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扫描隧道显微镜诱导吸附有甘氨酸的Cu(111)表面铜台阶的产生和运动: 2005年; 氨基酸是蛋白质的构成单元,它在金属表面的吸附为研究蛋白质同金属相互作用奠定了基础。吸附了氨基酸的金属表面会发生诸如重构改变或小面化等形貌的变化,但这些变化在吸附了氨基酸的全部金属表面都能够发生。在较大负偏压(|Vb| >2 . 5V)的条件下使用扫描隧道显微镜(STM)扫描吸附有甘氨酸的Cu(111)表面,在扫描区域内原有铜台阶的形状发生了变化并产生了新的铜台阶。本文对甘氨酸在铜表面形貌变化中所起的作用进行了讨论。; 葛四平朱星; 关键词：甘氨酸 CU(111)扫描隧道显微镜

色氨酸分子在石墨表面吸附的扫描隧道显微镜研究: 2005年; 用扫描隧道显微镜(STM)研究了室温下色氨酸分子(L- Tryptophane)在石墨(HOPG)表面的吸附行为。实验发现,在室温下色氨酸分子可以在石墨表面形成均匀的吸附层,并形成二维条状结构和二维单斜晶格两种有序结构。针对这2种结构给出了可能的吸附模型。这2种有序结构的形成原因被认为与相邻色氨酸分子侧链之间的π堆积相互作用有关。; 杜文峰刘锴葛四平赵汝光; 关键词：扫描隧道显微镜石墨色氨酸

原子表面扩散的对称破缺对二维岛形成的控制: 2003年; 文章阐述了当CO吸附改变时Pt/Pt(111)同质外延单层岛的形状的微观选择机制，即岛的取向由沉积原子的边-角扩散运动的不对称性惟一决定.对没有CO介入的理想真空生长情况，衬底温度不能改变三角形岛的取向.CO的吸附反转了边-角扩散运动的不对称性，从而使岛的取向发生变化.; 杨勇王恩哥; 关键词：对称破缺量子点薄膜生长凝聚态物理学

硅酸锌的电子结构(英文)被引量：5: 2006年; 采用局域密度泛函理论和第一性原理的方法,计算四方结构和六角结构硅酸锌的平衡晶格常数、电子态密度和能带结构。计算结果表明,四方结构硅酸锌的平衡晶格常数为0.71048nm,六角结构为1.40877nm,两者与实验值的误差均在1%左右。态密度图显示,主要电子态分布在-7.18～0.00eV和2.79～10.50eV两个能量区域;同时,不同元素电子对导带和价带有不同贡献,其中氧的p态电子对价带顶贡献最大,锌的s态电子对导带底贡献最大。能带计算表明,四方与六角结构硅酸锌均为直接带隙半导体,禁带宽度分别为2.66,2.89eV。; 张华冯夏康俊勇; 关键词：硅酸锌电子态密度

Mg_xZn_(1-x)O结构性质(英文)被引量：2: 2006年; 采用第一性原理计算模拟了不同组分的MgxZn1-xO半导体混晶的晶格常数、总能、结构,以及禁带宽度的变化。计算结果显示,随着Mg组分的增加,晶格常数逐渐减小,晶体逐渐偏离纤锌矿结构。对各种不同的Mg原子排列情况进行比较认为,MgxZn1-xO的结构随组分x的增大,发生从纤锌矿到岩盐矿的结构相变的可能性高于发生相分离。另一方面,禁带宽度随组分增大主要由价带顶的移动所致。进一步分析Mg原子各种电子态对价带的影响表明,Mg对价带顶附近能带的贡献依次来自p、d、s态电子。随着组分x的增加,p态电子在价带顶附近的密度明显提高,说明sp轨道杂化不但对晶体的几何结构产生影响,而且对其电子结构也起重要作用。; 陈晓航康俊勇; 关键词：晶格结构第一性原理计算

长链烷烃和醇在石墨表面吸附的扫描隧道显微镜研究被引量：6: 2005年; 用扫描隧道显微镜 (STM)研究了室温下十八醇 ( 1 C1 8H37OH)和十四烷 (C1 4H30 )在石墨表面的吸附行为 .十八醇在石墨表面自组装形成条状结构 .实验发现了十八醇分子在石墨表面的两种不同的密排方式 ,它们形成并列的不同宽度的条状结构 .还发现 ,由于溶剂 (正十四烷C1 4H30 )的完全蒸发 ,留下的十八醇分子在石墨表面吸附的自组装结构与固液界面中十八醇分子在石墨表面的吸附形成的结构在分子方向、表面分子晶体的晶格常数及条状结构宽度等方面有很大的不同 .此外 ,实验中也发现溶剂十四烷在某种情况下也能在石墨表面吸附形成可供STM观察的有较长时间稳定性的条状周期结构 .实验观察到的十四烷在石墨表面形成的晶体结构与固液界面中观察到的有序结构的晶体结构常数和分子排列方向也是不同的 .根据STM图像。; 陈永军赵汝光杨威生; 关键词：石墨扫描隧道显微镜十八醇晶体结构

In situ Heating and Thermal Effects in Auger Electron Spectroscopy for GaN: 2006年; An in situ heating system was built for the Auger electron spectroscopy to investigate the thermal effect of Auger lines. A GaN sample was studied in this system. The kinetic energy of Ga LMM and MVV Auger lines were observed to shift negatively with temperature increasing. By using ab initio calculation, the theoretical Ga MVV Auger line shape was fit, which well reflects the inner property of the line. The Auger shift with heating is related with the valence electron rearrangement in the thermal expansion of the local bonds.; Fu-chun XuQi-he ZhangDan-xia Cen

用扫描隧道显微镜操纵Cu亚表面自间隙原子被引量：1: 2005年; 在超高真空环境下使用扫描隧道显微镜研究了吸附有双甘氨肽分子的Cu(0 0 1)表面 .在一定的偏压条件下 ,针尖在该表面扫描后会形成纳米尺度的Cu团簇 ,这些团簇可以根据意愿排列成字母或图形 .团簇的高度同偏压、隧道电流以及时间等条件有密切关系 .在室温下可以稳定存在的团簇为制造纳米器件提供了技术上的可能性 .实验结果表明 ,形成团簇的Cu原子不是来自Cu衬底表面或是针尖 .化学吸附在Cu表面的双甘氨肽分子 ,受到隧道电场的作用会在Cu表面形成张应变场 ,Cu亚表面自间隙原子在张应变场作用下迁移到表面是形成团簇的原因 .; 葛四平朱星杨威生; 关键词：团簇原子扫描隧道显微镜化学吸附字母

GaN半导体中InN量子点的结构性质(英文)被引量：4: 2007年; 采用第一性原理模拟计算纤锌矿结构GaN半导体中InN量子点的结构性质。建立64和128个原子的超原胞量子点模型,进行结构优化以获得稳定的吻合实际的系统,并模拟分析电子结构。从态密度空间分布图看到不同轴向的量子势阱形状各异、深度不一,说明量子点的限域效应存在着各向异性的特点。c轴极化方向引起量子点结构带边的弯曲形状与传统的量子阱结构不同,使得电子空穴没有发生空间分离,有利于电子空穴的跃迁几率的提高。; 陈珊珊郑江海李书平康俊勇; 关键词：量子点量子限域效应电子态密度

InGaN量子阱的微观特性(英文)被引量：8: 2007年; 采用VASP程序包模拟计算InGaN量子阱的能带,精细展示了量子阱实空间能带结构。计算结果表明,In原子所在区域出现局域束缚态,导带底与价带顶的简并能级发生分裂,同时量子阱沿垂直结面方向存在分立的能级。此外,针对影响能带的In组分波动、能带弯曲等问题进行探讨,以准确描述其电子行为,从而深入系统地了解InGaN/GaN量子阱的电学光学等特性。; 林伟李书平康俊勇; 关键词：INGAN VASP

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