国家自然科学基金(50371034)
- 作品数：3 被引量：18H指数：1
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- 溶胶-凝胶法制备室温铁磁性半导体Ti1-xCoxO2
- ＜正＞磁性半导体在自旋电子学中有很好的应用前景。在目前报道的各种磁性半导体中,将磁性元素掺入氧化物半导体中而得到的氧化物磁性半导体的居里温度可高于室温,有实用价值。这类材料多数是外延薄膜,其制备设备昂贵、成本高。虽有少数...
- 葛世慧王新伟寇晓明周雪云席力杨啸林李成贤
- 关键词：溶胶-凝胶法磁性半导体
- 纳米多晶La_(0·7)Sr_(0·3)MnO_(3-δ)的输运性质和磁电阻效应研究被引量：18
- 2006年
- 利用溶胶-凝胶法制备了纳米多晶La_(0·7)Sr_(0·3)MnO_(3-δ)(LSM)块体样品.详细研究了在不同烧结温度下的LSM样品电阻率随测量温度的变化关系和磁电阻效应.随着测量温度从室温降低,电阻率ρ都在250K附近存在最大值,低于该温度后,样品表现为金属导电特性,随后在50K左右存在一极小值.即随着温度从50K左右降低到4·2K,ρ反而逐渐升高,表现为绝缘体性的导电特性.研究表明,在低温下(<50K),ρ随温度降低而升高的现象与隧穿效应的理论模型(lnρ∝T1/2)符合得很好,表明这种现象是由于传导电子在通过邻近LSM晶粒间表面/界面层时的隧道效应所致.而在50—250K的温度范围内,其电阻率与T2成正比,表现为LSM本征的金属导电特性.因此这种低温下电阻率的极小值现象来源于隧穿效应和LSM晶粒本征的金属导电特性的相互竞争.本文还详细研究了相应的隧道磁电阻效应.
- 席力杨啸林李成贤葛世慧
- 关键词：隧道效应隧道磁电阻效应
- Fe-SiO_2颗粒膜中的磁电阻效应和霍耳效应
- 2007年
- 利用射频共溅射方法制备了一系列不同金属体积分数fv的Fe-SiO2金属-绝缘体颗粒膜。系统地研究了薄膜的微结构、磁性、隧道磁电阻效应(TMR)和巨霍耳效应(GHE)。在fv=0.33处得到最大磁电阻值为-3.3%,fv=0.52处饱和霍耳电阻率达最大值,为18.5μΩ.cm。在300℃以内的不同温度下将Fe0.52(SiO2)0.48颗粒膜回火,霍耳电阻率随温度的变化不大,即样品具有良好的热稳定性。这表明Fe0.52(SiO2)0.
- 杨啸林席力李伟李成贤葛世慧
- 关键词：颗粒膜隧道磁电阻效应
- La_(0.7)Sr_(0.3)MnO_3磁性的Preisach模拟
- 2007年
- 用溶胶-凝胶法制备了多晶La0.7Sr0.3MnO3块状样品。利用超导量子磁强计测量了样品在不同状态下的场冷却、零场冷却、等温剩磁、热剩磁曲线以及磁滞回线,分析得到了样品的技术磁化参数。用相同的一套参数,利用基于双势阱的Preisach模型再现了样品所有的磁测量曲线,得到了耗散场的大小和分布。
- 席力池俊红葛世慧李成贤刘青芳
