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低温晶片键合技术及在通信光电子器件中的应用被引量：9: 2004年; 简单介绍了晶片键合的基本原理,指出了实现低温晶片键合的必要性;通过对比低温晶片键合技术的实现方式及其在通信光电子器件中的应用,指明表面改性是实现低温晶片键合的最有效手段。; 王琦黄辉王兴妍陈斌黄永清任晓敏; 关键词：晶片键合光电子器件通信

InP/GaAs键合热应力的有限元分析被引量：7: 2004年; 　用有限元方法结合ANSYS工具,研究了InP/GaAs键合在退火后的热应力分布图像。重点计算并详细讨论了对解键合有重要作用的界面上的剥离力和剪切力。最后分析了影响热应力大小的有关因素。数值分析结果与相关文献实验结果一致。; 陈斌周震黄永清任晓敏; 关键词：键合有限元方法热应力

新型长波长InP基谐振腔增强型光探测器被引量：4: 2004年; 介绍了一种新型长波长InP基谐振腔增强型(RCE)光探测器。通过V(FeCl3):V(H2O)溶液对InGaAs牺牲层的选择性湿法腐蚀,制备出具有InP/空气隙的高反射率分布布拉格反射镜(DBR),并将该选择性湿法腐蚀技术成功地应用到长波长InP基谐振腔增强型光探测器的制备中去,从而彻底解决了InP/InGaAsP高反射率分布布拉格反射镜难以外延生长的问题。所制备出的谐振腔增强型光探测器,其台面面积为50μm×50μm,底部反射镜为1.5对的InP/空气隙分布布拉格反射镜,顶部反射镜靠InGaAsP与空气的界面反射来实现。测试结果表明,该谐振腔增强型光探测器在波长1.510μm处获得了约59％的峰值量子效率,在3V反偏压下暗电流为2nA,3dB响应带宽达到8GHz。; 王琦黄辉王兴妍黄永清任晓敏; 关键词：光电子学谐振腔增强型光探测器空气隙

基于InP/空气隙DBR的长波长一镜斜置三镜腔型光电探测器: 2005年; 介绍了一种新型InP基长波长一镜斜置三镜腔型光电探测器,并利用传输矩阵方法对其进行数值模拟和理论分析。通过斜镜的引入,该探测器不仅消除了谐振腔增强型(RCE)光电探测器的量子效率与光谱响应线宽之间的制约关系,还能实现响应波长的大范围调谐。; 王琦黄成任爱光武鹏黄永清任晓敏; 关键词：光电探测器

基于InP/空气隙布拉格反射镜的长波长谐振腔光电探测器被引量：8: 2004年; 报道了一种长波长的 In P基谐振腔 (RCE)光电探测器 .采用选择性湿法刻蚀 ,制备出基于 In P/空气隙的分布布拉格反射镜 ,并将该结构的反射镜引入 RCE光电探测器 .制备的器件在波长 1.5 10 μm处获得了约 5 9%的峰值量子效率 ,以及 8GHz的 3d B响应带宽 ,其中器件的台面面积为 5 0 μm× 5 0 μm.; 黄辉王兴妍王琦黄永清任晓敏高俊华张胜利刘宇祝宁华马骁宇杨晓红吴荣汉; 关键词：谐振腔增强型光电探测器长波长空气隙选择性湿法刻蚀

HCl/HF/CrO_3溶液对InGaAs/InGaAsP的选择性湿法刻蚀——应用于楔形结构的制备被引量：1: 2005年; 利用动态掩膜湿法腐蚀技术,研究了HCl/HF/CrO3溶液对与InP衬底晶格匹配的InxGa1-xAs1-yPy(y=0,0.2,0.4,0.6)材料的腐蚀特性.对于HCl(36wt%)/HF(40wt%)/CrO3(10wt%)的体积比为x∶0.5∶1的溶液,随着x由0增加到1.25,相应的腐蚀液对In0.53Ga0.47As/In0.72Ga0.28As0.6P0.4的选择性由42.4降到1.4;通过调节腐蚀液的选择性,在In0.72Ga0.28As0.6P0.4外延层上制备出了倾角从1.35°到35.9°的各种楔形结构;当x为0.025和1.25时,相应的In0.72Ga0.28As0.6P0.4腐蚀表面的均方根粗糙度分别为1.1nm和1.6nm.还研究了溶液的组分与InxGa1-xAs1-yPy(y=0,0.2,0.4)的腐蚀速率间的关系,并对腐蚀机理进行了分析.; 黄辉王兴妍任晓敏王琦黄永清高俊华马晓宇; 关键词：刻蚀 INGAASP INGAAS

晶片键合技术及其在垂直腔型器件研制中的应用被引量：4: 2003年; 　叙述了晶片键合技术的发展概况、基本原理和基本方法,分析了实现长波长垂直腔型器件的难点。最后介绍了晶片键合技术在长波长垂直腔型器件研制中的应用。; 周震黄永清任晓敏; 关键词：晶片键合分布布拉格反射镜

冷光源检测晶片键合质量的实现被引量：1: 2005年; 利用红外透射原理,即根据键合晶片中键合部分可以透光而未键合部分几乎不能透光的原理,同时采用冷光源的独特方法构建了键合质量测试平台以用于初步筛选符合下一步工艺探索的高质量键合晶片。; 马如兵孙慧姝陈斌王琦黄辉黄永清任晓敏; 关键词：晶片键合冷光源

Ⅲ-Ⅴ族半导体晶片键合热应力分析被引量：6: 2005年; 利用结构力学模型并且结合有限元方法,分析了InP/GaAs晶片键合时界面热应力的分布情况,理论分析结果和有限元结果一致,实验也证实了分析结果。最后详细讨论了减小晶片键合热应力的有关因素,对在热处理时提高晶片的键合质量提供一定的理论参考。; 陈斌王兴妍黄辉黄永清任晓敏; 关键词：热应力剥离应力应变能晶片键合

用于光波分复用系统的高性能解复用接收器件被引量：2: 2004年; 对用于光波分复用(OWDM)系统的高性能解复用接收器件———高性能光探测器的研究作了介绍和分析。这类器件需要同时具备高速、高量子效率、超窄光谱响应线宽的性能。为适应OWDM网络的灵活性、智能化和系统集成化的需要,器件还需具备宽带可调谐的性能。这类器件主要有普通谐振腔增强型(RCE)光探测器、四镜三腔型RCE光探测器、一镜斜置三镜腔光探测器、外腔可调谐RCE光探测器、液晶可调谐RCE光探测器、微机械可调谐RCE光探测器及采用InP 空气隙反射镜的长波长RCE光探测器等器件。本文重点介绍了其中部分器件的研究。; 黄永清黄辉王兴妍王琦崇英哲任晓敏; 关键词：光纤通信光波分复用光探测器谐振腔增强型光探测器解复用

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