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国家自然科学基金(60571015F010501)

作品数：1 被引量：1H指数：1
相关作者：王健李德杰朱丹更多>>
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文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇理学

主题

  • 1篇电子发射
  • 1篇栅控
  • 1篇纳米
  • 1篇I

机构

  • 1篇清华大学

作者

  • 1篇朱丹
  • 1篇李德杰
  • 1篇王健

传媒

  • 1篇真空电子技术

年份

  • 1篇2009
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
基于InO_x纳米岛/C的栅控薄膜电子发射阴极被引量：1
2009年
介绍了基于InOx纳米岛/C的栅控薄膜电子发射阴极,并对其制备工艺和发射性能进行讨论。引入射频溅射的ZnO作为通道层,并在其上沉积InOx纳米岛以及无定型碳薄膜层。InOx纳米岛状结构引入了InOx/C复合活性层的不均匀性;在栅极以及源漏极电压的作用下,当有足够的传导电流通过InOx/C复合层时,通过电流热效应作用,复合层的某些导电通道被烧断,形成电子发射区域。本结构可以通过栅极电压来控制传导电流的有无,从而控制阴极电子发射的有无。
朱丹李德杰王健
关键词：栅控电子发射
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