全球变化研究国家重大科学研究计划(2011CB921904)
- 作品数：3 被引量：7H指数：1
- 相关作者：彭海琳刘忠范李辉吴金雄李伟更多>>
- 相关机构：北京大学中国科学院北京分子科学国家实验室更多>>
- 发文基金：全球变化研究国家重大科学研究计划国家自然科学基金教育部科学技术研究重点项目更多>>
- 相关领域：理学一般工业技术更多>>
- 转移过程对CVD生长的石墨烯质量的影响
- 2014年
- 利用化学气象沉淀法(CVD)在金属衬底上生长的石墨烯制备电子器件需要先把石墨烯转移到绝缘基底上,转移过程对器件制备的成功率和性能的均匀性有重要影响.转移过程中导致的石墨烯破损和金属生长基底残余颗粒污染受到普遍重视,然而由金属基底腐蚀液导致的石墨烯表面污染还没有引起足够的重视.本文利用拉曼光谱和X射线光电子能谱(XPS)证明了转移过程中金属基底腐蚀液会在石墨烯表面引入污染,利用我们发展的"改良的RCA(radio corporation of America)清洗(modified RCA clean)"转移工艺能够有效地去除这种污染.这对提高后续制备的电子器件的性能有重要意义.
- 梁学磊李伟CHENG GuangJunCALIZO IreneHACKER Christina AHIGHT WALKER Angela RRICHTER Curt A彭练矛
- 关键词：石墨烯污染拉曼光谱XPS
- 拓扑绝缘体二维纳米结构与器件被引量：6
- 2012年
- 拓扑绝缘体是一种全新的量子功能材料,具有绝缘性体能带结构和受时间反演对称性保护的自旋分辨的金属表面态,属于Dirac粒子系统,将在新原理纳电子器件、自旋器件、量子计算、表面催化和清洁能源等方面有广泛的应用前景.理论和实验相继证实Sb2Te3,Bi2Se3和Bi2Te3单晶具有较大的体能隙和单一Dirac锥表面态,已经迅速成为了拓扑绝缘体研究中的热点材料.然而,利用传统的高温烧结法所制成的拓扑绝缘体单晶块体样品常存在大量本征缺陷并被严重掺杂,拓扑表面态的新奇性质很容易被体载流子掩盖.拓扑绝缘体二维纳米结构具有超高比表面积和能带结构的可调控性,能显著降低体态载流子的比例和凸显拓扑表面态,并易于制备高结晶质量的单晶样品,各种低维异质结构以及平面器件.近年来,我们一直致力于发展拓扑绝缘体二维纳米结构的控制生长方法和物性研究.我们发展了拓扑绝缘体二维纳米结构的范德华外延方法,实现了高质量大比表面积的拓扑绝缘体二维纳米结构的可控制备,并实现了定点与定向的表面生长.开展拓扑绝缘体二维纳米结构的谱学研究,利用角分辨光电子能谱直接观察到拓扑绝缘体狄拉克锥形的表面电子能带结构,发现了拉曼强度与位移随层数的依赖关系.设计并构建拓扑绝缘体纳米结构器件,系统研究其新奇物性,观测到拓扑绝缘体Bi2Se3表面态的Aharonov-Bohm(AB)量子干涉效应等新奇量子现象,通过栅电压实现了拓扑绝缘体纳米薄片化学势的调控,并将拓扑绝缘体纳米结构应用于柔性透明导电薄膜.本文首先简单介绍拓扑绝缘体的发展现状,然后系统介绍我们开展的拓扑绝缘体二维纳米结构的范德华外延生长、谱学、电学输运特性以及透明柔性导电薄膜应用的研究,最后对该领域所面临的机遇和挑战进行简要的展望.
- 李辉彭海琳刘忠范
- 关键词：拓扑绝缘体
- 二维Bi2Se3晶体对罗丹明6G分子的荧光猝灭效应研究被引量：1
- 2015年
- 首次研究了拓扑绝缘体Bi2Se3二维晶体对其表面吸附的罗丹明6G分子的荧光猝灭效应,证明薄层Bi2Se3可以有效猝灭罗丹明6G分子的荧光,且随Bi2Se3二维晶体的厚度从单层增加到8层,荧光猝灭效应增强,并初步探讨了其荧光猝灭机理.
- 吴金雄刘忠范彭海琳
- 关键词：拓扑绝缘体荧光猝灭
