公共文化服务平台

共 8 条记录，以下是 1-8

全选清除导出

排序方式：

Characteristics of surface and interface for ITO/PTCDA/p-Si thin film device: 2006年; Interface characteristics possess very important influence on the performance of thin film devices.ITO/PTCDA/p-Si thin film device was set up with vacuum evaporation and sputter deposition method.The surface and interface electron states of ITO/PTCDA/p-Si were investigated by X-ray photoelectron spectroscopy (XPS) and argon ion beam etch techniques.Results indicate that at the interface of ITO/PTCDA/p-Si,not only ITO/PTCDA-Si but also PDCDA-Si can produce diffusion.Moreover,the XPS spectra of each atom appear chemical shifts,and the chemical shifts of C1s and O1s are more remarkable.; ZHENG Dai-shunZHANG XuQIAN Ke-yuan; 关键词：表面性质接口界面光电子

Alq_3/ITO结构的表面和界面电子状态的XPS研究被引量：5: 2001年; 用传统的真空蒸镀法制备了Ａｌｑ３／ＩＴＯ样品，并用Ｘ光电子能谱（ＸＰＳ）研究了Ａｌｑ３／ＩＴＯ紧密接触的表面和界面电子化学状态。对Ａｌｑ３／ＩＴＯ样品的表面分析表明，在ｌｑ３分子中，Ａｌ原子的束缚能（Ｅｂ）为７０．７ｅＶ和７５．１ｅＶ。分别对应于Ａｌ（０）和Ａｌ（Ⅲ）态，Ｃ原子的束缚能为２８５．８ｅＶ、２８６．３ｅＶ和２８６．８ｅＶ，分别对应于Ｃ－Ｃ、Ｃ－Ｏ和Ｃ－Ｎ键；Ｎ原子的主峰位于４０１．０ｅＶ，对应于Ｃ－Ｎ＝Ｃ键；而Ｏ原子主要与Ｈ原子成键，其束缚能为５３２．８ｅＶ。为了研究Ａｌｑ３／ＩＴＯ的界面电子状态，我们用氩离子束对样品表面进行了溅射剥蚀，当溅射时间分别为３０，３５，４５分钟时进行ＸＰＳ采谱分析。结果表明，随着氩离子束溅射时间增长，Ａｌ２ｐ、Ｃ１ｓ、Ｎ１ｓ、Ｏ１ｓ、Ｉｎ３ｄ５／２和Ｓｎ３ｄ５／２峰都向低束缚能方向有微小移动，且Ａｌ２ｐ、Ｃ１ｓ和Ｎ１ｓ峰变弱，这是受ＩＴＯ中扩散进入Ａｌｑ３层的Ｏ、Ｉｎ和Ｓｎ原子的影响所致。; 郑代顺李海蓉王延勇张福甲; 关键词：XPS 电致发光器件 8-羟基喹啉铝

ITO/PTCDA/p-Si薄膜器件的表面和界面特性研究被引量：3: 2006年; 界面态对于薄膜器件的性能具有非常重要的影响。有米用真空蒸发和溅射沉积的方法制备了ITO/PTCDA/p-Si薄膜器件,并采用X射线光电子能谱(XPS)和Ar+溅射技术对其表面和界面电子态进行了研究。结果表明,在ITO/PTCDA/p-Si薄膜器件的界面,不仅ITO与PTCDA薄膜之间存在扩散,PTCDA与Si衬底材料之间也存在扩散现象。此外,每种原子的XPS谱表现出一定的化学位移,并以C1s和O1s谱的化学位移最为显著。; 郑代顺张旭钱可元; 关键词：化学位移

有机电致发光材料8-羟基喹啉铝的结构表征被引量：31: 2003年; 叙述了制备高纯度有机电致发光材料 8 羟基喹啉铝 (Alq3 )的方法 ;通过X射线衍射谱、核磁共振谱、红外吸收光谱、质谱、X射线光电子发射谱及荧光光谱测试分析 ,对Alq3 的结构和特性进行了表征。标定了Alq3中喹啉环的存在 ;分析了Alq3 中各个H原子的归属、Alq3 分子内部金属离子和配位体之间的相互作用以及该螯合物的分子构型。进一步证实Alq3 分子中Al—O键为共价键而非离子键。通过X射线衍射谱分析了样品的化学成分 ;由X射线光电子发射谱分析了Alq3 分子中的电子状态和晶体特性。得到了Alq3 的荷质比为45 9 1以及由于金属Al本身的特性 ,使得在Alq3 中Alq+ 2 继续裂解为Alq+ 的几率很小。证实了Alq3 的荧光发射光谱位于 5 10nm处 (绿光范围 ) ,光激发位于喹啉环上而不是金属铝离子。与镓、铟螯合物相比 ,Alq3 中铝离子成键共价性弱 ,极化力较强。; 李海蓉张福甲郑代顺; 关键词：有机电致发光材料 8-羟基喹啉铝 ALQ3 有机电致发光器件

蓝色有机电致发光器件的研制: 2002年; 介绍了蓝色有机电致发光器件的研究现状、器件结构、工作原理 ,以及蓝色有机电致发光器件目前尚存在的一些问题 ,并为解决这些问题提供了思路 ,根据实验条件。; 郑代顺彭应全张福甲张旭; 关键词：有机电致发光器件半导体器件

有机/无机光电探测器的AFM和XPS分析被引量：10: 2003年; 采用真空蒸发沉积,在室温下制备了PTCDA/p-Si有机/无机异质结样品。对其表面用原子力显微镜(AFM)研究表明,PTCDA薄膜具有岛状形态结构。经X光电子能谱(XPS)分析表明,在PTCDA分子中,C原子有两种束缚能态,其结合能力分别为285.3eV和288.7eV;O原子与C原子相邻,一些O原子通过双键与C原子相结合,另外的O原子则通过单键与2个C原子相结合。经Ar+束溅射研究界面电子状态表明,随溅射时间增加,C1s和O1s峰逐渐减弱,而Si2p和Si2s峰渐渐增强。C1s和Si2p谱峰随着溅射时间的增加而逐渐向低束缚能力方向移动。由于荷电效应和碳硅氧烷(C-Si-O)及SiO2的存在,O1s谱峰随溅射时间的增加先向高束缚能方向移动,然后向低束缚能方向移动。; 何锡源张旭郑代顺郜朝阳张福甲; 关键词：PTCDA/P-SI 原子力显微镜 AFM X光电子能谱 XPS

CuPc/ITO结构的表面和界面电子态的XPS研究被引量：6: 2004年; 覆盖有Indium tin oxide(ITO)膜的透明导电玻璃广泛地用作有机发光器件 (OLEDs)的空穴注入电极 ,但是ITO膜的功函数通常与空穴传输材料的最高被占据分子轨道 (HOMO)不匹配。铜酞菁 (CuPc)作为缓冲层可以提高空穴从ITO向空穴传输材料的注入效率。对CuPc ITO样品的XPS表面分析表明 ,在CuPc分子中 ,铜原子显 +2价 ,通过配位键和氮原子相互作用。CuPc分子中有两类碳原子 :8个C原子与 2个N原子成键 ;其余 2 4个C原子具有芳香烃性质。N原子也处在两种化学环境中 :有 4个N原子只与 2个C原子形成CNC键 ;另外 4个N原子不仅与 2个C原子成键 ,还通过配位键与Cu原子成键。用氩离子束对样品表面进行了溅射剥蚀 ,当溅射时间分别为 2 ,5 ,10min时进行XPS采谱分析 ,结果表明 ,随着氩离子束溅射时间增长 ,C 1s,N 1s峰变弱 ,Cu 2p ,O 1s,In 3d,Sn 3d峰增强 ,C 1s,N 1s,O 1s,In 3d和Sn 3d峰都向高束缚能或低束缚能方向移动 ,但它们的情况却不相同。; 郜朝阳张旭郑代顺何锡源张福甲; 关键词：XPS 导电玻璃有机发光器件空穴电极

有机电致发光器件发光层中电场与载流子浓度分布的数值研究被引量：7: 2003年; 以陷阱电荷限制传导理论为基础 ,用数值方法研究了单层有机电致发光器件发光层中电势、电场和载流子密度的空间分布 .分析结果表明 ,电场强度在靠近两边电极的地方上升很快 ,而在中间区域几乎是线性地缓慢增大 .大部分载流子分布在靠近两个电极的地方 ,只有少量分布在中间区域 .在靠近注入电极的地方扩散电流大于漂移电流 ,而在其它区域漂移电流大于扩散电流 .; 彭应全张福甲李海蓉宋长安; 关键词：发光层有机电致发光电场分布载流子分布

全选清除导出

共1页<1>

国家自然科学基金(60076023)