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国家自然科学基金(10175040)

作品数：12 被引量：36H指数：4
相关作者：桑文斌闵嘉华李万万张斌王昆黍更多>>
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相关领域：电子电信核科学技术理学金属学及工艺更多>>

文献类型

  • 12篇中文期刊文章

领域

  • 6篇电子电信
  • 3篇核科学技术
  • 1篇金属学及工艺
  • 1篇一般工业技术
  • 1篇理学

主题

  • 9篇CDZNTE
  • 6篇晶体
  • 6篇CDZNTE...
  • 4篇有限元
  • 3篇探测器
  • 3篇漏电
  • 3篇漏电流
  • 2篇钝化
  • 2篇有限元法
  • 2篇有限元分析
  • 2篇Γ射线
  • 1篇钝化处理
  • 1篇性能研究
  • 1篇英文
  • 1篇优化设计
  • 1篇有限元模拟
  • 1篇有效扩散系数
  • 1篇射线
  • 1篇坩埚
  • 1篇碲锌镉

机构

  • 11篇上海大学

作者

  • 11篇桑文斌
  • 10篇闵嘉华
  • 9篇李万万
  • 6篇张斌
  • 4篇郁芳
  • 4篇王昆黍
  • 3篇曹泽淳
  • 3篇刘洪涛
  • 3篇金玮
  • 2篇张奇
  • 2篇詹峰
  • 2篇滕建勇
  • 2篇钱永彪
  • 1篇腾建勇
  • 1篇葛艳辉
  • 1篇张明龙
  • 1篇樊建荣
  • 1篇任少军
  • 1篇袁铮
  • 1篇夏军

传媒

  • 3篇稀有金属材料...
  • 3篇Journa...
  • 1篇高能物理与核...
  • 1篇无机材料学报
  • 1篇功能材料
  • 1篇功能材料与器...
  • 1篇半导体光电
  • 1篇Semico...

年份

  • 2篇2007
  • 1篇2006
  • 2篇2005
  • 5篇2004
  • 2篇2003
共 12 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
CdZnTe核辐射探测器表面物理和化学钝化研究被引量：1
2004年
　表面漏电流引起的噪声会限制CdZnTe(CZT)探测器的性能,尤其对于共面栅探测器,漏电噪声的大小与器件的电极设计和表面处理工艺密切相关。本文比较了探测器表面的物理和化学钝化工艺:采用H2O2溶液和KOH KCl溶液对CZT样品进行湿化学钝化处理,采用RFPCVD法在CZT样品表面沉积类金刚石薄膜(DLC)进行物理干法钝化。借助俄歇电子能谱(AES)和显微拉曼光谱以及ZC36微电流测试仪等手段研究了CZT表面组成与器件电学性能之间的关系。AES结果表明KOH KCl溶液钝化可以改善CZT样品表面的化学组分比,H2O2溶液钝化可以将表面富Te层转化为高阻氧化层,钝化前后的I V特性曲线表明两种化学钝化方法均可以有效地减小器件表面漏电流,达到满意的钝化效果。CZT样品表面物理钝化通过在样品表面沉积DLC薄膜加以实现,显微拉曼光谱表明CZT表面钝化层是高sp3含量的DLC薄膜,AES深度剖析表明DLC薄膜可以有效阻止CZT内部元素的外扩散,并且DLC薄膜内部C元素向CZT内部的扩散也是比较低的。DLC薄膜钝化后的CZT共面栅探测器表面栅距25μm的栅间电阻可以达到12GΩ,有效地降低了器件的表面漏电流。
金玮桑文斌李万万葛艳辉闵嘉华张明龙
关键词：CDZNTE核辐射探测器钝化类金刚石薄膜漏电流
低压布里奇曼法CdZnTe晶体生长及其热应力模拟被引量：4
2007年
采用有限元方法,对晶体结晶结束位置处的晶体内部热应力分布进行了数值模拟,结果表明:晶体在石英安瓿内壁附近,变径处以及头部尖端处的热应力较大,应力值约在108N/m2数量级,晶体中部热应力分布较小且比较均匀,约为107N/m2。为了防止晶体在生长过程中头部尖端处以及变径处的位错延伸至晶体内部,提出了在不同生长阶段采用不同下降速度,并且在晶体下降至变径处采用“回熔”操作的新工艺。实验结果表明:利用新工艺生长的晶体位错密度明显降低,约为2×102cm-2,同时显著地提高了晶体的利用率。
刘洪涛桑文斌袁铮闵嘉华詹峰
关键词：探测器
有限元模拟对CdZnTe共面栅探测器的优化设计被引量：4
2003年
利用有限元分析软件ANSYS,通过变化栅宽、沟宽及栅极位置等因素,模拟了共面栅探测器在不同的电极设计时的电势分布,并讨论了电极分布不对称时所产生的边缘效应对感应信号的影响,显示了具有优化设计的共面栅电极,可以进一步提高探测器的能量分辨率。
郁芳桑文斌李万万滕建勇
关键词：CDZNTE有限元分析
CdZnTe材料的表面钝化新工艺被引量：5
2005年
研究了一种新的钝化CdZnTe(CZT)器件表面的工艺,即先采用KOH KCl溶液对CZT表面进行处理,再用NH4F/H2O2溶液对其进行表面氧化的二步法钝化工艺.并借助俄歇电子能谱(AES)、微电流测试仪等手段对其表面钝化层的质量进行了鉴别,同时与KOH KCl和NH4F/H2O2两种工艺进行了比较.AES能谱分析表明,采用二步法工艺钝化,既可获得化学计量比较好的CZT表面,又可在表面形成一层起保护作用的氧化层.I V特性曲线显示,两步法钝化后CZT器件的漏电流与KOH KCl和NH4F/H2O2钝化相比都有一定程度的下降.说明文中提出的新工艺在CZT器件制备方面具有良好的应用前景.
王昆黍桑文斌闵嘉华腾建勇张奇夏军钱永彪
关键词：CDZNTE晶体表面钝化漏电流
热处理方法改善CdZnTe晶体性能研究(英文)被引量：3
2007年
对电阻率为10^3-6Ω·cm的In掺杂Cd0．9Zn0．1Te晶片在Te气氛和Cd／Zn平衡蒸汽压下进行了热处理，对电阻率为10^8-9Q·cm的非掺杂晶片则在In气氛和Cd／Zn平衡蒸汽压下进行了热处理。结果表明，In掺杂Cd0．9Zn0．1Te晶片经处理后电阻率可提高3个数量级。非掺杂晶片在In气氛中热处理可很容易地改变导电类型，在热处理温度700℃，In分压6．1×10^-4Pa，退火时间达48h后，电阻率可以提高到2．6×10^9Ω·cm。
闵嘉华桑文斌刘洪涛钱永彪滕建勇樊建荣李万万张斌金玮
关键词：CDZNTE
Cd在Cd_(0.9)Zn_(0.1)Te晶体中的有效扩散系数与扩散激活能
2006年
为了计算Cd在Cd0.9Zn0.1Te(CZT)晶体中的有效扩散系数DCd与扩散激活能QCd,利用Cd在CZT晶体中的扩散特性,设计了在不同Cd压下对CZT的退火实验,推导出了晶体电阻率与Cd有效扩散系数之间的函数关系,经过计算,首次获得了在1073K,973K和873K温度时Cd原子在CZT晶体中的有效扩散系数DCd,分别为1.464×10-10cm2/s,1.085×10-11cm2/s和4.167×10-13cm2/s。将扩散数据经过拟合后得到了Cd原子在CZT晶片中有效扩散系数的表达式:2.33×exp(–2.38eV/kT)(873K^1073K),其中扩散激活能QCd为2.38eV。
刘洪涛桑文斌李万万张斌闵嘉华詹峰曹泽淳
Parameter Optimization of CdZnTe Crystal Growth Simulated by Finite Element Method被引量：1
2005年
During the crystal grown by VBM, the solid/liquid interface configurations greatly influence the quality of as-grown crystals. In this paper, finite element method (FEM) was used to simulate the growth process of CdZnTe crystal. The effects of different crucible moving rates and temperature gradient of adiabatic zone on crystal growth rate and solid-liquid interface configuration were studied as well. Simulation results show that when crucible moves at the rate of about 1mm/h, which is nearly equal to crystal growth rate, nearly flat solid/liquid interface and little variation of axial temperature gradient near it can be attained, which are well consistent with the results of experiments. CdZnTe crystal with low dislocation density can be obtained by employing appropriate crucible moving rate during the crystal growth process.
MINJia-hua SANGWen-bing LIWan-wan LIUHong-tao YUFang WANGKun-shu CAOZe-chun
关键词：CDZNTE有限元分析
未掺杂CdZnTe与掺铟CdZnTe晶体的热处理被引量：1
2004年
对于未掺杂 Cd0 .9Zn0 .1 Te晶片 ,采用在 Cd/ Zn气氛下 ,以 In作为气相掺杂源进行热处理 ;而对于低阻In- Cd0 .9Zn0 .1 Te晶片 ,则采用在 Te气氛下进行热处理 .分别研究了不同的热处理条件 ,包括温度、时间、p In或 p Te等对晶片电学性能、红外透过率以及 Te夹杂 /沉淀相的影响 .结果表明 ,在 Cd/ Zn气氛下适当的掺 In热处理和在 Te气氛下适当的热处理均有效地提高了晶片的电阻率 ,分别达到 2 .3× 10 1 0 和 5 .7× 10 9Ω· cm。
张斌桑文斌李万万闵嘉华
关键词：CDZNTE
垂直布里奇曼法生长CdZnTe晶体时固液界面形状的控制被引量：4
2004年
采用有限元法对探测器材料 Cd Zn Te的晶体生长过程进行了热分析 ,研究了不同因素对生长过程中固液界面形状的影响 .模拟结果表明 ,当坩埚下降速度约为 1m m/ h时 ,可获得接近水平的固 -液界面 .晶体生长实验结果与计算机模拟的结论基本一致 .因此 ,通过适当选择和调节坩埚下降速度可获得高质量晶体 .
李万万桑文斌闵嘉华郁芳张斌王昆黍曹泽淳
关键词：CDZNTE有限元法
CdZnTe核探测器的蒙特卡罗模拟的初步研究被引量：11
2004年
以CdZnTe核探测器的工作原理为依据 ,探测器内反应的随机性和反应产生的电子空穴对数目的统计规律为物理模型 ,应用VisualC ++自行编制了蒙特卡罗模拟软件 .模拟了γ射线在CdZnTe探测器中的响应能谱 ,并将模拟结果与实际器件的测试结果进行了比较讨论 .模拟能谱与实际测得的能谱的主峰符合较好 .此外 ,通过分析57Co源辐照下探测效率与器件厚度的关系 。
任少军桑文斌金玮李万万张奇闵嘉华
关键词：蒙特卡罗模拟碲锌镉高能物理学Γ射线
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