国家自然科学基金(60578012)
- 作品数：5 被引量：14H指数：3
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- 环形叉指电极型压电鼓膜驱动器的制备及其性能测试被引量：4
- 2013年
- 制备了一种基于Pb(Zr52Ti48)O3(PZT52)材料的自适应光学用压电驱动器。驱动器采用鼓膜结构,其工作区域由主动层—PZT52压电层和被动层—ZrO2/Si复合层两部分构成。PZT52压电层采用环形叉值电极(IDT)驱动。采用Si(100)单晶作为衬底,并采用溶胶-凝胶(Sol-gel)法在其上制备ZrO2阻挡层和PZT52压电层,其中引入PbTiO3(PT)种子层有利于PZT52膜层的(110)择优取向。随后在其上热蒸镀Al顶电极,并采用光刻方法制备图形,得到的IDT电极最大环形直径为10.5mm,电极间距为0.05mm,中心非激活区域直径为2mm。鼓膜结构则通过对Si衬底背部进行各向异性湿法刻蚀(ODE)得到,保留的支持层厚度为5～10μm,直径为12mm。测试结果表明,压电驱动器阵列单元在100kV/cm驱动下,可产生6.5μm左右的形变量。最后利用有限元分析方法(FEM)拟合了压电驱动器单元的面型,并分析了其形变模式产生的内部原因。
- 尹伊曹贵川祁康成叶辉詹文博
- 高择优取向铌酸锶钡薄膜的射频磁控溅射制备被引量：3
- 2008年
- 采用溶胶-凝胶法在(100)Si单晶上预先制备出掺钾(K)的铌酸锶钡(SBN)缓冲层,利用射频磁控溅射法在缓冲层KSBN上沉积出高择优取向的铌酸锶钡薄膜,获得了磁控溅射法制备择优取向铌酸锶钡薄膜的相关工艺参数,研究发现,KSBN缓冲层能够很有效地克服衬底与SBN薄膜之间较大的晶格失配,在氧气氩气的比例为1∶2,工作气压为1·0Pa,溅射功率300W,衬底温度300℃,退火温度为800℃的工艺条件下,能够获得c轴高度择优取向的铌酸锶钡铁电薄膜.利用X射线衍射仪,原子力显微镜等仪器分析了薄膜的微结构.通过研究SBN薄膜的电流-电压特性(I-V曲线),发现了类似于半导体p-n结的特性,且结效应的强弱与结晶性能的好坏和是否有缓冲层KSBN相关.
- 李跃甫叶辉傅兴海
- 关键词：磁控溅射
- 择优取向MgO在Si衬底上的直流溅射制备及其性能表征被引量：3
- 2009年
- 采用直流磁控溅射并通过优化工艺参数,在(100)Si衬底上成功制备了高度(100)择优的MgO薄膜和MgO/TiN双层膜结构.对(100)MgO择优取向温度影响机理做了详细讨论,并利用XRD,AFM,FESEM等手段研究了在(100)Si和(100)TiN/Si两种衬底上,不同工艺条件下MgO薄膜的表面和断面微观结构,表征了MgO薄膜的柱状生长结构和与TiN薄膜的良好外延关系.在对薄膜光学特性的研究中,利用Sellmeier模型获得了Si上MgO薄膜在可见光波段的折射率参数(550 nm处折射率为1.692),利用非均匀模型获得了TiN/Si衬底上的MgO薄膜在可见光波段的折射率参数(靠近空气层的薄膜在550nm处折射率为1.716).
- 傅兴海尹伊张磊叶辉
- 择优取向MgO缓冲层上制备的硅基Ba_(0.7)Sr_(0.3)TiO_3薄膜的结构和性能研究被引量：1
- 2009年
- 分别采用sol-gel法和磁控溅射法在Si(001)单晶衬底上制备出(111)和(001)取向的MgO缓冲层薄膜,随后在其上生长Ba0.7Sr0.3TiO3(BST30)铁电薄膜.通过X射线衍射,扫描电子显微镜,原子力显微镜等方法研究了薄膜的微结构.实验结果发现,在较厚的MgO(001)缓冲层上可长出(101)取向的BST30薄膜,而在较薄的MgO(111)缓冲层上则表现出(101)和(111)取向相互竞争的现象,随着MgO(111)缓冲层厚度的增加,BST30薄膜的(101)取向被抑制,而(001)取向逐渐增强.利用反射率测定仪、阻抗分析仪研究了BST30薄膜的光学和电学性能.通过改进的单纯形法拟合反射率曲线,得到了BST30及其MgO缓冲层薄膜的光学常数,由BST30薄膜的电压-电流特性(I-V曲线),发现MgO缓冲层对BST30薄膜的漏电流有明显的阻隔作用,可以有效消除BST30膜层的p-n结效应.
- 尹伊傅兴海张磊叶辉
- 关键词：铁电薄膜SOL-GEL
- 铁电钾钠铌酸锶钡薄膜电光性能的研究被引量：4
- 2006年
- 采用溶胶_凝胶法在氧化镁单晶衬底上制备了符合化学计量比的完全填充型铁电钾钠铌酸锶钡(KNSBN)薄膜,通过X射线衍射,摇摆曲线,X射线Φ扫描,扫描电子显微镜等方法研究了薄膜的微结构,采用Adachi法研究了薄膜的电光特性.实验发现,KNSBN薄膜在氧化镁(001)单晶衬底上沿c轴外延生长,K+,Na+的引入有效地提高了薄膜的横向电光系数r51.成分为K0.2Na0.2Sr0.24Ba0.56Nb2O6,K0.2Na0.2Sr0.6Ba0.2Nb2O6,K0.2Na0.2Sr0.72Ba0.08Nb2O6的三种KNSBN薄膜的r51值分别为108.52pm/V,119.98pm/V,126.96pm/V,r51的数值随Sr2+含量增加而增大.
- 康祥喆叶辉
- 关键词：钾钠铌酸锶钡
