您的位置： 专家智库 > >

国家火炬计划(205EB010933)

作品数：1 被引量：4H指数：1
相关作者：陈利李开航郭东辉更多>>
相关机构：厦门大学更多>>
发文基金：厦门市科技计划项目国家火炬计划福建省自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信更多>>

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 1篇功率MOSF...
  • 1篇场板
  • 1篇场限环

机构

  • 1篇厦门大学

作者

  • 1篇郭东辉
  • 1篇李开航
  • 1篇陈利

传媒

  • 1篇现代电子技术

年份

  • 1篇2006
共 1 条 记 录，以下是 1-1
全选 清除 导出
排序方式：
高压功率MOSFET结终端保护技术及其组合优化设计被引量：4
2006年
场板与场限环是用来提高功率MOSFET抗电压击穿能力的常用结终端保护技术,文章将分别介绍场板与场限环结终端保护技术各自的特点和耐压敏感参数,通过场板和场限环的互补组合来优化设计一款高耐压的VDMOS器件结构,最后采用ATHENA(工艺模拟)和ATLAS(器件模拟)工具来仿真验证优化设计的结果。
陈利李开航郭东辉
关键词：功率MOSFET场板场限环
全选 清除 导出
共1页<1>
聚类工具0