国家自然科学基金(61106044)
- 作品数：2 被引量：5H指数：2
- 相关作者：姚真瑜吕雪芹张保平张江勇王宇更多>>
- 相关机构：厦门大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金福建省自然科学基金中央高校基本科研业务费专项资金更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- GaN基光栅外腔半导体激光器研究进展被引量：3
- 2013年
- 介绍了光栅外腔半导体激光器应用外部光栅实现选模和线宽压窄的基本原理,以及Littrow和Littman两种典型外腔结构和主要组成光学元件,讨论了主要性能表征参数包括调谐范围、激射线宽和边模抑制比等,分析了其关于稳定性的主要技术难点。在此基础上,详细综述了GaN基光栅外腔半导体激光器的国内外研究进展,主要集中在线宽、无跳模调谐范围和功率三个性能指标的优化上,特别提及了厦门大学研究小组的工作进展。最后讨论了其在高精度光谱测试、气体探测和大容量全息数据存储中的应用,并且列举了铟原子的光谱测试和NO气体探测。
- 姚真瑜吕雪芹张保平
- 关键词：光栅外腔半导体激光器窄线宽气体探测全息数据存储
- InGaN／GaN多量子阱太阳电池的研制及特性研究被引量：2
- 2014年
- 利用金属有机物化学气相沉积技术在蓝宝石衬底上生长了InGaN/GaN多量子阱外延结构,高分辨率X射线衍射测量结果显示,量子阱结构界面清晰,周期重复性很好,InGaN阱层的In组分约为0.2。利用该外延结构制备的InGaN/GaN多量子阱太阳电池的开路电压为2.16V,转换效率达到了0.64%。器件的I-V测量结果显示,在光照条件下,曲线的正向区域存在一明显的"拐点"。随着聚光度的减小,I-V曲线的"拐点"逐渐向高电压区域移动,同时器件的开路电压也随之急剧下降。通过与理论计算对比,发现器件开路电压的下降幅度明显大于理论计算值。进一步分析表明,InGaN量子阱的极化效应不仅是I-V曲线产生拐点以及器件开路电压下降过快的主要原因,也是影响氮化物太阳电池性能的关键因素之一。
- 王宇张江勇余健应磊莹张保平
- 关键词：INGAN/GAN多量子阱极化效应太阳电池
