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甘肃省自然科学基金(096RJZA091)

作品数：1 被引量：0H指数：0
相关作者：陈占林王永顺汪再兴更多>>
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相关领域：电子电信更多>>

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 1篇晶体管
  • 1篇静电感应晶体...
  • 1篇沟槽
  • 1篇I-V特性

机构

  • 1篇兰州交通大学

作者

  • 1篇汪再兴
  • 1篇王永顺
  • 1篇陈占林

传媒

  • 1篇固体电子学研...

年份

  • 1篇2012
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
埋栅结构静电感应晶体管耐压容量与I-V特性的改善
2012年
静电感应晶体管(SIT)有源区外围边界各种寄生电流的存在,不仅造成了阻断态下漏电增大,导致I-V特性异常,造成器件性能劣化,并且降低了器件的成品率。在器件有源区周围设计了保护沟槽,形成了槽台结构的孤岛,从物理上有效地切断了可能的寄生电流,改善了器件的耐压能力,优化了I-V特性。槽台结构通过对表面的台面造型来控制表面电场,能有效提高器件的击穿电压,改善器件电性能。
王永顺陈占林汪再兴
关键词：静电感应晶体管
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