国家重点实验室开放基金(SKLT04-06)
- 作品数：25 被引量：99H指数：7
- 相关作者：雒建斌袁晓林更多>>
- 相关机构：江南大学清华大学常州轻工职业技术学院更多>>
- 发文基金：国家重点实验室开放基金教育部留学回国人员科研启动基金江苏省自然科学基金更多>>
- 相关领域：金属学及工艺理学机械工程化学工程更多>>
- 纺织钢丝圈水基淬火减缓表面氧化的措施被引量：1
- 2009年
- 针对钢丝圈在使用防锈水型水基淬火液的过程中产生的表面过氧化问题,采用在淬火液中添加聚乙烯醇(PVA)等添加剂,并进行了正交试验。试验结果证明:添加聚乙烯醇可以起到减缓钢丝圈表面氧化的作用,并由此确定了聚乙烯醇的最佳添加量。此项研究结果为生产中用水基淬火液取代淬火油提供了有益的参考。
- 尹丽娜赵永武
- 关键词：淬火氧化皮聚乙烯醇
- 化学复合镀Ni–P–PTFE的镀速及镀层摩擦学性能研究被引量：8
- 2009年
- 在45#钢上化学镀Ni—P-PTFE复合镀层，其工艺流程主要包括化学机械抛光、碱性除油、活化、化学镀和干燥。研究了主盐和还原剂质量浓度、pH、温度以及PTFE体积分数对镀速的影响。观察了Ni—P-PTFE镀层的表面形貌，测试了镀层的摩擦学性能。结果表明：当工艺条件为25g/L硫酸镍、30g/L次磷酸钠、10mL／LPTFE、pH4．6和温度（92±2）℃时，镀速最佳，镀层的摩擦因数在0．16～0．20之间，具有优良的耐磨性能。
- 王柳斌赵永武
- 关键词：化学复合镀镀速
- SiC强化镍基纳米复合电刷镀层的干摩擦磨损特性被引量：2
- 2008年
- 采用电刷镀技术制备了快速镍和n-SiC/Ni、n-SiC/Ni-W复合镀层,研究了镀层的干摩擦磨损特性,测定了镀层的显微硬度,采用扫描电子显微镜(SEM)观察分析了镀层磨痕形貌。结果表明:纳米粒子的加入可以显著地提高镀层的耐磨性。纳米复合镀层的磨损机制以磨粒磨损为主,而纯镍镀层以粘着磨损和磨粒磨损为主。
- 肖卫东尚勇军刘智渭董远宝赵永武
- 关键词：镍碳化硅
- 机械化学抛光过程单分子层材料吸附去除初理分析及建模
- 根据分子动力学模拟单个磨粒切削芯片的研究结果,提出一种基于芯片表面氧化膜单分子层吸附去除的 CMP 模型．并基于这种机理,充分考虑了抛光盘的大变形和超弹性特点,应用微观接触力学理论建立一种新的表征机械化学抛光过程中材料去...
- 蒋建忠赵永武
- 关键词：单分子层
- 文献传递
- 一种基于非晶层粘性流动的机械化学抛光模型被引量：7
- 2006年
- 通过分析单个微纳米磨粒滑动接触的分子动力学模拟的研究结果,提出了在典型的机械化学抛光(CMP)过程中芯片表面材料的去除应为表面非晶层物质粘性流动所致的新观点。基于这种机理,应用微观接触力学和磨粒粒度分布理论建立了一种新的表征CMP过程材料去除速率的数学模型。模型中引入了一个表征单个磨粒去除芯片表面非晶层能力的比例系数k,k综合反映了磨粒的机械作用、抛光液对芯片表面的化学作用和芯片的材料特性。通过实验验证发现该模型的理论预测值与实验测定值十分吻合。
- 蒋建忠赵永武雒建斌
- 关键词：粘性流动
- CMP材料去除机制的研究进展被引量：5
- 2011年
- CMP已成为IC制造中的关键工艺之一,其材料去除机制及理论模型的研究已经成为当前CMP研究的热点。综述基于流体润滑、磨粒磨损、化学作用、原子/分子去除等不同机制的集成电路芯片化学机械抛光(CMP)材料去除率的理论模型的研究现状和进展,分析和比较基于不同假设的理论模型,展望CMP材料去除机制研究的未来发展方向。CMP理论真正应用于实际生产指导,许多影响因素的定量研究还要细化,抛光盘的黏弹性和抛光液的流体动力学性能对CMP过程的影响还需深入研究。
- 蒋建忠袁晓林赵永武
- 关键词：芯片
- 新型复合硼酸酯环保型防锈切削液的研制被引量：13
- 2008年
- 以硼酸、二乙醇胺为原料合成硼酸二乙醇胺酯作为防锈剂的主要成分,采用正交试验法优化出该防锈剂的最佳组分比.通过对该防锈剂等配制成的切削液采用铸铁屑滤纸法和质量失重法研究表明,该切削液具有优良的防锈和耐腐蚀性能,对环保型水基切削液的推广具有重要意义.
- 李淑芬赵永武
- 关键词：正交试验
- 一种新型的机械化学抛光模型被引量：6
- 2007年
- 分析了机械化学抛光(CMP)过程中氧化剂与磨粒的化学机械协同作用机理,将CMP过程分为化学作用主导阶段和机械作用主导阶段.应用微观接触力学和颗粒粒度分布理论,对这两个阶段分别建立了表征芯片表面材料去除率的数学模型,根据这两个阶段的平衡点推出了表征芯片表面氧化膜生成速度的数学表达式.模型综合考虑了机械和化学作用因素、磨粒的浓度、磨粒的粒度分布特性及磨粒/芯片/抛光盘的材料特性参数对CMP过程的影响,并通过图表分析了磨粒体积浓度、磨粒平均粒径粒度、磨粒粒度分布宽度以及氧化剂浓度对CMP过程芯片表面材料去除率的影响规律.
- 蒋建忠赵永武
- 关键词：氧化膜数学模型粒度分布
- 基于单分子层去除机理的芯片化学机械抛光材料去除模型被引量：5
- 2007年
- 基于单分子层材料的去除机理,应用微观接触力学和概率统计方法建立了化学机械抛光(CMP)及材料去除的数学物理模型.模型揭示了材料的去除率和磨粒的大小、浓度呈非线性关系,而且模型预测结果与已有的试验数据相吻合,为进一步研究磨粒对CMP材料去除的影响提供了新的研究视角.
- 赵永武王永光
- 关键词：化学机械抛光
- 陶瓷涂层/钢的摩擦磨损性能研究被引量：11
- 2007年
- 在室温,载荷40,180,320 N和速度100,200,300 r/m in下,对二氧化钛涂层试件与GCr15钢进行了油润滑情况下的球盘式摩擦磨损试验。结果表明:在油润滑的条件下,涂层的摩擦性能几乎都有很大的改善,摩擦因数呈下降的趋势,这与载荷所致的接触应力有关;在载荷一定的情况下,摩擦因数随着速度的增大而减小;在300 r/m in的高速情况下,随着载荷的增大,圆盘的磨损量呈下降的趋势。针对摩擦磨损试验中圆盘磨损量出现的负增长,提出了一种滑动摩擦磨损机制,此模型可以很好地解释试验中所出现的现象。
- 马静波李楠刘新佳安伟赵永武
- 关键词：TIO2耐磨涂层载荷
