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甘肃省自然科学基金(ZS031-A25-012-G)

作品数:8 被引量:31H指数:3
相关作者:张福甲桂文明欧谷平宋珍李东仓更多>>
相关机构:兰州大学北京机械工业学校更多>>
发文基金:国家自然科学基金甘肃省自然科学基金更多>>
相关领域:电子电信理学更多>>

文献类型

  • 8篇中文期刊文章

领域

  • 8篇电子电信
  • 2篇理学

主题

  • 3篇电子能
  • 3篇电子能谱
  • 3篇光电子能谱
  • 3篇发光
  • 3篇XPS分析
  • 3篇AFM
  • 2篇原子力显微镜
  • 2篇XPS
  • 2篇X射线
  • 2篇X射线光电子...
  • 1篇电参数
  • 1篇电流-电压特...
  • 1篇电压特性
  • 1篇电致发光
  • 1篇电致发光光谱
  • 1篇英文
  • 1篇三苯
  • 1篇树脂
  • 1篇探测器
  • 1篇晶体管

机构

  • 8篇兰州大学
  • 6篇北京机械工业...

作者

  • 8篇张福甲
  • 6篇桂文明
  • 6篇宋珍
  • 6篇欧谷平
  • 2篇徐勇
  • 2篇李东仓
  • 1篇齐丙丽
  • 1篇胡加兴
  • 1篇陈金伙
  • 1篇王方聪
  • 1篇王鹏
  • 1篇戴志平

传媒

  • 2篇功能材料与器...
  • 1篇光电子.激光
  • 1篇Journa...
  • 1篇兰州大学学报...
  • 1篇光谱学与光谱...
  • 1篇光电工程
  • 1篇光子技术

年份

  • 4篇2006
  • 3篇2005
  • 1篇2004
8 条 记 录,以下是 1-8
排序方式:
PTCDA/ITO表面和界面的X射线光电子能谱分析被引量:6
2006年
利用X射线光电子能谱对PTCDA/p-Si有机/无机光电探测器中PTCDA/ITO表面和界面进行了测试分析。结果表明,环上的C原子的结合能为284.6 eV,酸酐中的C原子的结合能为288.7 eV,并存在来源于ITO膜中的氧对C原子的氧化现象,界面处C(1s)谱中较高结合能峰消失,且峰值向低结合能发生化学位移;C O键中O原子的结合能为531.5 eV,C—O—C键中的O原子的结合能为533.4 eV。
欧谷平宋珍桂文明张福甲
OLEDs中CuPc缓冲层作用的AFM与XPS研究被引量:2
2006年
利用AFM对CuPc/ITO样品表面进行扫描,发现其生长较均匀,基本上覆盖了ITO表面的缺陷,且针孔较少。通过样品表面和界面的XPS谱图分析,进一步证实了这一结果,同时发现,CuPc可以抑制ITO中的化学组分向空穴传输层的扩散。有利于器件的性能的改善和寿命的提高。
欧谷平宋珍桂文明齐丙丽王方聪张福甲
CuPc作蓝色OLED的缓冲层对器件性能影响的研究被引量:4
2005年
本文对以LiBq4作为发光层,PVK:TPD作为空穴输运层,结构为:ITO/PVK:TPD/LiBq4/Alq3/Al的蓝色有机电致发光器件,在相同工艺条件下引入和不引入CuPc缓冲层,进行了实验研究。结果表明:由于CuPc缓冲层的引入,使蓝色OLED的电流随电压的增大较未加CuPc的OLED相对缓慢;且启亮电压上升,发光亮度和效率下降。这主要是因为CuPc加入后,空穴注入势垒降低,使PVK:TPD/LiBq4界面空穴积累数量增大,产生的反向漂移电场阻碍了空穴多数载流子的注入;并进而致使发光层注入空穴数量减小,内建电场加强,激子形成几率变小,解离几率增大。
欧谷平宋珍桂文明张福甲
关键词:电流-电压特性发光效率OLED
PTCDA/ITO表面和界面的AFM和XPS分析(英文)
2006年
利用X射线光电子能谱(XPS)对菲四甲酸二酐[3,4,9,10-perylenetetracarboxylic dianhydride(PTCDA)]/铟锡氧化物(ITO)表面和界面进行了研究.用原子力显微镜(AFM)对PTCDA/ITO样品的表面形貌进行了分析.XPS表明,在原始表面的Cls精细谱存在两个主谱峰和一个伴峰,主谱峰分别由结合能为284.6eV的茈环中的C原子和结合能为288.7eV的酸酐基团中的C原子激发;而结合能为290.4eV的伴峰的存在,说明发生了来源于ITO膜中的氧对C原子的氧化现象.O原子在C—O键和C-O-C键的结合能分别为531,5和533.4eV.在界面处,Cls谱中较高结合能峰消失,且峰值向低结合能方向发生0.2eV的化学位移;01s谱向低结合能方向发生1.5eV的化学位移.由此可以推断,在界面处PTCDA与ITO的结合是PTCDA中的菲环与ITO中的In空位的结合.AFM的结果显示,PTCDA薄膜为岛状结构,岛的直径约为100~300nm,表面起伏约为14nm.相邻两层PTC—DA分子由于存在离域大π键而交叠和PTCDA分子中的菲环与ITO的In空位的紧密结合是最终导致PTCDA岛状结构形成的原因.
欧谷平宋珍桂文明张福甲
关键词:原子力显微镜X射线光电子能谱PTCDA
并三苯场效应晶体管的研制被引量:2
2006年
采用有机半导体材料并三苯作为有源层,环氧树脂作为绝缘介质,通过旋涂和真空掩蔽蒸发的方法,成功研制出了倒转结构的有机场效应晶体管。经测试器件的电子迁移率为5.76×10-2cm2/V.s,跨导为0.96μS。显示出该器件具有良好的输出特性曲线。
李东仓王鹏陈金伙胡加兴张福甲
关键词:环氧树脂场效应晶体管
TPD/Alq_3发光特性及其界面状态的XPS分析被引量:2
2005年
对结构为ITO/TPD/Alq3/Al的有机电致发光器件电致发光光谱分析,发现与Alq3的荧光峰相 比发生了约5 nm红移,从而推断是由于TPD/Alq3界面处形成的激基复合物发光所致.通过X射线光 电子能谱(XPS)分析,发现了器件的激基复合物起源于Alq3分子和TPD分子的相互作用.
欧谷平宋珍徐勇张福甲
关键词:激基复合物电致发光光谱红移
新型PTCDA/p-Si光电探测器被引量:13
2005年
研制成功的PTCDA/p-Si新型光电探测器与型号为PHD714的PIN光电二极管的电参数进行了测试对比.结果表明,两者的光谱响应范围均为450~1 100 nm,峰值波长为930 nm,对光的响应速度均小于10-9 s;在1 000 Lx及1.5 V电压作用下,前者的光电流普遍大于100 μA,后者光电流小于100 μA,前者经高温(120 ℃)48 h及低温(-80 ℃)12 h 2次循环实验后测得其电参数稳定.表明,这种新型有机/无机光电探测器具有更优良的光敏性及可靠性.
张福甲李东仓桂文明戴志平
关键词:光电探测器电参数
LiBq_4/ITO和LiBq_4/CuPc/ITO表面的AFM与XPS分析被引量:2
2004年
用 AFM 对蓝色 OLED 的空穴传输层 LiBq4/ITO 和 LiBq4/CuPc/ITO 表面扫描。结果均呈岛状结构。LiBq4沉积在 ITO 上成膜较差,在 CuPc 上成膜较好。说明加入 CuPc 能有效改善 LiBq4的成膜质量。XPS 对样品表面 In3d 和 Sn3d 的电子状态分析也证实 ITO 表面沉积 LiBq4膜存在裂缝,加入 CuPc 可抑制裂缝出现。分析指出,CuPc 由于 Cu(II)离子半满的 dx2-y2轨道在卟啉环平面内和氮强烈作用形成离域大π键,使 LiBq4的沉积状态改善。
欧谷平宋珍桂文明徐勇张福甲
关键词:发光材料
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