国际科技合作与交流专项项目(2002DFG00051)
- 作品数：5 被引量：34H指数：4
- 相关作者：孙建耿新华高艳涛赵颖魏长春更多>>
- 相关机构：南开大学天津大学天津市光电子薄膜器件与技术重点实验室更多>>
- 发文基金：国际科技合作与交流专项项目国家重点基础研究发展计划国家高技术研究发展计划更多>>
- 相关领域：电气工程理学电子电信动力工程及工程热物理更多>>
- 太阳电池用本征微晶硅材料的制备及其结构研究被引量：8
- 2005年
- 采用VHF-PECVD技术制备了系列不同硅烷浓度和反应气压的微晶硅薄膜.运用拉曼散射光谱和x射线衍射对制备的材料进行了结构分析.在实验研究的范围内,制备材料的晶化程度随硅烷浓度的增加而降低.XRD的测试结果表明制备的微晶硅材料均体现了(220)方向择优.应用在电池的有源层中,制备出了效率达7·1%的单结微晶硅太阳电池,电池的结构是glass/ZnO/p(μc-SiH)/i(μc-SiH)/n(a-SiH/Al),没有ZnO背反射电极,有源层的厚度仅为1·2μm.
- 张晓丹赵颖高艳涛朱锋魏长春孙建耿新华熊绍珍
- 关键词：X射线衍射微晶硅薄膜硅太阳电池硅材料本征
- 微晶硅薄膜的制备及结构和稳定性研究被引量：9
- 2005年
- 采用甚高频等离子体增强化学气相沉积技术制备了不同衬底温度的微晶硅薄膜.利用傅里叶变换红外吸收对制备薄膜进行了结构方面的测试分析.结果表明:随衬底温度的升高,材料中的氢含量总的趋势下降;傅里叶变换红外吸收和二次离子质谱测试结果都显示薄膜中氧含量随衬底温度的升高而增加(在1019cm-3量级);与高衬底温度相比,低衬底温度制备的材料易于后氧化,这说明低温制备材料的稳定性不好.
- 张晓丹赵颖高艳涛朱锋魏长春孙建耿新华熊绍珍
- 关键词：微晶硅薄膜衬底温度等离子体增强二次离子质谱后氧化
- 甚高频等离子体增强化学气相沉积制备微晶硅太阳电池的研究被引量：15
- 2005年
- 采用甚高频等离子体增强化学气相沉积技术成功地制备了不同硅烷浓度和辉光功率条件下的微晶硅电池 .电池的J V测试结果表明 :在实验的硅烷浓度和功率范围内 ,随硅烷浓度的降低和功率的加大 ,对应电池的开路电压逐渐变小 ;硅烷浓度的不同对电池的短路电流密度有很大的影响 ,但功率的影响在实验研究的范围内不是很显著 .对于微晶硅电池 ,N层最好是非晶硅 ,这是因为一方面可以降低对电流的横向收集效应 ,另一方面也降低了电池的漏电概率 ,提高了电池的填充因子 .
- 张晓丹赵颖高艳涛朱锋魏长春魏长春孙建王岩熊绍珍
- 关键词：微晶硅薄膜太阳电池
- 微晶硅太阳电池被引量：2
- 2005年
- 采用VHF-PECVD技术制备了系列微晶硅太阳电池.综合测试结果表明:硅烷浓度、热阱温度和前电极都对微晶硅太阳电池的性能有影响.在湿法腐蚀的ZnO衬底上制备的电池的效率比在ZnO/SnO2复合膜上制备的电池的效率高1.5%.在优化了沉积条件后,制备出效率达6.7%的微晶硅太阳电池(Jsc=18.8mA/cm2,Voc=0.526V,FF=0.68),电池的结构是glass/ZnO/p(μc-Si∶H)/i(μc-Si∶H)/(a-Si∶H)/Al,没有ZnO背反射电极.
- 张晓丹高艳涛赵颖朱锋魏长春孙建耿新华熊绍珍
- 关键词：X射线衍射
- 高速微晶硅材料的制备及其特性分析被引量：5
- 2005年
- 本文采用甚高频等离子体增强化学气相沉积技术制备出了系列不同功率的微晶硅薄膜.对薄膜的电学特性和结构特性进行了测试分析,结果表明:制备出了光敏性在500～700、激活能在0.5 eV左右、沉积速率大于0.8 nm/s和晶化率在60%左右的微晶硅材料.同时也对材料的稳定性进行了相关的研究.
- 张晓丹赵颖高艳涛朱锋魏长春孙建耿新华熊绍珍
- 关键词：微晶硅薄膜拉曼光谱
