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国家自然科学基金(69776018)
作品数:
3
被引量:3
H指数:1
相关作者:
陆卫
陈益栋
刘兴权
沈学础
王贤仁
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相关机构:
中国科学院
吉林大学
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发文基金:
国家自然科学基金
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相关领域:
电子电信
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3篇
中文期刊文章
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电子电信
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砷化镓
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ALGAAS
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机构
3篇
中国科学院
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吉林大学
作者
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陆卫
2篇
刘兴权
2篇
陈益栋
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沈学础
1篇
乔怡敏
1篇
李宁
1篇
史国良
1篇
陈效双
1篇
窦红飞
1篇
戴宁
1篇
李志锋
1篇
杨建荣
1篇
王贤仁
1篇
刘普霖
传媒
3篇
红外与毫米波...
年份
2篇
2000
1篇
1999
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3
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GaAs和AlGaAsMBE外延生长动力学研究
被引量:2
2000年
研究了在GaAs(001)衬底上外延生长GaAs、AlGaAs材料过程中反射高能电子衍射(RHEED)的各级条纹及其强度随生长过程的变化.通过对各级条纹强度振荡周期和位相的分析,应用二维成核层状生长模型解释了实验结果:生长表面形貌的周期性变化导致了RHEED各级条纹及其强度的周期性变化.
陈益栋
刘兴权
陆卫
乔怡敏
王贤仁
关键词:
分子束外延
砷化镓
半导体
ALGAAS
HgCdTe热辅助下的微分调制光谱
1999年
用热辅助下的微分调制光谱方法研究了Hg1- xCdxTe 体材料和液相外延材料的E1 和E1+Δ1 临界点.并用三维临界点洛仑兹线性分析了实验光谱结构。
窦红飞
陆卫
陈效双
戴宁
李宁
史国良
杨建荣
刘普霖
沈学础
关键词:
HGCDTE
热梯度
半导体
GaAs/SrTiO_3 MBE外延单晶薄膜晶格振动的研究
被引量:1
2000年
利用远红外反射光谱和拉曼散射光谱法测量了 Ga As/ Sr Ti O3外延单晶薄膜样品 ,研究了这种新型异质结构的晶格振动光学特性 .实验结果表明 :在钙钛矿型结构的 Sr Ti O3衬底上外延生长的 Ga As薄膜具有单晶结构 ,有与 Ga
陈益栋
刘兴权
李志锋
陆卫
沈学础
关键词:
砷化镓
钛酸锶
单晶薄膜
晶格振动
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