国家重点基础研究发展计划(G20000683-06)
- 作品数：18 被引量：341H指数：9
- 相关作者：叶志镇赵炳辉吕建国汪雷朱丽萍更多>>
- 相关机构：浙江大学中国科学院更多>>
- 发文基金：国家重点基础研究发展计划国家自然科学基金浙江省自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学交通运输工程一般工业技术更多>>
- ZnO薄膜的研究与开发应用进展被引量：37
- 2002年
- ZnO是一种新型的 - 族半导体材料。该文介绍了ZnO薄膜的晶格、光学以及电学特性,对其生长技术和开发应用等方面的进展也作了综述,并展望了ZnO薄膜的发展前景。
- 吕建国陈汉鸿叶志镇
- 关键词：ZNO薄膜氧化锌半导体材料
- AlN缓冲层对提高硅基GaN薄膜质量的作用机理及其研究进展被引量：1
- 2006年
- AlN作为中间层可以有效提高硅基GaN的晶体质量。本文对于AlN作为形核层和插入层提高GaN晶体质量的机理进行分析和总结,并给出AlN的最佳生长条件。
- 王敬蕊叶志镇赵炳辉朱丽萍唐海平
- 关键词：ALN应力位错
- ZnO薄膜应用的最新研究进展被引量：70
- 2002年
- ZnO是一种新型的II-VI族半导体材料。详细介绍了ZnO薄膜在太阳能电池、表面声波器件、气敏元件、压敏器件等领域的应用以及在紫外探测器、LED、LD等潜在应用领域研究开发的最新进展。
- 吕建国汪雷叶志镇赵炳辉
- 关键词：氧化锌薄膜化合物半导体
- 直流磁控溅射ZnO薄膜的结构和室温PL谱研究被引量：16
- 2002年
- ZnO是一种新型的宽带化合化半导体材料 ,对短波长的光电子器件如UV探测器 ,LED和LD有着巨大的潜在应用。本实验研究采用直流反应磁控溅射法在硅衬底上沉积C轴择优取向的ZnO晶体薄膜 ,薄膜呈柱状结构 ,晶粒大小约为 10 0nm ,晶粒内为结晶性能完整的单晶 ,但晶粒在C轴方向存在较大的张应力。ZnO薄膜在He Cd激光器激发下有较强的紫外荧光发射 ,应力引起ZnO禁带宽度向长波方向移动 。
- 汪雷
- 关键词：直流磁控溅射ZNO薄膜光致发光氧化锌半导体
- 磁控溅射中生长参数对氧化锌薄膜性能的影响被引量：20
- 2001年
- 介绍了氧化锌的应用和制备方法 ,着重研究了磁控溅射中各生长参数如衬底温度。
- 邹璐叶志镇
- 关键词：磁控溅射
- ZnO薄膜p型转变的难点及解决新方法被引量：6
- 2004年
- 论述了ZnO薄膜p型转变的难点及其解决方法的最新研究进展,并讨论了Al+N+H共掺杂生长p-ZnO膜的掺杂机制,提出多层缓冲层生长工艺以实现p-ZnO薄膜的可控掺杂,进而优化薄膜性能。
- 曾昱嘉叶志镇袁国栋黄靖云赵炳辉朱丽萍
- 关键词：ZNO薄膜氧化锌载流子迁移率半导体
- 表面处理对n-GaN上无合金化Ti/Al欧姆接触的作用
- 2004年
- 本文研究了表面处理对n GaN上无合金化的Ti/Al电极起的作用 ,比较了 (NH4) 2 Sx和CH3 CSNH2 两种不同的表面处理方法。在用CH3 CSHN2 /NH4OH溶液处理过的样品上制作的无合金化的Ti/Al电极 ,可得到较低的 (4 85～ 5 6 5 )× 1 0 -4Ω·cm2 的接触电阻率 。
- 刘磊陈忠景何乐年
- 关键词：N-GAN欧姆接触表面处理
- 衬底温度对Al+N共掺p-ZnO薄膜性能的影响被引量：10
- 2005年
- 目前,制备性能优异的p-ZnO薄膜的可重复性问题已成为制约ZnO基光电器件发展的一个主要因素.本文利用直流反应磁控溅射技术,以X射线衍射,霍尔效应测试,X射线光电子能谱及透射光谱为表征手段,研究了不同衬底温度对Al+N共掺p-ZnO薄膜电学、光学、结晶性能的影响,并从N2O的分解反应及衬底表面各种原子的迁移过程提出导致薄膜性能差异的原因.在最佳衬底温度(500℃)时,p-ZnO薄膜空穴浓度达2.52×1017cm-3,电阻率为28.3Ω·cm.
- 曾昱嘉叶志镇吕建国李丹颖朱丽萍赵炳辉
- 关键词：磁控溅射共掺
- MOCVD生长GaN材料p型掺杂最新进展被引量：2
- 2004年
- p型GaN薄膜的实现是发展光电器件的关键工艺。使用金属有机物化学气相沉积(MOCVD)方法已经获得实用性的p型掺杂,但是其电学和光学特性都不能让人满意。最近几年在掺杂工艺的改进和掺杂模型的理论研究方面都取得了显著进展。介绍了p型掺杂GaN中的自补偿模型、共掺杂工艺的原理和进展、PL谱的性质以及一些新的掺杂工艺。
- 赵浙叶志镇
- 关键词：MOCVDP型掺杂光电器件
- 退火处理对ZnO薄膜结晶性能的影响被引量：77
- 2003年
- 研究了退火处理对 Zn O薄膜结晶性能的影响 .Zn O薄膜由直流反应磁控溅射技术制得 ,并在 O2 气氛中不同温度 (2 0 0～ 10 0 0℃ )下退火 ,利用 X射线衍射 (XRD)、原子力显微镜 (AFM)和 X射线光电子能谱 (XPS)对其结晶性能进行了研究 ,提出了一个较为完善的 Zn O薄膜退火模型 .研究表明 :热处理可使 c轴生长的薄膜取向性增强 ;随退火温度的升高 ,薄膜沿 c轴的张应力减小 ,压应力增加 ;同时晶粒度增大 ,表面粗糙度也随之增加 .在 6 4 0℃的应力松弛温度 (SRT)下 ,Zn O薄膜具有很好的 c轴取向 ,沿 c轴的应力处于松弛状态 ,晶粒度不大 ,表面粗糙度较小 ,此时 Zn O薄膜的结晶性能最优 .
- 吕建国叶志镇黄靖云赵炳辉汪雷
- 关键词：ZNO薄膜退火处理
