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La掺杂ZnO和SnO_2薄膜的气敏特性被引量：4: 2011年; 真空蒸发沉积薄膜再经热氧化获得n型掺La的ZnO和SnO2薄膜(玻璃衬底).研究掺La含量与热氧化工艺对薄膜的物相结构、表面形貌和气敏特性的影响.实验给出:掺La使薄膜表面颗粒细化,随La含量增加,ZnO,SnO2薄膜平均晶粒尺寸均增大.掺La可明显降低2种薄膜的气敏工作温度.相比之下,掺La对ZnO薄膜的灵敏度改善明显优于SnO2。在体积分数为6×10-3的还原性气体丙酮、乙醇中,ZnO∶La(3%)薄膜对二者的灵敏度分别达36,23;SnO2∶La(3%)对丙酮灵敏度可达15,掺La(5%)SnO2薄膜对乙醇的灵敏度也有一定的改善。; 董斌华李健杨晶; 关键词：LA掺杂热氧化气敏特性

SnS_2纳米薄膜的制备及结构和光学特性被引量：6: 2009年; 采用真空热蒸发法,在玻璃衬底上制备纳米SnS2薄膜。研究不同Sn和S配比及不同热处理条件对薄膜性能的影响。实验给出采用Sn∶S=1∶1.5摩尔比混合粉末制备的薄膜,经T=430℃,t=40min氮气保护热处理可获得性能良好的SnS2纳米多晶薄膜。薄膜呈n型、表面结构较致密,平均晶粒尺寸为77nm,直接光学带隙约为2.02eV。; 杨晶李健白海平卢建丽; 关键词：微结构光学特性

稀土Dy掺杂纳米SnO_2薄膜的结构与气敏特性被引量：5: 2009年; 采用真空蒸发法在玻璃衬底上制备稀土Dy掺杂Sn薄膜,对薄膜进行合适的氧化、热处理后获得Dy掺杂SnO2薄膜。用X射线衍射、场发射扫描电子显微镜、静态配气法对薄膜性能进行测试,研究不同掺Dy含量和热处理条件对SnO2薄膜的影响。结果显示,制备的SnO2薄膜呈金红石结构为n型;在相同热处理条件下,Dy掺杂可明显缩短薄膜氧化、热处理的时间;适当掺入稀土Dy可明显改善SnO2薄膜的结构、气敏特性。掺Dy 3at%后可大大提高SnO2薄膜对丙酮气体的灵敏度。; 闫君李健汪良; 关键词：SNO2薄膜气敏特性

稀土Dy掺杂CdO薄膜的结构与光学特性被引量：1: 2007年; 采用真空热蒸发法,在玻璃衬底上制备稀土Dy掺杂CdO薄膜并进行热处理。对薄膜进行结构和光学特性测试分析。实验给出:掺Dy后CdO薄膜沿(111)晶向的衍射峰增强,随掺Dy含量的增大峰强度逐渐减弱。掺Dy含量为5%时可促进薄膜晶粒的生长改善薄膜的晶相结构特性。制备的薄膜表面颗粒均匀,存在颗粒聚集现象。随掺Dy含量增加薄膜的透光率增大,掺Dy含量为9at%时,在波长大于900nm的区域透光率可达90%,略高于纯CdO薄膜。; 白海平李健韩菲; 关键词：光学特性

CeO_2掺杂对ZnO薄膜气敏特性的影响被引量：4: 2011年; ZnO薄膜进行CeO2掺杂,研究掺杂含量和热氧化对薄膜结构、表面、晶粒尺寸及气敏特性的影响。结果显示,用热蒸发制备的高纯Zn膜经500℃热氧化,获得c轴取向ZnO多晶薄膜。掺CeO2可抑制晶粒生长使颗粒细化平均粒径减小,同时改善了ZnO薄膜的体相化学计量比,Zn与O的比例从未掺杂时1∶1.28降到1∶1.191。XPS分析给出薄膜中Zn显+2价,O为-2价。掺CeO2(9%)可大大提高薄膜对乙醇和丙酮的敏感性,灵敏度分别达35和40。; 季力杨晶李健; 关键词：氧化锌薄膜气敏特性丙酮

Sn_2S_3薄膜制备及结构与光学特性被引量：7: 2009年; 采用真空热蒸发法在玻璃衬底上制备Sn2S3薄膜。研究不同Sn和S配比及热处理条件对薄膜的结构及光学特性的影响。结果显示:采用Sn∶S为1∶1.2(at%)混合粉末制备出的薄膜,在T=430℃,t=40min氮气保护热处理后,可得到结构良好的n型Sn2S3纳米多晶薄膜。薄膜表面致密较平整,颗粒分布均匀,平均晶粒尺寸为60.37nm。Sn2S3薄膜的直接光学带隙约为2.0eV。; 卢建丽李健白海平杨晶; 关键词：结构和光学特性

稀土Ce_2O_3掺杂TiO_2薄膜的结构和光学特性被引量：1: 2007年; 采用真空热蒸发法在玻璃、单晶硅衬底上制备Ce2O3掺杂TiO2薄膜,研究热处理和Ce2O3掺杂对薄膜性能的影响。结果显示,热处理可明显改善薄膜的结构和光学性能,Ce2O3掺杂可降低薄膜晶型转化温度。TiO2薄膜(玻璃衬底)经600℃热处理由锐钛矿转为金红石结构;当掺Ce2O3含量为5at%时热处理温度为500℃薄膜就已开始发生晶型转变。薄膜表面颗粒较均匀,存在程度不同的孔洞和颗粒聚集现象;掺Ce2O3后薄膜表面致密度明显增强。薄膜(玻璃衬底)的光学带隙从3.74 eV降至3.60 eV。; 汪良李健高燕; 关键词：TIO2薄膜掺杂结构和光学特性

不同衬底制备稀土Nd^(+3)掺杂SnO_2薄膜的XRD、SEM分析被引量：2: 2006年; 采用真空气相沉积法在玻璃和单晶硅衬底[111]上制备纳米SnO2及稀土金属钕掺杂薄膜,并对薄膜进行热处理。对薄膜进行XRD、SEM测试。实验显示,不同衬底制备SnO2薄膜在未掺钕时结构有明显区别,采用同样工艺条件在玻璃衬底上制备的SnO2薄膜没有显示择优生长;在硅衬底上制备未掺钕SnO2薄膜显示出沿[101]晶向择优生长趋势。掺钕(5 at%)玻璃衬底制备的薄膜沿[110]衍射峰较强,但薄膜基本呈现自由生长;掺钕后硅衬底制备的薄膜则强烈沿[110]晶向择优生长,随掺钕含量增加择优生长趋势消失,当掺钕含量为(5 at%)时薄膜呈自由生长结构较完善。SEM给出在玻璃基片生长的薄膜表面形貌呈均匀小颗粒状,平均晶粒尺寸在30 nm左右。硅基片制备的薄膜表面则呈紧密均匀带孔颗粒状;颗粒尺寸约1000 nm与计算值相差较大。两种衬底制备的SnO2薄膜经稀土钕掺杂可抑制晶粒生长。本实验中钕掺杂量为5 at%(热处理T=500℃,t=45 m in)时薄膜结构特性最佳。; 白海平李健吉雅图; 关键词：SNO2薄膜 XRD SEM分析

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内蒙古自治区高等学校科学研究项目(NJ05030)