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超高速专用集成电路重点实验室基金(514320104Jw1401)
作品数:
1
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王伟
田国平
郭维廉
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2008
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RTD/HEMT单片集成中RTD直流参数与材料结构的关系
被引量:1
2008年
为了研究器件参数与材料结构的关系,设计了三种不同的GaAs基RTD材料结构。通过完全相同的器件制造工艺,研制出三种RTD器件,并测量了它们的9个直流参数。对测量结果进行了对比和分析。最后针对RTD与HEMT集成时,如何处理RTD与HEMT间的电流匹配问题提出了建议。
郭维廉
牛萍娟
苗长云
于欣
王伟
商跃辉
冯震
田国平
关键词:
共振隧穿二极管
材料结构
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