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掺杂β-FeSi_2的研究进展被引量：1: 2011年; β-FeSi2是一种新的环境友好型半导体材料,通过在β-FeSi2中掺入不同的杂质,可制成p型或n型半导体。从掺杂β-FeSi2的制备技术、电学性质、光学性质和热电性质等几个方面介绍了掺杂β-FeSi2的发展状况,并展望了掺杂β-FeSi2的研究方向。; 王朋乔谢泉罗倩; 关键词：电学性质光学性质热电性质

磁控溅射辉光放电特性的模拟研究: 2012年; 采用二维、自洽的PIC/MCC(particle-in-cell with Monte Carlo collision)方法,模拟了磁控溅射辉光放电过程,重点讨论了工作参数对放电模式和放电电流的影响.模拟结果表明,当工作气压由小到大或空间磁场从强到弱变化时,放电模式会从阴极空间电荷主导的放电模式过渡到阳极空间电荷主导的放电模式.在过渡状态,对应的工作气压与磁通密度分别为0.67 Pa和0.05 T;随着工作气压的增大,放电电流先增大后趋向平衡,当工作气压超过2.5 Pa时,电流开始随工作气压的增大而减小;而阴极电压增大时,放电电流近似线性增加.; 沈向前谢泉肖清泉陈茜丰云; 关键词：磁控溅射辉光放电计算机模拟

磁控过程的计算机模拟: 2011年; 本文基于蒙特卡罗方法,并结合SRIM软件,编制程序跟踪模拟了磁控溅射各物理过程的粒子状态。以铝靶材为例,得到了粒子在磁控溅射各物理过程的状态分布,讨论了工作参数对薄膜沉积过程的影响。模拟结果表明:溅射原子的能量主要分布在20 eV以下,当原子沉积到基片表面时,其能量主要分布在15 eV以下,但有两个分布峰值,两个分布峰值对应着快慢两种不同形式的沉积过程。原子沉积到基片表面的位置大致服从正态分布,气压p和靶基距离d影响正态分布的方差,也即影响沉积原子在基片表面分布的均匀性。功率与沉积速度呈良好的线性关系,在工作气压为1 Pa,靶基距离为60 mm的条件下,当入射粒子的能量为250 eV时,模拟得到的功率效率最大。; 沈向前谢泉肖清泉余志强; 关键词：磁控溅射蒙特卡罗方法计算机模拟

金属间化合物Fe3Si的研究进展: 2013年; 文章简要介绍了金属间化合物Fe3Si的基本性质、常用的制备方法，以及在软磁性能等方面的应用，并对存在的一些问题以及未来可能的研究方向做了简要探讨。; 刘罗昊谢泉; 关键词：FE3SI 软磁性能抗腐蚀性

Co掺杂β-FeSi_2电子结构及光学性质的第一性原理研究被引量：12: 2011年; 采用基于密度泛函理论的第一性原理赝势平面波方法,对不同Co含量的β-FeSi2的能带结构,态密度、分态密度和光学性质进行了计算和比较。几何结构和电子结构的计算结果表明,Co掺杂使得β-FeSi2的晶格常数a增大,b和c变化不大,晶格体积增大。Fe1-xCoxSi2的能带结构变为直接带隙,禁带宽度从0.74 eV减小到0.07 eV,Co的掺入削弱了Fe的3d态电子,但费米能级附近的电子态密度仍主要由Fe的3d态电子贡献。此外,Co掺杂导致β-FeSi2的晶格体积增大,这对掺杂后β-FeSi2的带隙变窄起到一定的调制作用。光学性质的计算表明,Co掺入后介电函数虚部ε2(ω)向低能方向偏移,且光学跃迁强度明显减弱,吸收边发生了红移,光学带隙随Co含量增加而减小。计算结果为β-FeSi2光电材料的设计和应用提供了理论依据。; 闫万珺周士芸谢泉桂放张春红郭笑天; 关键词：Β-FESI2 电子结构光学性质掺杂第一性原理

β-FeSi_2薄膜的厚度与光子波长的关系研究被引量：3: 2011年; 结合太阳能光谱对β-FeSi2薄膜的光子吸收系数进行了整理分析,对β-FeSi2薄膜太阳能电池的吸收层厚度进行了分析和理论计算。结果表明,在理想高质量β-FeSi2薄膜的条件下,为获得90%的太阳能辐射吸收率,β-FeSi2薄膜太阳能电池的吸收层厚度至少在200 nm以上,其最佳厚度区间为200~250 nm,此计算结果与报道的实验结果一致。同时,获得了反映β-FeSi2薄膜太阳能电池的吸收层厚度与光子波长之间关系的计算公式。; 熊锡成谢泉闫万珺; 关键词：厚度太阳能电池

机械合金化法制备Cr掺杂Fe-Si合金: 2011年; 采用高能行星式球磨机制备了Cr掺杂Fe-Si混合粉,用X射线衍射（XRD）测试研究Cr掺杂Fe-Si合金的机械合金化过程,实验结果表明,随着球磨强度的增加,Fe、Cr、Si粉末通过原子扩散实现机械合金化,最佳的球磨工艺参数为：球磨时间35h、球磨机转速360r/min、球料比40：1。; 王朋乔谢泉罗倩陈站; 关键词：FE-SI合金机械合金化

狭义相对论下电子自旋轨道耦合对X射线光谱的影响被引量：3: 2010年; 基于狭义相对论的基本观点,研究了特征X射线的产生机理,分析了电子自旋轨道耦合对特征X射线波长的影响,导出了一个计算特征X射线波长的公式,同时对计算推导的波长值做了系统的误差分析,得到了相对误差的规律.结果表明,计算推导的波长值与实验的波长值非常接近,在实际应用中对分析特征X射线光谱具有一定的参考意义.; 余志强谢泉肖清泉; 关键词：狭义相对论自旋轨道耦合误差分析

高能球磨法制备Fe_3Si合金粉末被引量：4: 2012年; 采用高能球磨法研究了原子配比Fe75Si25的混合粉末在不同的球磨条件下的机械合金化,用X射线衍射(XRD)仪、扫描电子显微镜(SEM)表征样品的物相、晶体结构、晶粒尺寸和点阵常数,分析了Fe75Si25粉末的机械合金化机理。研究表明,球磨时间、球料比和球磨机转速对机械合金化(MA)进程有重要影响。MA 55h后可达到完全合金化,Si溶入Fe中形成α-Fe(Si)饱和固溶体,晶粒尺寸减小至7～8nm。; 陈站张晋敏赵青壮朱培强郑旭谢泉; 关键词：高能球磨法机械合金化

Mg_2Si半导体薄膜的磁控溅射制备被引量：1: 2010年; 采用磁控溅射技术和退火工艺制备出Mg2Si半导体薄膜,研究了退火时间对Mg2Si薄膜的形成和结构的影响。首先在Si(111)衬底上溅射沉积380nmMg膜,然后在退火炉内氩气氛围500℃退火,退火时间分别为3.5h、4.5h、5.0h、5.5h、6.0h。采用X射线衍射和扫描电镜对薄膜的结构和形貌进行了表征。结果表明,采用磁控溅射方法成功地制备了环境友好的半导体Mg2Si薄膜。Mg2Si薄膜具有Mg2Si(220)的择优生长特性,最强衍射峰出现在40.12°位置;随着退火时间的延长,Mg2Si外延薄膜的衍射峰强度先逐渐增强后逐渐减弱,退火5h后,样品的衍射峰最强。Mg2Si晶粒随着退火时间的延长,先逐渐增大,退火5h后逐渐减小。; 肖清泉谢泉余志强赵珂杰; 关键词：磁控溅射退火

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国际科技合作与交流专项项目(2008DFA52210)