您的位置: 专家智库 > >

国家教育部博士点基金(20100071120026)

作品数:2 被引量:1H指数:1
相关作者:许建飞陈烨昕闫娜更多>>
相关机构:复旦大学更多>>
发文基金:国家教育部博士点基金国家自然科学基金国家高技术研究发展计划更多>>
相关领域:电子电信更多>>

文献类型

  • 2篇中文期刊文章

领域

  • 2篇电子电信

主题

  • 1篇低功耗
  • 1篇软件无线电
  • 1篇无线
  • 1篇无线电
  • 1篇无源
  • 1篇下变频
  • 1篇下变频混频器
  • 1篇线性度
  • 1篇混频
  • 1篇混频器
  • 1篇功耗
  • 1篇高线性
  • 1篇高线性度
  • 1篇NM
  • 1篇B/S
  • 1篇CMOS_T...
  • 1篇DESIGN...
  • 1篇FEEDBA...
  • 1篇INTERL...

机构

  • 1篇复旦大学

作者

  • 1篇闫娜
  • 1篇陈烨昕
  • 1篇许建飞

传媒

  • 1篇Journa...
  • 1篇复旦学报(自...

年份

  • 2篇2014
2 条 记 录,以下是 1-2
排序方式:
适用于软件无线电的高线性度、低功耗无源下变频混频器的设计
2014年
设计了一个用于软件无线电的高线性度、低功耗的无源下变频混频器,采用TSMC 65 nm CMOS工艺实现,芯片面积为0.2 mm^2,总功耗为8 mW@1.2 V.混频器中采用了改进的Gm单元,结合源级负反馈技术和MGTR技术,在提高混频器IIP_3的同时,拓宽了输入线性区域的范围.测试结果表明:线性区域的范围得到一定程度的提高,即使输入RF信号的功率为-12 dBm.混频器的IIP_3≥10.9 dBm,IIP_2≥45 dBm;在900 MHz处,混频器获得最大转换增益13.2 dB,此时NF为13.8 dB.
陈烨昕闫娜许建飞
关键词:高线性度低功耗软件无线电
Design and analysis of 20 Gb/s inductorless limiting amplifier in 65 nm CMOS technology被引量:1
2014年
A high speed inductorless limiting amplifier (LA) in an optical communication receiver with the work- ing speed up to 20 Gb/s is presented. The LA includes an input matching network, a four-stage 3rd order amplifier core, an output buffer for the test and a DC offset cancellation (DCOC). It uses the active interleaving feedback technique both to broaden the bandwidth and achieve the flatness response. Based on our careful analysis of the DCOC and stability, an error amplifier is added to the DCOC loop in order to keep the offset voltage reasonable. Fabricated in the 65 nm CMOS technology, the LA only occupies an area of 0.45 × 0.25 mm2 (without PAD). The measurement results show that the LA achieves a differential voltage gain of 37 dB, and a 3-dB bandwidth of 16.5 GHz. Up to 26.5 GHz, the Sddlm and Sdd22 are less than -16 dB and -9 dB. The chip excluding buffer is supplied by 1.2 V VDD and draws a current of 50 mA.
何睿许建飞闫娜孙杰边历嵌闵昊
共1页<1>
聚类工具0