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实际纳米MOSFET电流噪声及其相关特性分析被引量：2: 2014年; 实际纳米MOSFET电流噪声为散粒噪声和热噪声,且散粒噪声受到费米作用和库仑作用的抑制.而现有文献研究实际纳米MOSFET电流噪声时,采取了完全不考虑其散粒噪声的抑制,或者只是强调抑制的存在而并未给出具体的抑制分析.本文基于Navid模型推导了实际纳米MOSFET电流噪声,并考虑费米作用和库仑作用对散粒噪声的抑制.在此基础上,对电流噪声随沟道长度、温度、源漏电压和栅极电压的变化特性进行了分析,其变化规律与文献中已有的实验和理论变化相一致.沟道长度越短,温度越低,源漏电压越大和栅极电压越低,电流噪声主要以散粒噪声为主.; 贾晓菲何亮; 关键词：纳米MOSFET 散粒噪声

金属互连电迁移噪声的非高斯性模型研究: 2012年; 根据电子散射理论,多晶互连中,电阻主要起源于晶界处空位与空洞对电子的散射作用.通过引入自由体积的概念,模拟了晶界处电子的散射过程,建立了基于自由体积的噪声非高斯性表征模型.该模型表明,电迁移前期的噪声信号以高斯噪声为主,随电迁移过程将发生噪声信号从高斯性向非高斯性的突变,表明噪声产生机制发生了转变,并通过双相干系数对信号的非高斯性进行了定量表征.最终,通过实验初步证明了理论结果的正确性.; 何亮杜磊黄晓君陈华陈文豪孙鹏韩亮; 关键词：电迁移噪声

基于Monte Carlo模拟的实际纳米MOSFET散粒噪声抑制研究被引量：2: 2013年; 实验测量和理论结果均表明,随着MOS器件尺寸缩小到纳米尺度,其过剩噪声的主要成分将从以热噪声为主转变为以散粒噪声为主,且散粒噪声受费米抑制作用和库仑抑制作用.而目前对纳米MOSFET散粒噪声抑制的研究时,采取了完全不考虑其抑制,或者只是强调抑制的存在而并未给出具体的抑制分析.本文将采用蒙特卡罗(Monte Carlo)模拟方法对实际纳米MOSFET电流噪声进行数值模拟研究,并考虑费米作用和库仑作用对散粒噪声的抑制影响,分别得到费米抑制因子和费米与库仑共同作用时的抑制因子.在此基础上,重点考察栅极电压、源漏电压、温度和掺杂浓度对散粒噪声抑制的影响及其关系的理论分析,得到的模拟结果与文献给出的实验结果和介观理论结果相吻合.; 贾晓菲何亮; 关键词：MONTE CARLO模拟纳米MOSFET

Analytical Characterization on Pulse Propagation in a Semiconductor Optical Amplifier Based on Homotopy Analysis Method: 2018年; Starting from the basic equations describing the evolution of the carriers and photons inside a semiconductor optical amplifier （SOA）, the equation governing pulse propagation in the SOA is derived. By employing homotopy analysis method （HAM）, a series solution for the output pulse by the SOA is obtained, which can effectively characterize the temporal features of the nonlinear process during the pulse propagation inside the SOA. Moreover, the analytical solution is compared with numerical simulations with a good agreement. The theoretical results will benefit the future analysis of other problems related to the pulse propagation in the SOA.; Xiaofei JIA

金属-氧化物-半导体场效应管辐射效应模型研究: 2012年; 基于氧化层陷阱电荷以及界面陷阱电荷的产生动力学以及辐射应力损伤的微观机理,推导出了金属-氧化物-半导体场效应管(MOSFET)中辐射应力引起的氧化层陷阱电荷、界面陷阱电荷导致的阈值电压漂移量与辐射剂量之间定量关系的模型.根据模型可以得到:低剂量情况下,氧化层陷阱电荷与界面陷阱电荷导致的阈值电压漂移量与辐射剂量成正比;高剂量情况下,氧化层陷阱电荷导致的阈值电压漂移量发生饱和,其峰值与辐射剂量无关,界面陷阱电荷导致的阈值电压漂移量与辐射剂量呈指数关系.另外,模型还表明氧化层陷阱电荷与界面陷阱电荷在不同的辐射剂量点开始产生饱和现象,其中界面陷阱电荷先于氧化层陷阱电荷产生饱和现象.最后,用实验验证了该模型的正确性.该模型可以较为准确地预测辐射应力作用下MOSFET的退化情况.; 孙鹏杜磊陈文豪何亮张晓芳; 关键词：氧化层陷阱

基于1/f噪声变化的pn结二极管辐射效应退化机理研究被引量：3: 2012年; 基于pn结二极管辐射效应退化机理中位移效应和电离效应之间的关系,并结合pn结二极管辐射退化的噪声机理,得到了pn结二极管辐射诱导低频噪声的变化规律,发现两种效应引起的二极管噪声变化规律之间的不一致性.根据实验得到的噪声变化规律,判断出了辐射应力条件下两种效应之间的关系,很好地解释了实验中出现的不符合原有理论解释的现象,对器件加固的研究有着重要意义.; 孙鹏杜磊何亮陈文豪刘玉栋赵瑛; 关键词：PN结辐照损伤

基于电噪声的太阳电池质量评价技术被引量：1: 2013年; 以太阳电池噪声无损表征与评价技术为研究对象,通过应力老化与噪声测试实验,对太阳电池中的1/f噪声、g-r(产生-复合)噪声和微等离子体噪声特性进行研究。研究结果表明:噪声与太阳电池中的缺陷存在关联,根据噪声产生机理与光伏器件失效物理,可实现噪声对不同部位、不同类型缺陷的表征,进而完成对太阳电池的质量评价与可靠性预计。; 何亮张雪; 关键词：太阳电池噪声

基于纳米MOSFET噪声的背散射系数研究被引量：1: 2014年; 传统噪声理论提取背散射系数时,引入的参量较多并依赖量子力学计算,或是采取大量的假设而使得到的结论存在偏差.本文将基于Navid模型推导MOSFET噪声的背散射系数,进一步得到了短沟道器件在线性区和饱和区的背散射系数,并给出测量背散射系数的方法.在此基础上,对背散射系数随沟道长度、偏置电压和温度的变化特性进行分析,除此之外,用实验和Monte Carlo模拟验证了背散射系数与偏置电压特性,该方法得到的背散射系数与各参量的变化特性与文献给出的结果相吻合.; 贾晓菲何亮; 关键词：纳米MOSFET 散粒噪声

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国家自然科学基金(61106062)