国家自然科学基金(10275077)
- 作品数：4 被引量：13H指数：2
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- 相关机构：中国科学院北京科技大学四川大学更多>>
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- 微波等离子体增强化学气相沉积生长SiOx薄膜发光性能研究
- 研究了采用微波等离子体增强化学气相沉积技术生长的不同气体流量比R（R=O2／SiH4）的SiOx 薄膜及其真空退火处理后的发光性能。结果表明,当R在0．6＜R＜1．3范围内均出现了350～600 nm宽的发光带,当R=0...
- 郝小鹏王宝义马创新魏龙
- 关键词：ECR-CVDSIOXPL
- 文献传递
- 光电倍增管倍增极信号定时性能的研究
- 2005年
- 介绍一种从光电倍增管倍增极引出快信号的电路。分析了信号的产生机理,研究了它的定时性能。使用两支PhilipsXP2020Q光电倍增管,与BaF2闪烁体组成时间谱仪探头,从D9倍增极引出快信号,在使用Ortec935恒比定时和Ortec567时幅转换的条件下,测量60Co的瞬发时间谱,在2∶1能窗下得到FWHM=138ps的时间分辨。表明,此方法明显改善了谱仪的时间分辨性能。
- 李道武章志明王宝义马创新魏龙张天保白立新
- 关键词：光电倍增管信号PHILIPS^60CO体组成
- 不同参数溅射的ZnO薄膜硫化后的特性被引量：1
- 2005年
- 采用直流反应磁控溅射法在玻璃和石英衬底上沉积了ZnO薄膜 ,然后将它们在H2 S气流中硫化得到ZnS薄膜 .用x射线粉末衍射仪 (XRD)、扫描电子显微镜 (SEM)和UV VIS透过光谱对ZnS薄膜样品进行了分析 .结果表明 ,该ZnS薄膜为六角晶体结构 ,沿 (0 0 2 )晶面择优取向生长 ,其结晶状态和透过光谱与工作气压、Ar O2 流量比密切相关 .当气压高于 1Pa时 ,得到厚度很小的ZnS薄膜 ;而气压低于 1Pa时 ,沉积的ZnO薄膜则不能全部反应生成ZnS .另外 ,当Ar O2 流量比低于 4∶1或高于 4∶1时 ,结晶状态都会变差 .此外 ,由于ZnS薄膜具有高的沿 (0 0 2 )晶面择优取向的生长特性 ,使得退火或未退火ZnO薄膜硫化后的晶粒尺寸变化很小 .
- 张仁刚王宝义张辉马创新魏龙
- 关键词：硫化锌薄膜磁控溅射太阳电池
- 基片温度与氧分压对磁控溅射制备氧化钒薄膜的影响被引量：9
- 2007年
- 采用磁控溅射工艺制备了V2O5薄膜.通过改变制备工艺中基片温度和氧分压两个条件,研究了薄膜的晶相组成、表观形貌以及氧化物中钒和氧元素的化合价态.当基片温度升高时,V2O5薄膜中颗粒结晶由细长针状转变为平行于基片的片状,V5+状态保持不变,但723K时氧结合能向高键能态移动.氧分压较低时,薄膜表面有部分V4+态存在,但存在较多的高键能氧,此时薄膜中晶粒尺寸较小.随着氧分压的提高,晶粒逐渐长大,钒被氧化为高价态,但此时薄膜中高键能态氧降低.较高的基片温度和氧分压有利于薄膜中晶粒的生长;低氧分压不利于钒的氧化,高氧分压可以将钒氧化为高价态,同时,氧高键能态降低.
- 张辉刘应书刘文海王宝义魏龙
- 关键词：氧化钒磁控溅射X射线光电子能谱
- FeS_2多晶薄膜电子结构的实验研究被引量：3
- 2006年
- 用磁控溅射方法制各纯Fe薄膜,并硫化合成FeS2.采用同步辐射X射线近边吸收谱与X射线光电子能谱研究了薄膜的电子结构.结果表明,合成的FeS2薄膜,在费米能级附近,有较强的Fe3d态密度存在,同时,在价带谱中2—10eV处有强度较大的S3p态密度存在;Fe的3d轨道在八面体配位场作用下分别为t2g和eg轨道,实验中由Fe的吸收谱计算得到两分裂能级之差为2·1eV;实验测得FeS2价带结构中导带宽度约为2·4eV,导带上方仍存在第二能隙,其宽度约为2·8eV.
- 张辉王宝义张仁刚张哲钱海杰苏润奎热西魏龙
- 关键词：磁控溅射二硫化铁电子结构
