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Eu^3＋，Li^＋共掺杂ZnO：Zn荧光粉的制备及发光性质被引量：7: 2008年; 在还原气氛下利用高温固相反应法制备了Eu3+,Li+共掺杂的ZnO:Zn荧光粉。在近紫外光激发基质条件下,该荧光粉材料具有强的来自Eu3+的4f组态内跃迁线状发射及来自基质缺陷相关的绿色可见宽带发射。测量了稳态光谱,漫反射及时间分辨光谱以研究该材料的发光性质及基质向稀土离子的能量传递过程。在还原气氛下因在导带下形成了一系列浅施主能级,暂时储存激发能,施主中心浓度增加使得基质向稀土离子的能量传递效率增强。通过与纯Eu2O3粉末的光谱对比分析,确定了在此材料体系中存在处于两种局域环境的Eu3+。由于在近紫外区的强且有效的吸收,此材料有望成为应用于近紫外激发发光二极管的新型荧光粉。; 陈力张家骅张霞骆永石吕少哲任新光王笑军; 关键词：稀土离子掺杂 ZNO 荧光粉

绿色长余辉材料MgAl2O4∶Mn2+的合成及其发光特性被引量：3: 2010年; 采用高温固相法在1350℃下合成了Mn^2＋掺杂的MgAl2O4发光材料,利用X射线衍射对所合成样品的结构进行了表征。用209nm的紫外灯照射样品后,观察到来自Mn^2＋的4T1-6A1跃迁的绿色长余辉发光。发光的激发光谱表明：Mn^2＋-3d组态内存在一系列强的激发峰,分别在279,361,386,427,451nm,同时还有209nm处的Mn-O电荷迁移带,激发该吸收带会产生很强的绿色余辉。测量了余辉的衰减曲线及热释光谱,分析了Mn^2＋掺杂浓度对样品余辉性质的影响,给出了余辉产生的可能模型。; 张燕钟瑞霞张霞任新光郝振东张家骅; 关键词：长余辉

Sr_3SiO_5∶Eu^(2+)和Sr_3SiO_5∶Eu^(2+),Dy^(3+)荧光粉的黄色长余辉性质(英文)被引量：10: 2008年; 用高温固相法制备了Sr3SiO5∶Eu2+和Sr3SiO5∶Eu2+,Dy3+荧光粉。在紫外光辐照后,Sr3SiO5∶Eu2+和Sr3SiO5∶Eu2+,Dy3+荧光粉具有明亮的黄色长余辉,源于Eu2+的4f65d-4f7的跃迁。紫外光激发停止后,Sr3SiO5∶Eu2+的余辉时间是4 h以上。余辉衰减曲线和热释光曲线说明了引入Dy3+离子可以产生大量的深陷阱和浅陷阱。产生的深陷阱使余辉时间延长到6 h以上。由热释发光曲线,根据热释光的通用级公式拟合了陷阱深度。Sr3SiO5∶Eu2+和Sr3SiO5∶Eu2+,Dy3+荧光粉是有应用前景的黄色长余辉材料。; 孙晓园张家骅张霞骆永石王笑军; 关键词：荧光粉余辉热释发光

CdxZn1-xO：Eu^3＋荧光粉的制备及其发光性质被引量：2: 2008年; 采用高温固相法在1100℃下合成了Eu3+掺杂的CdxZn1-xO发光材料。采用X射线衍射对所合成样品的结构进行了表征。分析了不同浓度Cd2+的掺杂对于样品发光及激发峰位置的影响。通过对荧光光谱的测试,表明Cd2+的引入使得体系的禁带宽度变窄,并且通过Cd2+掺杂浓度的变化,可以对样品的激发光谱峰值在380～410nm进行调制,样品的发光以520nm处的宽带发射为主,并没有明显的Eu3+的特征发射,表明基质与Eu3+之间的能量传递并不有效。在加入Li+作为电荷补偿剂之后,出现了来自Eu3+的特征发射,相应的发射光谱的发射主峰位于609nm。样品380～410nm的激发峰范围覆盖了紫外LED芯片的输出波长。因此,这种荧光粉是一种可能应用在白光LED上的红色荧光粉材料。; 楚广生张家骅陈力; 关键词：稀土白光LED 荧光粉

Sr2SiO4：Eu^2＋荧光粉的发光性质及在白光二极管中的应用被引量：14: 2008年; 用高温固相反应法制成了Sr2SiO4:xEu2+荧光粉。随着Eu2+掺杂浓度的增加,Sr2SiO4晶体结构从β相转换为α′相。Eu2+掺杂浓度小于等于0.5mol%时,Sr2SiO4:Eu2+为β相,大于等于2mol%时是α′相。β-Sr2SiO4:Eu2+的发光颜色为黄绿色,发射光谱由两个谱带组成,分别位于470nm,535nm处。α′-Sr2SiO4:Eu2+发光颜色为黄色,发射光谱由两个谱带组成,分别位于490nm,570nm处。这两个谱带具有不同的荧光寿命,归结为处于不同格位上Eu2+的发射。用近紫外芯片和这两种荧光粉制成了白光二极管。正向驱动电流为20mA时,用β-Sr2SiO4:0.0035Eu2+制成的白光LED色温为5562K;色坐标为x=0.32,y=0.40;显色指数为61;流明效率为15.7lm/W。用α′-Sr2SiO4:0.02Eu2+制成的白光LED色温为4707K;色坐标为x=0.36,y=0.37;显色指数为73;流明效率为6.7lm/W。; 孙晓园张家骅张霞骆永石; 关键词：光致发光荧光粉白光二极管

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国家高技术研究发展计划(2006AA03A138)