公共文化服务平台

国家高技术研究发展计划(2009AA01Z260): 作品数：10 被引量：27H指数：3; 相关作者：蔡敏杨银堂邢孟江朱樟明贺小勇更多>>; 相关机构：西安电子科技大学华南理工大学广州润芯信息技术有限公司更多>>; 发文基金：国家高技术研究发展计划广东省科技计划工业攻关项目国家科技重大专项更多>>; 相关领域：电子电信电气工程自动化与计算机技术更多>>

A novel analytical thermal model for multilevel nano-scale interconnects considering the via effect被引量：2: 2009年; Based on the heat diffusion equation of multilevel interconnects, a novel analytical thermal model for multilevel nano-scale interconnects considering the via effect is presented, which can compute quickly the temperature of multilevel interconnects, with substrate temperature given. Based on the proposed model and the 65 nm complementary metal oxide semiconductor （CMOS） process parameter, the temperature of nano-scale interconnects is computed. The computed results show that the via effect has a great effect on local interconnects, but the reduction of thermal conductivity has little effect on local interconnects. With the reduction of thermal conductivity or the increase of current density, however, the temperature of global interconnects rises greatly, which can result in a great deterioration in their performance. The proposed model can be applied to computer aided design （CAD） of very large-scale integrated circuits （VLSIs） in nano-scale technologies.; 朱樟明李儒郝报田杨银堂; 关键词：SELF-HEATING

单周期CRM PFC转换器的零交越失真优化设计被引量：2: 2012年; 为降低总谐波失真提高电源效率,基于单周期临界导通功率因数校正(PFC)转换器,研究了零交越失真现象的优化设计方法.采用周期性自启动定时电路,不论电感电流是否下降到零,及时触发新的开关周期,以避免由于电感反向漏电所引入的导通延迟,从而降低了零交越失真和总谐波失真;在辅助绕组和振荡器之间引入可调分流电阻,对电感电流进行实时监控,调整振荡器输出波形斜率,以控制PWM关断时间,有效改善输入电压零交越点附近的失真现象.输入线电压频率越高,优化效果越好.在50Hz 220 VAC条件下,输入电流为120mA,输出功率为36W,测得优化后的PFC转换器总谐波失真(THD)仅为3.8%,功率因数为0.988,负载调整率为3%,线性调整率小于1%,效率达到97.3%.理论和测试结果均表明:当交流输入线电压接近零值时,优化后系统的零交越失真及THD得到了有效降低,有效芯片面积为1.61mm×1.52mm.; 李娅妮杨银堂朱樟明强玮刘帘曦; 关键词：功率因数校正总谐波失真

新型低功耗CMOS片上温度传感器设计被引量：9: 2011年; 为了精确的测量超大规模集成电路芯片表面的温度,监控电路工作状态和进行过热保护,采用一种新型CMOS片上温度传感器结构。首先利用两个衬底PNP管的基-射电压差ΔVBE的PTAT特性来感测温度,然后利用偏置电路镜像过来的PTAT电流来控制一个三阶的环型振荡器,产生频率与温度成正比的振荡信号,再利用测频电路转化为8位数字。利用0.13μm CMOS工艺设计,版图面积仅为0.02 mm2。功耗为0.3μW(100 sample/S)。后版图仿真结果显示,在-60℃到160℃温度范围内的测量精度为±3.5℃(校准后)。该电路具有低功耗、高精度和芯片面积小等优点。该电路将用于WiMAX/LTE收发信机芯片上,对芯片表面温度进行监控。; 林荣蔡敏黄伟朝李正平; 关键词：CMOS 温度传感器低功耗收发信机

一种适用于WiMAX/LTE发射机的高线性、可变带宽、可变增益滤波器设计被引量：2: 2011年; 采用0.13μm RF CMOS工艺,实现了一个高线性、带宽可变、增益可调的四阶巴特沃兹低通滤波器。此滤波器带宽2.1～12MHz,7种带宽控制,30dB增益范围,1dB增益步进,增益步进误差小于0.05dB,在最大带宽下,输出信号频率1.5MHz,功率4dBm时的三阶谐波失真小于-65dB。芯片面积为0.45mm2。电源电压1.2V,在最大带宽下功耗为12mW,最小带宽下功耗为4mW。此低通滤波器已经成功地应用在WiMAX/LTE直接变频发射机中。; 黄继伟王志功方敏李正平; 关键词：低通滤波器可变带宽可变增益发射机

高速高精度模数转换器的数字后台校准算法: 2013年; 研究了模数转换器(ADC)的数字后台校准技术,提出了一种针对2.5 b/级高速高精度流水线ADC的数字后台校准算法.在2.5b/级电容翻转式余量增益电路(MDAC)中注入与输入信号相关的抖动信号,提取MDAC中由于电容失配和放大器增益有限性造成的非线性误差,并在最终的数字输出端对这些误差进行校准.文中提出的数字后台校准算法具有电路实现简单、不中断ADC正常工作、适合高速高精度流水线ADC等优点,能有效地降低电容失配和放大器有限增益等非理想因素对流水线ADC精度的影响.仿真结果表明,经校准后的ADC信号噪声失真比可从63.3dB提高到78.7dB,无杂散动态范围由63.9 dB提高到91.8 dB.; 熊召新蔡敏贺小勇; 关键词：流水线模数转换器校准电容失配放大器

基于比较器抖动的数字后台校准算法被引量：1: 2013年; 提出一种应用于14bit100MS/s流水线模数转换器(ADC)的数字后台校准算法.该算法利用伪随机信号(PN)随机改变子ADC中比较器的阈值电压,间接注入宽度大幅度抖动信号测量ADC电路中由于电容失配和放大器有限增益造成的误差,并在数字域内对这些误差进行补偿.该方法能有效减小因电容失配和放大器有限增益等非理想因素对流水线ADC性能的影响,改善ADC的动态性能.该算法实现过程中无须增加采样电容和比较器数目,校准运算时无须复杂计算,实现简单,应用灵活.仿真结果表明:采用该技术校准后,流水线ADC的信号噪声失真比从63.3dB提高到78.7dB,无杂散动态范围从65.5dB提高到93.3dB.; 熊召新蔡敏贺小勇; 关键词：电容失配

LTE/WiMAX片上变压器的分析与设计被引量：1: 2014年; 针对TSMC 0.13μm RF CMOS射频和混合信号工艺器件库中无变压器器件，而变压器器件是设计射频通信电路的关键，该器件的有无直接影响射频通信前端电路性能的优劣。通过对多种片上变压器的性能研究，设计出应用于LTE/WiMAX的八边形片上变压器，给出了与频率无关的集总元器件等效电路模型及模型参数提取公式，并对新器件进行了流片，测试结果表明在0.1～10 GHz频率范围内L、Q参数具有良好的吻合性，且耦合系数K良好，达到设计目的。该变压器的设计成功将有助于4G通信芯片的开发和应用。; 张华斌蔡敏武海军李正平; 关键词：LTE WIMAX 射频

基于LTCC技术的Ku波段金丝线匹配的研究被引量：3: 2012年; 基于低温共烧陶瓷(LTCC)技术,设计了Ku波段金丝键合线宽带匹配电路,该电路应用多节1/4波长传输线对两根金丝键合线在Ku波段进行了具有二项式响应的宽带匹配。三维电磁场仿真表明,匹配后在Ku波段的回波损耗达到–20 dB以下,有效提高了信号的通过率。该匹配电路在LTCC基板上所占面积小、实现较为简单。; 杨海峰邢孟江; 关键词：KU波段低温共烧陶瓷

带有直流偏置的毫米波单刀双掷开关仿真与设计被引量：7: 2011年; 采用阶跃阻抗传输线和扇形微带短截线,实现了单刀双掷开关的直流偏置,使直流支路与毫米波支路之间的隔离度大于30dB,带宽超过25%,在中心频率30GHz附近回波损耗大于40dB。采用这种直流偏置电路和PIN梁式引线二极管,基于LTCC工艺对单刀双掷开关串联结构进行仿真。设计结果表明在28.5～31.5GHz频率范围内,串联开关的插入损耗小于1.5dB,回波损耗大于15dB,隔离度大于20dB。; 邢孟江杨银堂李跃进许靖伟; 关键词：毫米波直流偏置单刀双掷开关

一种基于0.13m CMOS工艺的10位SAR A/D转换器: 2010年; 基于SMIC0.13μm CMOS1P6M Logic工艺,采用一种新型R-C组合式D/A转换结构、伪差分比较结构以及低功耗电平转换结构设计了一种用于多电源SoC的10位8通道逐次逼近型A/D转换器。在3.3V模拟电源电压和1.2V数字电源电压下,测得DNL和INL分别为0.31LSB和0.63LSB。当采样频率为1MS/s,输入信号频率为490kHz时,测得的SFDR为67.33dB,ENOB为9.48bits,功耗为3.25mW。该A/D转换器版图面积为318μm×270μm,能直接应用于嵌入式多电源SoC。; 佟星元杨银堂肖艳朱樟明陈剑鸣; 关键词：低功耗电平转换器

国家高技术研究发展计划(2009AA01Z260)

文献类型

领域

主题

机构

作者

传媒

年份

用户反馈

国家高技术研究发展计划(2009AA01Z260)

文献类型

领域

主题

机构

作者

传媒

年份

用户登录

用户反馈