中国科学院科研项目(Y2005027)
- 作品数：5 被引量：14H指数：2
- 相关作者：封松林宋志棠梁爽刘波陈小刚更多>>
- 相关机构：中国科学院中国科学院研究生院更多>>
- 发文基金：上海市科学技术委员会资助项目中国科学院科研项目国家重点基础研究发展计划更多>>
- 相关领域：自动化与计算机技术电子电信机械工程一般工业技术更多>>
- 相变存储器器件单元测试系统被引量：8
- 2006年
- 通过计算机控制脉冲信号发生器和数字信号源等硬件设备,实现对硫系化合物随机存储器(C-RAM)器件性能的测试。该系统主要有电流与电压关系测试、电压与电流关系测试、电阻与所加的脉冲信号关系的测试和疲劳特性测试等模块组成。通过这些测试从而找出写脉冲信号与擦脉冲信号的高度和宽度的最佳参数、C-RAM器件的阈值电压、循环寿命等重要参数。此系统不仅为研究C-RAM器件的速度、功耗、可靠性等提供了一个途径,又为C-RAM的工艺和结构参数的研究提供了试验平台。
- 梁爽宋志棠刘波陈小刚封松林
- 关键词：远程控制测试系统相变
- 锗纳米晶浮栅存储器的电荷存储特性
- 2007年
- Ge纳米晶嵌入高k介质中既可以提高器件的可靠性又可以降低写入电压和提高存储速度。本实验主要研究了用于非挥发存储器的含有Ge纳米晶MIS结构的电荷存储特性。MIS结构由电子束蒸发的方法制备,包括Al2O3控制栅,Al2O3中Ge纳米晶和Al2O3隧道氧化层。这种MIS结构在1MHz下的C-V特性表现出良好的电学性能,平带电压漂移为0.96V,电荷存储密度达到4.17×1012cm-2。不同频率下Ge纳米晶在Al2O3介质中电荷存储特性随着频率的增加,平带电压的漂移和存储的电荷数减小。随着扫描速率的增加,平带电压的漂移和存储电荷也减小。
- 刘奇斌宋志棠吴良才封松林
- ULSI化学机械抛光(CMP)材料去除机制模型被引量：5
- 2006年
- CMP已成为IC制造中的关键工艺之一,相关机制模型的研究是当前CMP的热点。综述了考虑抛光液的流动、抛光垫的弹性和硬度、研磨颗粒的大小和硬度等不同因素的机制模型,并对基于不同假设的模型作了分析和比较。最后对CMP模型未来的发展和研究方向提出了展望。
- 钟旻张楷亮宋志棠封松林
- 关键词：化学机械抛光平坦化集成电路
- 相变存储器单元阵列的自动化演示系统
- 2007年
- 计算机通过GPIB卡和串口分别控制脉冲信号发生器和单片机实现对C-RAM(Chalcogenide-Random Access Memory)存储阵列芯片的数据存储、数据读取和简单的数据运算的直观演示。本文重点介绍了其硬件构成、软件实现。
- 梁爽宋志棠刘波封松林
- 关键词：GPIB
- 相变存储器测试系统中的脉冲信号的改善被引量：1
- 2007年
- 相变存储器测试系统由于PCI控制卡中的总线信号之间的串扰,严重影响了施加在器件单元上的波形;以保证对C-RAM(Chalcogenide-Random Access Memory)进行非晶化操作时脉冲信号下降沿的速度和整个信号的完整性,针对以上问题分别从串口与单片机通信控制继电器和利用PCI控制卡控制继电器两个方面提出了解决方案,并进行了相应的硬件电路和软件设计;结果发现非晶化操作时脉冲信号下降速度加快,并且消除了信号的失真;改善后的测试系统对器件一致性的参数的提取发挥了重要作用,为芯片的电路设计奠定了基础。
- 梁爽宋志棠刘波陈小刚封松林
- 关键词：相变存储器测试系统PCI控制卡
