广东省自然科学基金(31927)
- 作品数：3 被引量：8H指数：2
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- 相关机构：湛江师范学院兰州大学更多>>
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- 衬底温度和氮气分压对氮化锌薄膜的性能影响(英文)被引量：1
- 2007年
- 采用射频磁控溅射法在不同衬底温度和不同氮气分压下在石英玻璃衬底上制备氮化锌薄膜.利用XRD和喇曼散射仪分析了样品的晶体结构和组成.结果表明当氮气分压为1/2时可以生成多晶单一相的氮化锌薄膜.利用霍尔效应和光学透过谱测量了样品的电学和光学性质.结果表明衬底温度对样品的电学和光学性质有很大的影响.衬底温度从100℃上升到300℃时,样品的电阻率从0.49降低到0.023Ω.cm.电子浓度从2.7×1016升高到8.2×1019cm-3.在衬底温度为200℃,氮气分压为1/2时,样品的光学带隙为1.23eV.
- 张军谢二庆付玉军李晖邵乐喜
- 关键词：射频溅射光电性质
- 太阳电池用氧化锌薄膜的蒸发氧化制备及其光电特性
- 采用真空蒸发镀膜的方法分别在玻璃和硅片衬底上沉积金属锌前驱体,再在空气中通过不同温度的退火氧化处理制得氧化锌薄膜,主要研究了不同退火温度对氧化锌薄膜光电特性的影响。实验表明,在一定退火温度样品的方块电阻突增,PL发射峰出...
- 邵乐喜陈小敏
- 关键词：氧化锌薄膜退火光致发光
- 两步热氧化法制备ZnO薄膜及其光催化特性
- ZnO 是一种六方纤锌矿结构的Ⅱ-Ⅵ族宽禁带半导体材料,室温禁带宽度约3．37 eV,具有优异的结构、光学和电学特性。在紫外光照射下,ZnO 薄膜可以产生电子-空穴对,在薄膜表面形成强的氧化-还原体系,对溶液中的有机物进...
- 张军谢二庆付玉军李晖邵乐喜
- 文献传递
- 原位氧化Zn_3N_2制备p型ZnO薄膜的性能研究被引量：5
- 2007年
- 采用射频反应溅射法在玻璃衬底上制备Zn3N2薄膜,然后向真空室中通入纯氧气进行热氧化制备ZnO薄膜.利用X射线衍射、扫描电子显微镜、霍尔效应测量、透射光谱和光致发光光谱等表征技术,研究了氧化温度和氧化时间对ZnO薄膜的结晶质量、电学性质和光学性能的影响.研究结果显示,450℃下氧化2h后的样品中除含有ZnO外,还有Zn3N2成分,500℃下氧化2h可以制备出电阻率为0.7Ωcm,空穴载流子浓度为1017cm-3,空穴迁移率为0.9cm2/Vs的具有c轴择优取向的p型ZnO薄膜.此时的ZnO薄膜具有良好的光学特性,紫外可见光范围内透过率为85%,处于紫外区域的激子复合产生的发光峰很强,且半高宽较窄,而处于可见光部分来自于深能级发射的绿色发光峰很弱.这种工艺制备的ZnO薄膜质量较好,有利于实现在短波长光电器件方面的应用.
- 张军谢二庆付玉军李晖邵乐喜
- 关键词：P型ZNO薄膜射频溅射
- 衬底对原位氧化制备的ZnO薄膜结构和光学性质的影响被引量：2
- 2008年
- 采用射频反应溅射法在不同衬底上制备Zn3N2薄膜,然后对其原位氧化制备ZnO薄膜。利用X射线衍射分析(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)和光致发光谱(PL)等表征技术研究了不同衬底对ZnO薄膜的结晶特性和发光性能的影响。XRD研究结果显示:Zn3N2薄膜在500℃原位氧化3 h后完全转变为ZnO薄膜,在玻璃和熔融石英衬底上制备的多晶ZnO薄膜无择优取向,而单晶硅(100)衬底上的多晶ZnO薄膜具有较好的沿(002)方向的择优取向。PL测试结果显示:硅和熔融石英衬底上的多晶ZnO薄膜发光性能良好,激子复合产生的紫外发光峰很强,且半高宽较窄,而来自于深能级发射的绿色发光峰很弱;而玻璃衬底上的多晶ZnO薄膜发光性能较差。
- 张军谢二庆谢毅柱付玉军邵乐喜
- 关键词：ZNO薄膜光致发光衬底
