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国家高技术研究发展计划(2009AA01Z114)

作品数:11 被引量:8H指数:2
相关作者:方粮张民选池雅庆隋兵才邵铮铮更多>>
相关机构:国防科学技术大学并行与分布处理国防科技重点实验室更多>>
发文基金:国家高技术研究发展计划国防科技大学优秀研究生创新基金湖南省研究生创新基金更多>>
相关领域:电子电信理学一般工业技术自动化与计算机技术更多>>

文献类型

  • 11篇期刊文章
  • 1篇会议论文

领域

  • 5篇电子电信
  • 3篇理学
  • 2篇自动化与计算...
  • 2篇一般工业技术

主题

  • 4篇纳米
  • 3篇ZNO
  • 2篇单电子晶体管
  • 2篇隧穿
  • 2篇肖特基
  • 2篇肖特基接触
  • 2篇纳米棒
  • 2篇晶体管
  • 2篇ZNO纳米
  • 2篇ZNO纳米棒
  • 1篇单极性
  • 1篇电导
  • 1篇电特性
  • 1篇电学
  • 1篇电学特性
  • 1篇多孔
  • 1篇多孔微球
  • 1篇氧化物
  • 1篇氧化物半导体
  • 1篇异质栅

机构

  • 8篇国防科学技术...
  • 2篇并行与分布处...

作者

  • 6篇方粮
  • 3篇隋兵才
  • 3篇张学骜
  • 3篇池雅庆
  • 3篇张民选
  • 3篇常胜利
  • 3篇王晓峰
  • 3篇邵铮铮
  • 2篇周海亮
  • 2篇仲海钦
  • 2篇张超
  • 1篇邓明堂
  • 1篇杨学军
  • 1篇易勋
  • 1篇张超
  • 1篇周海亮

传媒

  • 4篇物理学报
  • 2篇计算机工程与...
  • 1篇Journa...
  • 1篇国防科技大学...
  • 1篇光谱学与光谱...
  • 1篇中国科学(G...
  • 1篇Scienc...
  • 1篇第15届全国...

年份

  • 2篇2011
  • 6篇2010
  • 4篇2009
11 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
一种基于双栅材料的单极性类金属氧化物半导体碳纳米管场效应管设计方法被引量:3
2010年
由于导电沟道-源/漏电极界面处可能发生的载流子带间隧穿,传统类金属氧化物半导体(MOS)碳纳米管场效应管呈现双极性传输特性,极大影响了器件性能的提高及其在电路中的应用.为获得具有理想单极性传输特性的类MOS碳纳米管场效应管,本文提出了一种基于双栅材料的器件设计方法.模拟结果表明,通过合理选取调节电极材料,在不影响器件亚阈值斜率的同时,该设计方法不仅能使开关电流比增大6—9个数量级,有效调节阈值范围,而且能有效消除传统类MOS碳纳米管场效应管的双极性传输特性.进一步研究表明,该设计所获得的器件性能提高与调节电极材料的选取密切相关,同时量子电容对其亚阈值斜率、传输极性也有一定影响.
周海亮张民选方粮
基于梯度掺杂策略的碳纳米管场效应管性能优化被引量:5
2010年
双极性传输特性是制约碳纳米管场效应管(carbon nanotube field effect transistors,CNFETs)性能提高的一个重要因素.为降低器件的双极性传输特性并获得较大的开关电流比,提出了一种漏端梯度掺杂策略,该策略不仅适合于类MOS碳纳米管场效应管(C-CNFETs),同时也适合于隧穿碳纳米管场效应管(T-CNFETs).基于非平衡格林函数的数值研究结果表明,该策略不仅能有效降低器件的双极传输特性,而且能将器件开关电流比提高数个数量级.进一步研究发现,该掺杂策略在这两类碳纳米管场效应管器件结构中的应用存在诸多差异:C-CNFETs中可能发生的能级钳制将削弱器件导通状态性能,而T-CNFETs中无此现象;C-CNFETs中源、漏两端均采用梯度掺杂能进一步提高器件性能,而该策略并不适于T-CNFETs;梯度掺杂后的T-CNFETs器件性能受轻度掺杂区域宽度的影响较C-CNFETs更为显著.同时,该梯度掺杂策略会造成一定的面积开销,因此在实际应用中应合理选取器件结构、掺杂浓度、掺杂区域宽度等参数,以获得速度、功耗与面积之间的最佳折中.
周海亮池雅庆张民选方粮
关键词:梯度掺杂
室温单电子晶体管制备进展
2010年
单电子晶体管由于其纳米级的器件尺寸和超低功耗等优点被广泛认为是当前最有应用前景的纳米电子器件之一,实现室温下的正常工作和器件结构的精确控制是其实用化的关键。室温单电子晶体管的主流制备方法为自顶向下工艺和自底向上工艺。自顶向下工艺便于器件集成,但纳米尺度下的制备工艺误差较大,室温单电子晶体管的性质难以稳定;自底向上工艺能够比较容易地制备出室温单电子晶体管,但同样有耦合结构误差较大的问题。在结合自顶向下工艺和自底向上工艺的基础上,引进纳米结构制备的新技术来提高工艺过程的可控性,是下一步室温单电子晶体管制备的研究重点。
池雅庆仲海钦隋兵才张超方粮
单岛单电子晶体管的电导分析
2011年
基于单电子经典理论,本文通过分析得出了单岛单电子晶体管的源漏电导模型,并对其进行了详细的分析讨论.单岛单电子晶体管的源漏电导随着源漏电压的变化发生周期性的振荡衰减,并随着源漏电压的增大逐渐收敛于本征电导值.源漏电导的这种特性受温度、结电阻、结电容等参数的影响.分析结果表明,源漏电导分析模型对单电子晶体管的大规模应用具有非常重要的意义.
隋兵才方粮张超
关键词:单电子晶体管电导库仑阻塞
Electrical characteristics of Pt-ZnO Schottky nano-contact
2010年
The electrical characteristics of Pt-ZnO Schottky nano-contact have been studied. Well aligned ZnO nanorod arrays were synthesized by two-step wet-chemical method. A Pt-coated conducting probe of atomic force microscope was placed on the head face of the ZnO nanorod, thereby forming a Pt-ZnO nano-contact. The I-V characteristic curve shows that the Pt-ZnO nano-contact exhibits rectifying effect, like a Schottky diode with an ideality factor of 3.2 and a reverse-bias breakdown voltage more than -10 V. The study suggests that a high electric field is induced on the ZnO beneath the contact point when a bias voltage is applied, hence, the Schottky barrier thickness is decreased, and results in easier tunneling across the Pt-ZnO interface and a large ideality factor.
SHAO ZhengZheng , ZHANG XueAo, WANG XiaoFeng & CHANG ShengLi Center of Materials Science, College of Science, National University of Defense Technology, Changsha 410073, China
关键词:ZNOSCHOTTKYCONTACTIDEALITYFACTOR
Confinement of gold quantum dot arrays inside ordered mesoporous silica thin film
2009年
Periodic disposed quantum dot arrays are very useful for the large scale integration of single electron devices. Gold quantum dot arrays were self-assembled inside pore channels of ordered amino-functionalized mesoporous silica thin films, employing the neutralization reaction between chloroauric acid and amino groups. The diameters of quantum dots are controlled via changing the aperture of pore channels from 2.3 to 8.3 nm, which are characterized by HRTEM, SEM and FT-IR. UV-vis absorption spectra of gold nanoparticle/mesoporous silica composite thin films exhibit a blue shift and intensity drop of the absorption peak as the aperture of mesopores decreases, which represents the energy level change of quantum dot arrays due to the quantum size effect.
池雅庆仲海钦张学骜方粮常胜利
可并行读写的纳米交叉杆存储器的设计与分析
纳米交叉杆结构因其结构简单、制备工艺成熟而成为研究者最为关注的一种纳米存储器件.纳米交叉杆基于具有双稳态性质的纳米器件,有机分子层交叉结构和碳纳米管交叉结构都是比较成熟的纳米交叉结构.基于纳米交叉杆的存储器一般由外围微-...
邓明堂朱玄张玉彬易勋杨学军
关键词:存储器
文献传递
拉曼光谱法研究纳米结构多孔ZnO微球的合成机理
2010年
利用拉曼光谱方法,对柠檬酸钠辅助水热合成纳米结构多孔ZnO微球的机理进行了研究。样品的拉曼光谱特征显示,多孔ZnO微球中存在Zn-柠檬酸配合物;分析表明反应溶液中柠檬酸钠水解产生的柠檬酸根与Zn2+结合形成Zn-柠檬酸配合物,该配合物化学吸附在Zn(OH)2晶核的(204)和(503)晶面,使Zn(OH)2晶核择优生长形成纳米薄片状结构;水热过程中Zn(OH)2微晶团聚形成纳米片状结构多孔Zn(OH)2微球并以沉淀析出。研究发现吸附在薄片表面的Zn-柠檬酸配合物提高了Zn(OH)2微晶的热稳定性,使得Zn(OH)2的分解温度高于200℃,加热到300℃后Zn(OH)2完全分解获得纳米结构多孔ZnO微球。
邵铮铮张学骜王晓峰常胜利
关键词:ZNO多孔微球拉曼光谱
异质栅类MOS碳纳米场效应管中量子电容的影响
2011年
本研究小组提出的基于异质栅类MOS碳纳米场效应管器件设计结构不仅能增大开关电流比、调节阈值电压、降低器件功耗,而且还能有效消除传统类MOS碳纳米场效应管的双极性传输特性。但是,作为典型的低维系统,该新型器件设计不可避免地受到量子电容的影响。本文在分析其工作原理的基础上首次研究了量子电容对其传输特性的影响。研究结果表明,量子电容不仅能增大该新型器件的关断电流、减小开关电流比,而且还能破坏其单极性传输特性,给其在电路中的应用带来负面影响。本文最后给出了几点减少量子电容影响的建议。
周海亮张民选方粮
关键词:异质栅非平衡格林函数
原子力显微技术研究ZnO纳米棒的压电放电特性
2010年
在原子力显微镜的接触扫描模式下,研究了半导体ZnO纳米棒的压电放电特性.采用两步湿化学法制备沿c轴择优生长的ZnO纳米棒阵列;利用镀Pt探针接触扫描ZnO纳米棒获得峰值达120pA电流脉冲,脉冲持续时间可达30ms,电流脉冲与纳米棒的形貌存在对应关系.镀Pt探针与ZnO纳米棒接触形成肖特基二极管,I-V特性研究表明放电的ZnO纳米棒压电电势必须大于0.3V,以驱动肖特基二极管并输出电流;放电时肖特基二极管的结电阻达吉欧(GΩ)量级,是影响压电电势输出的主要因素.
邵铮铮王晓峰张学骜常胜利
关键词:ZNO纳米棒肖特基接触
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