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国家高技术研究发展计划(2002AA421230)

作品数:11 被引量:210H指数:8
相关作者:康仁科郭东明金洙吉王续跃吴东江更多>>
相关机构:大连理工大学更多>>
发文基金:国家高技术研究发展计划国家自然科学基金辽宁省自然科学基金更多>>
相关领域:电子电信金属学及工艺自动化与计算机技术更多>>

文献类型

  • 11篇期刊文章
  • 1篇会议论文

领域

  • 7篇电子电信
  • 6篇金属学及工艺
  • 2篇自动化与计算...

主题

  • 10篇硅片
  • 4篇砂轮
  • 4篇激光
  • 4篇超精
  • 4篇超精密
  • 3篇电路
  • 3篇金刚石
  • 3篇金刚石砂轮
  • 3篇集成电路
  • 3篇刚石
  • 3篇超精密磨削
  • 2篇脉冲
  • 2篇脉冲激光
  • 2篇激光清洗
  • 2篇激光弯曲
  • 2篇硅片表面
  • 1篇修锐
  • 1篇运动几何学
  • 1篇运动学
  • 1篇运动学分析

机构

  • 12篇大连理工大学

作者

  • 11篇康仁科
  • 8篇郭东明
  • 7篇金洙吉
  • 5篇王续跃
  • 4篇吴东江
  • 4篇田业冰
  • 3篇许卫星
  • 2篇司马媛
  • 1篇张士军
  • 1篇许媛
  • 1篇丛明
  • 1篇霍风伟
  • 1篇徐文骥
  • 1篇牛伟光
  • 1篇王连吉
  • 1篇胡礼中
  • 1篇胡亚峰
  • 1篇汲丛平

传媒

  • 4篇光学精密工程
  • 2篇金刚石与磨料...
  • 1篇半导体技术
  • 1篇制造业自动化
  • 1篇中国机械工程
  • 1篇大连理工大学...
  • 1篇世界制造技术...
  • 1篇全国生产工程...

年份

  • 2篇2008
  • 2篇2007
  • 1篇2006
  • 2篇2005
  • 2篇2004
  • 3篇2003
11 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
大尺寸硅片背面磨削技术的应用与发展被引量:38
2003年
集成电路芯片不断向高密度、高性能和轻薄短小方向发展,为满足IC封装要求,图形硅片的背面减薄成为半导体后半制程中的重要工序。随着大直径硅片的应用,硅片的厚度相应增大,而先进的封装技术则要求更薄的芯片,超精密磨削作为硅片背面减薄主要工艺得到广泛应用。本文分析了几种常用的硅片背面减薄技术,论述了的基于自旋转磨削法的硅片背面磨削的加工原理、工艺特点和关键技术,介绍了硅片背面磨削技术面临的挑战和取得的新进展。
康仁科郭东明霍风伟金洙吉
关键词:IC封装
硅片激光弯曲成形的数值模拟与实验被引量:8
2008年
介绍了一种利用脉冲激光塑性化弯曲单晶硅片的新方法。在分析和描述光脉冲时空特性的基础上,运用有限元分析软件ANSYS对硅片弯曲过程进行了建模仿真,得到了脉冲激光弯曲过程中温度场与应力应变的仿真结果。描述了脉冲激光作用过程中温度场与应力应变的周期性瞬间变化特征,指出了脆性材料硅片的脉冲激光弯曲机理不属于简单意义上的温度梯度机理或屈曲机理,而是两种机理共同作用的结果。通过6次扫描实验,实现了对硅片的有效弯曲,弯曲角度达6.5°,仿真结果与验证性实验相符。
王续跃许卫星徐文骥吴东江康仁科郭东明
关键词:硅片脉冲激光数值模拟
基于吸收系数修正的硅片激光弯曲模拟与实验被引量:3
2008年
考虑热吸收系数随温度变化的因素,以硅为对象进行了激光弯曲模拟和实验。借助APDL语言编写了激光弯曲成形的仿真程序,对单脉冲作用过程进行模拟,以得到单点脉冲周期内的温度分布;采用NiCr/NiSi合金薄膜热电偶对单脉冲作用过程中的温度分布进行测量,对比上述的温度模拟与测量结果,修正硅材料的激光综合吸收系数为0.82。采用有限元分析软件实现了硅片的脉冲激光弯曲成形的仿真和模拟,并对硅片多次连续扫描的弯曲模拟与弯曲实验进行对比,误差仅为0.1°,验证了仿真程序的有效性,为硅片的激光弯曲成形提供了理论与实验依据。
王续跃胡亚峰许卫星吴东江
关键词:激光弯曲脉冲激光硅片
大尺寸硅片的高效超精密加工技术被引量:27
2003年
本文根据下一代IC对大尺寸硅片(≥300mm)面型精度和表面完整性的要求,分析了大尺寸硅片超精密加工的关键问题,介绍了工业发达国家在硅片超精密加工技术和设备方面的研究现状和最新进展,指出了大尺寸硅片高效超精密加工技术的发展趋势,通过对国内技术现状的分析,强调了针对大尺寸硅片超精密加工理论和关键技术开展基础研究的必要性。
郭东明康仁科金洙吉
关键词:硅片超精密加工抛光集成电路
激光清洗硅片表面Al_2O_3颗粒的试验和理论分析被引量:30
2006年
以KrF准分子激光器为激光源,对目前工业上常用的硅片研磨抛光液的主要成分Al2O3颗粒进行激光清洗的试验和理论分析。建立一维热传导模型,利用有限元分析软件MSC.MarC模拟硅片表面的温度随激光作用时间和能量密度的分布。通过理论计算,量化了颗粒所受到的清洗力以及其与硅片表面之间的粘附力,理论预测出1μm Al2O3颗粒的激光清洗阈值为60 mJ/cm2。在理论分析的指导下,利用248 nm3、0 ns的KrF准分子激光进行单因素试验,研究激光能量密度、脉冲个数、激光束入射角度对激光干法清洗效率的影响,并且实验验证了清洗模型以及场增强效应对激光清洗结果的影响。
吴东江许媛王续跃康仁科司马媛胡礼中
关键词:激光清洗硅片AL2O3
大直径硅片超精密磨削技术的研究与应用现状被引量:83
2003年
随着IC制造技术的飞速发展 ,为了增加IC芯片产量和降低单元制造成本 ,硅片趋向大直径化 ,原始硅片的厚度也相应增大以保证大尺寸硅片的强度 ;与此相反 ,为了满足IC封装的要求 ,芯片的厚度却不断减小 ,需要对图形硅片进行背面减薄。硅片和芯片尺寸变化所导致的硅片加工量的增加以及对硅片加工精度和表面质量更高的要求 ,使已有的硅片加工技术面临严峻的挑战。本文详细分析了传统硅片加工工艺的局限性 ,介绍了几种大直径硅片超精密磨削加工工艺的原理和特点 ,评述了国内外硅片超精密磨削技术与装备研究和应用的现状及发展方向 ,强调了我国开展大直径硅片超精密磨削技术和装备研究的必要性。
康仁科田业冰郭东明金洙吉
关键词:IC芯片硅片超精密磨削砂轮磨床
大尺寸硅片自旋转磨削的试验研究
利用基于自旋转磨削原理的硅片超精密磨床,通过试验研究了砂轮粒度、砂轮转速、工件转速及砂轮进给速度等主要因素对材料去除率、砂轮主轴电机电流以及磨削后硅片表面粗糙度的影响关系.研究结果表明,增大砂轮轴向进给速度和减小工件转...
田业冰郭东明康仁科金洙吉
关键词:硅片金刚石砂轮超精密磨削集成电路
青铜结合剂金刚石砂轮激光修锐试验研究被引量:3
2007年
用YAG脉冲激光对青铜结合剂金刚石砂轮进行修锐试验研究,为改善激光修锐效果,提出辅助交叉吹气的方法,实验研究了激光功率密度和离焦量对结合剂去除效果的影响.对修锐后的砂轮表面形貌显微观察表明,辅助交叉吹气方法有助于磨粒的暴露,有明显的修锐效果.同时,对修锐砂轮的磨削力测量结果表明,修锐后法向磨削力比修锐前下降10%~15%,切向下降5%~7%,比单独同轴吹气下降3%~5%,提高了砂轮的磨削性能.该结果为金属结合剂超硬磨料砂轮的激光修锐应用提供了理论与试验依据.
王续跃汲丛平康仁科王连吉牛伟光
关键词:激光修锐金刚石砂轮
硅片自旋转磨削的运动几何学分析被引量:17
2005年
介绍了硅片自旋转磨削的原理,通过引入节点、节圆概念建立了硅片自旋转磨削的运动学模型,通过分析砂轮与硅片之间的相对运动给出了硅片自旋转磨削的运动轨迹参数方程。在运动学的基础上推导了磨纹长度、磨纹数量以及磨削稳定周期公式。分析了磨纹间距、磨纹密度与磨削表面质量的关系。给出了选定磨削条件下的计算实例。研究结果为提高硅片加工质量及合理选择磨削工艺参数提供了理论依据。
田业冰金洙吉康仁科郭东明
关键词:硅片运动几何学
利用图像处理技术评价硅片表面清洗率被引量:6
2007年
介绍了一种基于Matlab图像处理工具箱技术的评价硅片表面污染颗粒激光清洗率的新方法。借助Matlab图像处理工具箱,对清洗前后硅片表面光学显微镜照片进行处理,编写硅片表面激光干法清洗率的评价程序,统计清洗前后硅片表面评价区域的污染颗粒个数,对清洗效果进行定量评价。研究结果证明,利用此方法统计的颗粒数准确度达97.6%,得到的激光清洗率准确度达99.2%。结果表明,借助图像处理技术评定清洗效果是一种高效、快速、准确的新方法。
王续跃许卫星司马媛吴东江康仁科郭东明
关键词:激光清洗硅片图像处理
共2页<12>
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