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贵州省科学技术基金([2011]2095)
作品数:
1
被引量:3
H指数:1
相关作者:
王继红
周清
罗子江
张毕禅
刘珂
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2013
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InGaAs薄膜表面的粗糙化过程
被引量:3
2013年
采用STM分析InGaAs表面形貌演变研究InGaAs表面的粗糙化和预粗糙化等相变过程,特别针对In(0.15)Ga(0.85)As薄膜表面预粗糙化过程进行了深入研究.发现In(0.15)Ga(0.85)As薄膜在不同的衬底温度和As等效束流压强下表现出不同的预粗糙化过程.在低温低As等效束流压强下,薄膜表面将经历从有序平坦到预粗糙并演变成粗糙的过程,起初坑的形成是表面形貌演变的主要形式,随着退火时间的延长,大量坑和岛的共同形成促使表面进入粗糙状态;在高温高As等效束流压强下薄膜表面将率先形成小岛,退火时间延长后小岛逐渐增加并最终达到平衡态,表面形貌将长期处于预粗糙状态.
罗子江
周勋
王继红
郭祥
张毕禅
周清
刘珂
丁召
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