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中国工程物理研究院科技基金(20050319)

作品数：1 被引量：9H指数：1
相关作者：谌继明申亮鲜晓斌黄火根张鹏程更多>>
相关机构：表面物理与化学重点实验室中国核工业集团公司中国工程物理研究院更多>>
发文基金：中国工程物理研究院科技基金更多>>
相关领域：金属学及工艺更多>>

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇金属学及工艺

主题

  • 1篇热等静压
  • 1篇热等静压扩散...
  • 1篇铍
  • 1篇BE
  • 1篇CUCRZR

机构

  • 1篇中国工程物理...
  • 1篇中国核工业集...
  • 1篇表面物理与化...

作者

  • 1篇王庆富
  • 1篇王锡胜
  • 1篇张鹏程
  • 1篇黄火根
  • 1篇鲜晓斌
  • 1篇申亮
  • 1篇谌继明

传媒

  • 1篇稀有金属材料...

年份

  • 1篇2008
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
Be／CuCrZr热等静压扩散连接界面特性被引量：9
2008年
采用热等静压(HIP)技术对Be与CuCrZr合金进行扩散连接,比较了不同HIP工艺下制备的Be/CuCrZr接头性能,观察了接头区域的微观组织。结果表明:在580℃,140MPa下Be与CuCrZr直接扩散连接以及采用Ti(Be上PVD镀层)/Cu(CuCrZr上PVD镀层)作过渡层的间接扩散连接均达到了较好的连接效果。材料组合及连接工艺参数等对Be与CuCrZr合金的扩散连接存在着明显的影响。表面采用Ti镀层的间接扩散连接在580℃时可有效阻止Be与Cu形成脆性相。经过580℃,2hHIP处理后,CuCrZr硬度可恢复至初始状态的77%。
王锡胜张鹏程鲜晓斌谌继明申亮王庆富黄火根
关键词：铍CUCRZR热等静压扩散连接
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