国家科技重大专项(2011ZX01006-001)
- 作品数：4 被引量：1H指数：1
- 相关作者：孙聂枫李晓岚李玉茹邵会民黄清芳更多>>
- 相关机构：专用集成电路与系统国家重点实验室中国电子科技集团第十三研究所天津电子信息职业技术学院更多>>
- 发文基金：国家科技重大专项国家自然科学基金国家杰出青年科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学冶金工程更多>>
- 基于原位合成法的InP单晶炉合成装置设计
- 2014年
- 基于磷蒸气注入原位合成技术及液封直拉磷化铟(InP)单晶的原理,设计了CZ-50型InP单晶炉。介绍了该单晶炉的主体结构,特别是原位合成装置的结构。该装置不仅可以实现磷蒸气注入法原位合成InP多晶材料,并且根据InP材料合成及单晶生长的特殊性,对该装置进行了结构创新设计:在炉盖上设计并安装了一套可升降的热偶测温装置,实现了在生产过程中,对坩埚内熔体温度进行在线测量;通过在炉体内部加设观察窗遮挡装置及对观察窗进行加热的方法,解决了长期以来InP材料合成及单晶生长过程中由于磷的挥发特性所导致的观察窗污染问题。
- 梁仁和金艳周世增孙聂枫
- 关键词：单晶炉原位合成
- 富铟熔体生长InP晶体中的微观缺陷
- 2014年
- 通过原位磷注入液封直拉(LEC)法在富铟熔体中生长了<100>方向的磷化铟单晶,并研究了晶体内缺陷形态及形成机制。在富铟熔体中生长的磷化铟晶锭中发现,多种形态富铟夹杂物镶嵌在磷化铟基体中。在晶片的抛光过程中,由于局部受力不均匀导致富铟夹杂周围的晶体出现裂纹。通过研究发现,除了磷化铟晶体的各向异性外,局部的冷却条件也控制着晶体凝固过程,进而控制着富铟夹杂物的形态。由于磷化铟基体与富铟夹杂物的热膨胀系数不同,在富铟多面体夹杂物产生了很大的应力,进而导致富铟夹杂物附近出现了位错聚集现象。经讨论给出了这些夹杂物的形成机制及其对晶体质量的影响。
- 冯丰王书杰王阳
- 关键词：单晶生长熔体
- HP-LEC法InP单晶生长的引晶、放肩过程研究被引量：1
- 2013年
- 摘要：利用自制高压单晶炉内采用高压液封直拉技术（HP—LEC）研究了〈100〉InP晶体生长过程中引晶和放肩阶段的控制等因素对单晶生长的影响。采用平放肩工艺进行了3～4英寸（1英寸=2．54cm）InP单晶的生长。通过多次实验，可重复生长出直径80～110mm、长62～112mm的3～4英寸InP单晶锭。介绍了平放肩工艺技术特点和应用效果。经过统计和分析，认为InP晶体生长中放肩阶段的孪晶产生由多种因素造成，不存在所谓的“临界放肩角”。通过热场调整和工艺控制，可以用较低的提拉速度在较短时间内生长出3～4英寸头部；通过等径控制，可以生长出无孪晶或挛晶较少的高质量InP单晶。
- 李玉茹黄清芳李晓岚邵会民史艳磊孙聂枫
- 关键词：INP单晶孪晶
- InP晶片位错密度的测量与分析
- 2013年
- 采用湿法腐蚀方法研究了HCl,H3PO4和HBr等不同腐蚀液在显示<100>InP晶片位错中的作用,及腐蚀温度、腐蚀时间、光照条件等因素对腐蚀速率和腐蚀效果的影响,最后统计3英寸(1英寸=2.54 cm)<100>InP晶片位错密度分布,分析其位错产生原因。经过实验表明,单一的HCl或H3PO4腐蚀剂无法显示出<100>InP晶片的位错坑,而单一的HBr能够很好地显示出四方形的位错坑。在<100>InP晶片的混合位错腐蚀液中,HBr占主导作用,HCl及H3PO4起辅助作用。在腐蚀过程中提供光照或者提高腐蚀温度都可以明显提高腐蚀速率。在光照条件下,半导体会激发出空穴-电子对,在半导体表面增加载流子可以有效提高反应速率,从而提高腐蚀速率。化学反应速率常数k随温度升高呈指数升高,所以提高腐蚀温度可以有效提高腐蚀速率。InP晶片位错主要是由晶体内部热应力引起的。
- 李岚黄清芳刘志国杨瑞霞李晓岚孙聂枫
- 关键词：磷化铟湿法腐蚀腐蚀速率
