国家教育部博士点基金(20020422056)
- 作品数：18 被引量：106H指数：6
- 相关作者：马洪磊马瑾计峰张锡健宗福建更多>>
- 相关机构：山东大学山东师范大学泰山医学院更多>>
- 发文基金：国家教育部博士点基金教育部科学技术研究重点项目国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信一般工业技术理学动力工程及工程热物理更多>>
- 真空退火对溅射淀积ZnO:Ga透明导电膜性能的影响被引量：8
- 2005年
- 采用射频磁控溅射法在玻璃衬底上低温制备出了镓掺杂氧化锌(ZnO:Ga)透明导电膜,研究了真空退火对薄膜结构、电学和光学特性的影响。结果表明:真空退火后,薄膜结构得到明显改善,电阻率由退火前的1.13×10-3?·cm下降到5.4×10-4?·cm,在可见光区的平均透过率也由未退火前的83%提高到退火后的90%以上。
- 马瑾余旭浒计峰王玉恒张锡健程传福马洪磊
- 关键词：磁控溅射ZNO:GA真空退火
- 退火温度对射频磁控溅射法生长的Mg0.16Zn0.84O薄膜性质的影响
- 2004年
- 采用射频磁控溅射的方法在硅衬底上生长出高质量的Mg0.16Zn0.84O薄膜.用X射线(XRD)、原子力显微镜(AFM)分别研究了在200、400、600和800℃下空气中退火2h的Mg0.16Zn0 84O薄膜的结构、表面形貌.结果表明,Mg0.16Zn0.84O薄膜是六角纤锌矿结构,具有沿与衬底垂直的C轴的择优取向;随着样品退火温度的升高,(002)衍射峰强度明显增强,衍射峰半高宽(FWHM)由0.86°单调地降低到0.40°,晶粒大小明显增大,最大的高达400nm以上.用TV1900型双光束紫外可见分光光度计测量了淀积在蓝宝石衬底上的Mg0.16Zn0.84O薄膜室温的透射谱,得到可见光区的平均透过率约为95%,进而估算出Mg0.16Zn0.84O薄膜的带隙宽度约为3.58eV.
- 张锡健马洪磊王卿璞马瑾宗福建肖洪地计峰
- 关键词：AFMXRD退火
- 退火温度对低温生长Mg_xZn_(1-x)O薄膜光学性质的影响被引量：1
- 2006年
- 用射频磁控溅射法在80℃衬底温度下制备出MgxZn1-xO(x=0·16)薄膜,用X射线衍射(XRD)、光致发光(PL)和透射谱研究了退火温度对MgxZn1-xO薄膜结构和光学性质的影响.测量结果显示,MgxZn1-xO薄膜为单相六角纤锌矿结构,并且具有沿c轴的择优取向;随着退火温度的升高,(002)XRD峰强度、平均晶粒尺寸和紫外PL峰强度增大,(002)XRD峰半高宽(FWHM)减小.结果证明,用射频磁控溅射法通过适当控制退火温度可得到高质量MgxZn1-xO薄膜.
- 张锡健马洪磊王卿璞马瑾宗福建肖洪地计峰
- 关键词：射频磁控溅射退火
- ZnO-SnO_2透明导电膜的低温制备及性质被引量：18
- 2004年
- 在室温下 ,采用射频磁控溅射法在 70 5 9玻璃衬底上制备出 Zn O- Sn O2 透明导电薄膜 .制备的薄膜为非晶结构 ,并且薄膜的电阻率强烈地依赖于溅射气体中的氧分压 .薄膜的最小电阻率为 7.2 7× 10 - 3Ω· cm,载流子浓度为4 .3× 10 1 9cm- 3、霍尔迁移率为 2 0 .5 cm2 / (V· s) ,在可见光范围内的平均透过率达到了 90 % .
- 黄树来马瑾刘晓梅马洪磊孙征张德恒
- 关键词：透明导电膜射频磁控溅射
- 射频磁控溅射制备ZnO∶Ga透明导电膜及特性被引量：15
- 2005年
- 采用射频磁控溅射法在玻璃衬底上制备出高质量的镓掺杂氧化锌 (ZnO∶Ga)透明导电膜 ,并对薄膜的结构和光电特性以及制备参数对薄膜性能的影响进行了研究 .制备的ZnO∶Ga是具有六角纤锌矿结构的多晶薄膜 ,最佳择优取向为 (0 0 2 )方向 .薄膜的最低电阻率达到了 3 9× 10 -4Ω·cm ,方块电阻约为 4 6Ω/□ ,薄膜具有良好的附着性 ,在可见光区的平均透过率达到 90 %以上 .
- 余旭浒马瑾计峰王玉恒王翠英马洪磊
- 关键词：磁控溅射ZNO:GA光电特性
- 氮化锌粉末的结构和化学键状态
- 2006年
- 将Zn粉末置于流量为500ml/min的NH3气流中,在600℃氮化120min,制备出高质量的Zn3N2粉末。X射线衍射(XRD)表明Zn3N2粉末具有立方结构,其晶格常数为0.9788nm。扫描电子显微镜(SEM)和透射电子显微镜(TEM)观察发现Zn3N2粉末晶粒形状具有多样性。X射线光电子谱(XPS)表明Zn3N2的化学键状态与ZnO及金属Zn明显不同,表明N-Zn键的形成。用计算机模拟了Zn3N2晶体的立体结构,用高分辨电子显微镜(HRTEM)观察了Zn3N2粉末的内部结构,观察结果与Partin等提出的Zn3N2结构模型相符合。
- 宗福建马洪磊薛成山杜伟张锡建马瑾计峰肖洪地
- 退火温度对射频磁控溅射法生长的Mg0.16Zn0.84O薄膜性质的影响
- 采用射频磁控溅射的方法在硅衬底上生长出高质量的Mg0.16Zn0.84薄膜。用X射线(XRD)、原子力显微镜(AFM)分别研究了在200、400、600和800℃下空气中退火2h的Mg0.16Zn0.84O薄膜的结构、表...
- 张锡健马洪磊王卿璞马瑾宗福建肖洪地计峰
- 关键词：AFMXRD退火
- 文献传递
- 溅射法生长Mg_xZn_(1-x_O薄膜的结构和光学特性被引量：2
- 2005年
- 用射频磁控溅射法在不同衬底上制备出了MgxZn1-xO薄膜。X射线衍射(XRD)和原子力显微镜(AFM)研究结果表明,薄膜为六角纤锌矿结构,具有(002)方向择优取向;随氧分压增加,(002)衍射峰的角度变大,表征薄膜表面粗糙程度的方均根粗糙度减小。室温光致发光谱中有多个紫外及可见光致发光峰,其中344nm发光峰应来源于近带边发射。室温透射谱表明薄膜在可见光区具有极高的透过率,薄膜的吸收边位于340nm附近,进而估算出MgxZn1-xO薄膜的带隙宽度为3.59eV,与光致发光结果一致。
- 张锡健马洪磊王卿璞马瑾宗福建肖洪地计峰王翠英
- 关键词：射频磁控溅射光致发光
- 退火处理对SnO_2:Sb薄膜结构和光致发光性质的影响被引量：7
- 2005年
- 用射频磁控溅射法在玻璃衬底上制备出SnO2:Sb薄膜,研究了不同掺杂和退火对薄膜结构的影响。制备薄膜是具有纯氧化锡四方金红石结构的多晶膜薄,晶粒生长的择优取向为(110)。室温下光致发光测量首次观测到392nm附近存在紫外-紫光发射,并对SnO2:Sb的光致发光机制进行了探索性研究。
- 王玉恒马瑾计峰余旭浒马洪磊
- 关键词：射频磁控溅射法光致发光
- ZnO:Ga透明导电膜的低温制备及特性研究
- 采用射频磁控溅射法在玻璃衬底上低温制备出高质量的镓掺杂氧化锌(ZnO:Ga)透明导电膜,对薄膜的结构和光电特性以及制备参数对薄膜性能的影响进行了研究.制备的ZnO:Ga是具有六角纤锌矿结构的多晶薄膜,最佳择优取向为(00...
- 余旭浒马瑾计峰王玉恒宗福建张锡健程传福马洪磊
- 关键词：磁控溅射ZNO:GA光电特性
- 文献传递
