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北京市教育委员会科技发展计划面上项目(KM200510009008)

作品数:2 被引量:0H指数:0
相关作者:张铭严辉米仪琳更多>>
相关机构:北方工业大学北京工业大学更多>>
发文基金:国家自然科学基金北京市教育委员会科技发展计划面上项目更多>>
相关领域:理学更多>>

文献类型

  • 2篇中文期刊文章

领域

  • 2篇理学

主题

  • 2篇自旋
  • 2篇自旋注入
  • 1篇电导
  • 1篇英文
  • 1篇有机半导体
  • 1篇铁磁
  • 1篇铁磁体
  • 1篇自旋翻转
  • 1篇极化子
  • 1篇半导体
  • 1篇磁体

机构

  • 2篇北方工业大学
  • 2篇北京工业大学

作者

  • 2篇米仪琳
  • 2篇严辉
  • 2篇张铭

传媒

  • 1篇功能材料
  • 1篇功能材料与器...

年份

  • 2篇2009
2 条 记 录,以下是 1-2
排序方式:
界面自旋翻转对有限尺寸的铁磁体/非磁性半导体/铁磁体体系自旋注入的影响(英文)
2009年
本文考虑了界面自旋翻转效应后对有限尺寸的铁磁体/非磁性半导体/铁磁体异质结中的自旋注入问题进行了系统的理论探讨。由于自旋在两种介质界面上发生的翻转散射,自旋极化流的每一个分量在界面上都不可能连续。计算结果表明,当自旋注入效率从0增加到100%的过程中,铁磁体/非磁性半导体/铁磁体异质结的隧穿磁阻增大了两个数量级。这一事实证明界面的自旋翻转效应直接影响着铁磁体/非磁性半导体/铁磁体异质结的隧穿磁阻。
米仪琳张铭严辉
自旋注入对有机半导体极化子电导的影响
2009年
在有机半导体自旋电子器件中,自旋从铁磁极注入到有机半导体后,自旋相上的极化子和自旋向下的极化子有不同的态密度,从而产生不同的电导。利用自旋漂移-扩散方程通过自洽计算得到了铁磁/有机半导体自旋注入结构中极化子自旋相关的电导和电流的自旋极化率。计算结果表明,极化子电导的自旋相关性是自旋注入引起的,和电流的自旋极化率密切相关;在自旋注入发生后,有机半导体内不同位置上极化子自旋态密度不同,由此产生的极化子电导也不相同,极化子电导是位置的函数。另外还发现,外电场会增强有机半导体电流的自旋极化率。
米仪琳张铭严辉
关键词:自旋注入
共1页<1>
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