采用TG-DSC对干凝胶的热反应过程进行了详细分析,结果表明,经过350℃和450℃处理后的非晶薄膜为碳酸盐而非钛酸盐。450℃退火1h处理的非晶薄膜在350～1000nm的光学透过率大于80%,在470nm处的折射率最大(1.94),消光系数较小(0.003)。800℃退火1h获得了晶态薄膜,该晶态薄膜的光学透过率也较好,在λ=670nm处的折射率最大(2.05),消光系数为0.07。; 赵丽丽廖付友王敬远高永进董文娟张智翔; 关键词：钛酸锶钡溶胶-凝胶法热分析光学性能

利用支持向量机识别miRNA成熟链被引量：1: 2009年; 【目的】开发一个用于从pre-miRNA上识别其成熟链的miRNA预测程序miR-SVM。【方法】利用支持向量机工具,将pre-miRNA的序列结构特征作为支持向量机工具——LibSVM的输入向量,经Grid程序优化参数后,开发出一个可靠的miRNA成熟链预测程序miR-SVM。【结果】检测结果表明,在miR-SVM人数据集上得到程序的敏感性和特异性分别为83.7%和81.2%。通过杂交验证,获得ROC曲线下的面积约为87.71%,表明研究提出的序列结构特征可以有效地预测pre-miRNA成熟链。此外,用人数据训练出来的miR-SVM程序对其他20个物种的pre-miRNA成熟链进行预测,结果正确识别率为89.2%。【结论】研究开发的miR-SVM程序,成功地预测了pre-miRNA成熟链,检验结果表明,该程序具有良好的推广性,可用于miRNA试验过程中的前期预测分析。; 吴方丽金伟波段敏王保莉曲东; 关键词：MIRNA 支持向量机

钛酸锶钡薄膜的室温光学性能研究被引量：1: 2012年; 采用溶胶-凝胶法制备了(Ba0.75Sr0.25)TiO3薄膜,研究了不同退火温度下样品的物相结构、薄膜的光致发光性能和光学透过率。结果表明:室温下非晶钛酸锶钡薄膜在蓝光激发下具有明显的发光现象,发光波长范围是500～650 nm,峰值在525 nm附近。延长非晶态薄膜的退火时间能够显著提高样品的发光强度,且发光强度随薄膜厚度增加而增大。晶态薄膜有微弱的发光现象。透射谱测试结果表明,钛酸锶钡薄膜在可见光范围内具有良好的光学透过率。; 高永进赵丽丽张智翔廖付友朱红丹; 关键词：铁电薄膜光致发光非晶薄膜

Ti_3AlC_2陶瓷材料的研究进展: 2010年; 介绍了三元层状Ti3AlC2陶瓷材料的制备技术、性能及应用。; 赵卓玲冯小明; 关键词：TI3ALC2

Sol-Gel法制备钛酸锶钡薄膜及其掺杂介电行为: 2012年; 采用溶胶-凝胶法制备钛酸锶钡薄膜,经XRD测试薄膜的相结构,证明薄膜具有一定的择优取向性。性能测试表明,随Mn掺杂量的增加,薄膜的介电系数稳定地增加,而介电损耗在Mn含量为7.5%时最小。; 赵丽丽高永进张智翔翟春雪何崇斌; 关键词：溶胶-凝胶法钛酸锶钡薄膜掺杂介电性能

钛酸铜锶钡陶瓷晶相结构及介电性能研究: 2013年; 采用溶胶-凝胶法制备(Ba0.5Sr0.5)1-xCuxTiO3高介电性能陶瓷,用X射线衍射和LCR分析仪对不同x取值和烧结温度制备陶瓷的晶相组分和介电性能进行分析对比,结果表明,x=0.1可以得到比较好的固溶体;随着Cu2+比例上升,陶瓷中出现氧化铜杂相;并且,烧结温度升高,陶瓷中氧化铜相含量也增加。氧化铜相含量的增加使陶瓷的介电系数获得明显提升,可达104数量级,但与此同时,氧化铜相也使陶瓷的介电损耗有所增大。; 张智翔赵丽丽高永进朱红丹; 关键词：介电性能晶相结构

渝B2-20050021-1　渝公网安备 50019002500403号　违法和不良信息举报中心　互联网出版许可证　新出网证(渝)字10号

陕西省自然科学基金(SJ08-ZT04)