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“九五”国家科技攻关计划(97010301)

作品数：2 被引量：27H指数：2
相关作者：黄锡珉荆海吴渊万春明陈国军更多>>
相关机构：北方液晶工程研究开发中心长春光学精密机械学院中国科学院长春光学精密机械与物理研究所更多>>
发文基金：吉林省科技发展计划基金国家自然科学基金“九五”国家科技攻关计划更多>>
相关领域：电子电信更多>>

文献类型

  • 2篇中文期刊文章

领域

  • 2篇电子电信

主题

  • 2篇液晶
  • 2篇液晶显示
  • 1篇多晶
  • 1篇多晶硅
  • 1篇多晶硅薄膜
  • 1篇多晶硅薄膜晶...
  • 1篇选择比
  • 1篇液晶显示器
  • 1篇有源矩阵
  • 1篇屏幕
  • 1篇屏幕显示
  • 1篇显示器
  • 1篇晶体管
  • 1篇刻蚀
  • 1篇刻蚀速率
  • 1篇硅薄膜
  • 1篇薄膜晶体
  • 1篇薄膜晶体管
  • 1篇LCOS
  • 1篇大屏幕

机构

  • 2篇北方液晶工程...
  • 1篇长春光学精密...
  • 1篇中国科学院长...

作者

  • 1篇王大海
  • 1篇付国柱
  • 1篇孙艳
  • 1篇李轶华
  • 1篇陈国军
  • 1篇黄锡珉
  • 1篇万春明
  • 1篇吴渊
  • 1篇荆海

传媒

  • 2篇液晶与显示

年份

  • 2篇2002
共 2 条 记 录，以下是 1-2
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排序方式：
LCOS技术的发展被引量：25
2002年
介绍了LCOS器件结构 ,应用中的关键问题。描述了投影显示关键参数 (分辨率、对比度、投影光学、系统的光通量、彩色化、灯及屏幕 )及优化方法。讨论了有待于研究开发的问题 。
黄锡珉
关键词：LCOS液晶显示大屏幕显示
多晶硅薄膜晶体管工艺中的反应性离子刻蚀被引量：2
2002年
对多晶硅薄膜晶体管器件工艺中的反应性离子刻蚀技术进行研究 ,给出了Ta、p Si等多晶硅薄膜晶体管器件中常见薄膜的刻蚀速率 ,通过工艺参数的优化 ,使薄膜间的选择比在 2～ 2 0可选择 ;并通过气体掺杂 ,实现了SiNx 对 p Si的选择比从 - 1到
王大海李轶华孙艳吴渊陈国军付国柱荆海万春明
关键词：多晶硅薄膜晶体管刻蚀速率选择比有源矩阵液晶显示器
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共1页<1>
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