国家自然科学基金(60776016)
- 作品数：19 被引量：22H指数：2
- 相关作者：徐静平张雪锋邹晓邱云贞王志亮更多>>
- 相关机构：华中科技大学江汉大学南通大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金江苏省高校自然科学研究项目更多>>
- 相关领域：电子电信理学一般工业技术电气工程更多>>
- 表面预处理对Ge MOS电容特性的影响被引量：2
- 2009年
- 通过不同气体(NO、N2O、NH3)对Ge衬底进行表面预处理,生长GeOxNy界面层,然后采用反应磁控溅射方法生长HfTiO薄膜,制备HfTiO/GeOxNy叠层高k栅介质GeMOS电容,研究表面预处理对界面层以及界面层对器件性能的影响。隧穿电子扫描电镜(TEM)、栅电容-电压(C-V)栅极漏电流-电压(J-V)的测量结果表明,湿NO表面预处理能生长高质量的界面层,降低界面态密度,抑制MOS电容的栅极漏电流密度。施加高场应力后,湿NO表面预处理样品的平带漂移及漏电流增加最小,表示器件的可靠性得到有效增强。
- 邹晓蒋万翔徐静平
- 关键词：界面层磁控溅射法
- 表面钝化对Ge MOS电容可靠性的影响
- 2009年
- 通过NO、N2O对Ge衬底进行表面钝化,然后采用反应磁控共溅射方法制备HfTiN薄膜,并利用湿N2气氛退火,将HfTiN转化为HfTiON高k栅介质。研究了表面钝化对Ge MOS器件性能的影响。实验结果表明,湿NO表面钝化能生长高质量GeOxNy界面层,有效降低MOS电容的栅极漏电流,增强器件的可靠性。
- 邹晓徐静平
- 关键词：MOS表面钝化界面层
- 超薄高k栅介质Ge-pMOSFET的电特性研究
- 2009年
- 采用MEDICI模拟器,对高k栅介质Ge-pMOSFET的电特性进行了研究。通过考虑短沟道效应和边缘场效应,着重分析了栅介质介电常数、氧化物固定电荷密度以及沟道长度等对器件阈值电压和亚阈斜率的影响,研究认为:为获得优良的电性能,栅介质的k值需小于50,固定电荷面密度至少应在1.0×1012cm-2以下。
- 陈娟娟徐静平陈卫兵
- 关键词：高K栅介质超薄栅介质
- 低功耗14/8bit逐次逼近式A/D转换器的设计被引量：1
- 2009年
- 设计了基于逐次逼近式架构的低功耗A/D转换器,该转换器有14/8 bit转换精度2种工作模式,其采样率分别为0～1×10^5/s和0～2×10^5/s.低功耗转换器基于0.18μm的互补金属氧化物半导体（CMOS）工艺完成版图设计,版图面积仅为0.64 mm×0.31 mm.转换器在最高性能下的积分非线性（INL）和微分非线性（DNL）最低有效位分别为0.38 LSB和0.33 LSB,电流消耗仅为2 mA.
- 徐静平陈娟娟邓满珍钟德刚
- 关键词：A/D转换器D/A转换器低功耗互补金属氧化物半导体
- 考虑库仑散射屏蔽效应的Si_(1-x)Ge_x pMOSFET低场空穴迁移率模型
- 2008年
- 在考虑应变对SiGe合金能带结构参数影响的基础上,建立了一个半经验的Si1-xGexpMOSFET反型沟道空穴迁移率模型。该模型重点讨论了反型电荷对离化杂质散射的屏蔽作用,由此对等效体晶格散射迁移率进行了修正。并且详细讨论了等效体晶格散射迁移率随掺杂浓度Nd和组分x的变化。利用该模型,对影响空穴迁移率的主要因素进行了分析讨论。通过模拟得出,增加组分x可以显著提高等效体晶格散射迁移率,从而可以提高PMOSFET的空穴迁移率。
- 徐静平张兰君张雪锋
- HfTiO高κ栅介质Ge MOS电容特性研究
- 2008年
- 采用反应磁控共溅射方法在Ge衬底上制备亚-nm等效氧化物厚度(EOT)的HfTiO高κ栅介质薄膜,研究了湿N2和干N2气氛退火对GeMOS电容电特性的影响。隧穿电子显微镜、椭偏仪、X射线光电子频谱、原子力显微镜以及电特性的测量结果分别表明,与干N2退火比较,湿N2退火能明显抑制不稳定的低κGeOx界面层的生长,从而减小栅介质厚度,降低栅介质表面粗糙度,有效提高介电常数,改善界面质量和栅极漏电流特性,这都归因于GeOx的易水解性。还研究了Ti靶溅射功率对HfTiO栅介质GeMOS器件性能的影响。
- 邹晓徐静平
- 关键词：界面层
- 表面钝化对HfTiON栅介质Ge MOS电容性能的影响
- 2008年
- 通过NO、N2O对Ge衬底进行表面钝化,生长GeOxNy界面层,然后采用反应磁控共溅射方法制备HfTiN薄膜,并利用湿N2气氛退火,将HfTiN转化为HfTiON高κ栅介质。研究了表面钝化对MOS器件性能的影响,结果表明,湿NO表面钝化能改善界面质量,有效降低MOS电容的栅极漏电流,增强器件的可靠性。
- 邹晓徐静平黎沛涛李春霞
- 关键词：表面钝化界面层
- 叠层高k栅介质中远程界面粗糙散射的理论模型被引量：2
- 2010年
- 利用双子带近似,从理论上研究了远程界面粗糙散射对叠层高k栅介质MOSFET反型载流子迁移率的退化作用,模拟了叠层高k栅介质结构参数和材料参数对远程界面粗糙散射的影响。结果表明,对于精确的迁移率模型,远程界面粗糙散射必须加以考虑,另外,在设计叠层高k栅介质MOSFET时,在EOT得到满足的条件下,尽可能利用具有较高介电常数的界面层和具有较低介电常数的高k栅介质,可以减小迁移率退化。
- 张雪锋邱云贞张振娟陈云黄静王志亮徐静平
- 关键词：金属-氧化物-半导体场效应晶体管
- BUCK/BOOST转换器小信号建模与稳定性分析被引量：10
- 2009年
- 利用电感电压平均近似和电容电流平均近似的方法,建立了连续模式(CCM)下电压控制型BUCK/BOOST结构DC/DC转换器的线性模型,实现了非线性向线性模型的转化.采用此模型得到的控制到输出的传递函数与采用状态空间方法得到的传递函数一致;在此基础上基于Matlab工具对不同补偿网路的频域特性进行了仿真,仿真结果表明双极点、双零点补偿后的系统稳定性能最好.利用Hspice时域仿真验证了频域分析结果的正确性.
- 徐静平陈亮亮程姝娜肖鹏
- 关键词：开关电源转换器小信号模型补偿网络
- HfO_2/TaON叠层栅介质Ge MOS器件制备及电性能研究被引量：1
- 2010年
- 为提高高k/Ge MOS器件的界面质量,减小等效氧化物厚度(EOT),在high-k介质和Ge表面引入薄的TaON界面层。相对于没有界面层的样品,HfO2/TaON叠层栅介质MOSFET表现出低的界面态密度、低的栅极漏电和较好的输出特性。因此利用TaON作为Ge MOS器件的界面钝化层对于获得小的等效氧化物厚度和高的高k/Ge界面质量有着重要的意义。
- 张雪锋季红兵邱云贞王志亮徐静平
