您的位置: 专家智库 > >

河南省基础与前沿技术研究计划项目(092300410139)

作品数:7 被引量:8H指数:2
相关作者:曾凡光张新月姚宁李昕张锐更多>>
相关机构:郑州航空工业管理学院西安交通大学郑州大学更多>>
发文基金:河南省基础与前沿技术研究计划项目国家自然科学基金中国航空科学基金更多>>
相关领域:理学一般工业技术更多>>

文献类型

  • 7篇中文期刊文章

领域

  • 5篇理学
  • 2篇一般工业技术

主题

  • 5篇纳米
  • 5篇场发射
  • 4篇碳纳米管
  • 4篇纳米管
  • 2篇稳定性
  • 2篇均匀性
  • 2篇CNT
  • 1篇单晶
  • 1篇单晶硅
  • 1篇有限元
  • 1篇石墨
  • 1篇碳管
  • 1篇碳纳米管薄膜
  • 1篇碳纳米管阴极
  • 1篇强流脉冲
  • 1篇热解法
  • 1篇纳米石墨
  • 1篇纳米碳
  • 1篇纳米碳管
  • 1篇化学镀

机构

  • 5篇郑州航空工业...
  • 3篇西安交通大学
  • 2篇集美大学
  • 2篇郑州大学
  • 1篇河南大学
  • 1篇中国工程物理...
  • 1篇郑州财经学院

作者

  • 4篇曾凡光
  • 3篇张新月
  • 2篇张兵临
  • 2篇麻华丽
  • 2篇张锐
  • 2篇潘金艳
  • 2篇李昕
  • 2篇姚宁
  • 1篇曾桂英
  • 1篇刘卫华
  • 1篇袁泽明
  • 1篇刘波
  • 1篇杜银霄
  • 1篇霍海波
  • 1篇刘星光
  • 1篇陈雷明
  • 1篇夏连胜
  • 1篇茹意
  • 1篇丁佩
  • 1篇张篁

传媒

  • 2篇功能材料与器...
  • 1篇材料科学与工...
  • 1篇功能材料
  • 1篇发光学报
  • 1篇人工晶体学报
  • 1篇电子器件

年份

  • 1篇2013
  • 4篇2011
  • 2篇2010
7 条 记 录,以下是 1-7
排序方式:
影响碳纳米管阴极场发射性能首要因素的研究
2010年
研究了影响碳纳米管(CNT)场发射性能的主要因素,通过实验分析气压、热处理温度、发射体尺寸参数等,发现预先热处理可有效提高发射体分散均匀性,而高温后处理可有效纯化CNT;气压和温度是工作过程中影响CNT阴极膜场发射稳定性的重要参数;而CNT发射体的长度、管径与膜层密度是影响场发射电流特性的主要因素,长径比大小影响着场增强因子大小,大长径比引起低的开启电场强度和高发射电流,但管径的大小与场发射均匀性的优劣呈相反关系。
潘金艳曾桂英高云龙李昕
关键词:场发射均匀性
Ni基碳纳米管场发射阴极的性能研究
2011年
导电电极决定碳纳米管(CNT)阴极的接触方式和导电特性,影响阴极场发射特性和使用寿命.为改善膜层与基底的附着特性,磁控溅射制作亲碳性Ni电极.微观表征发现Ni基CNT阴极中生成了碳化镍相,这增加了CNT与电极间形成欧姆接触概率,降低甚至消除了从电极到CNT的电子传输势垒,能有效提高阴极导电性.场发射特性测试结果显示Ni基,尤其是ITO/Ni基CNT阴极的场发射电流密度和场发射均匀性显著提高,并能够激发均匀的高亮度.
潘金艳袁占生卫雅芬刘卫华
关键词:场发射均匀性稳定性
纳米石墨和纳米碳管薄膜在低电场下的稳定场发射被引量:4
2010年
采用微波等离子体化学气相沉积法(MPECVD)制备出了纳米石墨和纳米碳管混合薄膜材料。通过扫描电镜(SEM)和拉曼光谱(Raman)对薄膜材料的结构和形貌进行了分析。研究了薄膜材料的场发射性能。场发射结果显示:其开启电场为0.7V/μm1,在较低电场下(3.7V/μm1)即可获得5.2mA/cm2的电流密度,此电场下发射点密度可达1.6×107cm-2,发射点均匀,亮度稳定。迭代法计算结果表明制备的纳米石墨和纳米碳管混合薄膜材料的功函数仅为3.2eV。这些表明该薄膜材料为优良的场发射冷阴极材料。
张新月袁泽明姚宁张兵临
关键词:纳米石墨纳米碳管场发射稳定性
3D基底上碳纳米管场发射I-V特性建模与计算
2013年
利用有限元分析软件ANSYS分析了在平面上引入立体墙结构的阴极电场分布,给出了立体墙结构阴极表面的场强分布曲线,结合F-N方程计算了在立体结构上生长碳纳米管和平面型冷阴极上直接生长碳纳米管的电流密度,通过数值计算计算了总的场发射电流,结果表明,场发射电流随场强的变化非常大,立体墙结构型冷阴极场发射电流与平面型冷阴极发射电流相比,场发射能力得到极大的增强。
霍海波麻华丽丁佩曾凡光
关键词:场发射有限元
硅基底上热解法生长CNT薄膜的强流脉冲发射特性被引量:4
2011年
采用酞菁铁高温热解方法在直径为5cm的硅基底上生长了定向CNT薄膜,并对其强流脉冲发射特性进行了表征。测试结果表明,在单脉冲条件下,当宏观场强为11.7V/μm时,发射脉冲电流的峰值约为109.4A;而在双脉冲模式下,当第一脉冲峰值宏观场强为8.6V/μm,第二脉冲峰值宏观场强为5.4V/μm时,第一脉冲和第二脉冲峰值电流分别约为117.2和720.8A。第二电流脉冲的电流峰值出现放大效应,放大倍数约为6.15倍。
曾凡光李昕左曙夏连胜谌怡刘星光张篁张锐
关键词:热解法碳纳米管薄膜
单晶硅掺杂类型对化学镀Ni-P膜的影响
2011年
本文采用化学镀的方法分别在P型、N型Si(100)表面制备了Ni-P膜,通过扫描电镜(SEM)及电子能谱仪(EDS)分析考察了同种制备条件下,在不同基底上镀膜的表面形貌和不同基底对镀层组分的影响;并用原子力显微镜(AFM)对不同基底上镀膜的平整度进行了研究。结果发现两种基底上的镀膜形貌、元素含量及镀膜平整度明显不同,以P型Si(100)作为基底时,膜层颗粒度及平整度较好。
麻华丽张新月杜银霄陈雷明茹意张锐曾凡光刘波刘凯梁浩
关键词:化学镀
催化剂对纳米非晶碳膜场发射性能的影响
2011年
利用微波等离子体增强化学气相沉积(MPECVD)法,在经处理的单晶硅衬底上沉积了纳米非晶碳薄膜。通过Raman、SEM、XRD表征,研究了催化剂对纳米非晶碳膜的生长速率及场发射性能的影响。结果表明,在制备纳米非晶碳膜时使用FeCl3作为催化剂可大幅提高其生长速率。在相同的制备条件下,与未加FeCl3催化剂制备的纳米非晶碳膜的场发射性能相比,加催化剂制备的碳膜开启电场降至0.5V.μm-1;在1.8V.μm-1的电场下,电流密度可以达到2.6mA.cm-2,而且发射点密度较大、分布均匀。
张新月曾凡光姚宁张兵临
关键词:催化剂场发射
共1页<1>
聚类工具0