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中国工程物理研究院科学技术发展基金(2005R0806)

作品数:1 被引量:8H指数:1
相关作者:刘卫华唐凯郎定木王庆富李科学更多>>
相关机构:表面物理与化学重点实验室更多>>
发文基金:中国工程物理研究院科学技术发展基金更多>>
相关领域:金属学及工艺更多>>

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇金属学及工艺

主题

  • 1篇电化学腐蚀
  • 1篇电化学腐蚀行...
  • 1篇镀层
  • 1篇贫铀
  • 1篇离子镀
  • 1篇化学腐蚀
  • 1篇
  • 1篇磁控溅射离子...

机构

  • 1篇表面物理与化...

作者

  • 1篇王晓红
  • 1篇刘清和
  • 1篇李科学
  • 1篇王庆富
  • 1篇郎定木
  • 1篇唐凯
  • 1篇刘卫华

传媒

  • 1篇稀有金属材料...

年份

  • 1篇2008
1 条 记 录,以下是 1-1
排序方式:
磁控溅射离子镀铌贫铀的电化学腐蚀行为被引量:8
2008年
利用电化学测试技术、扫描电镜(SEM)及X射线能谱(EDS)对磁控溅射离子镀铌贫铀的电化学腐蚀行为进行了研究。实验结果表明:在50μg/gCl-的KCl溶液中,铌的腐蚀电位远高于贫铀的腐蚀电位,铌镀层对贫铀是阴极性镀层,对贫铀的保护是基于其对腐蚀介质的物理屏障作用;镀铌贫铀的极化电阻和电化学阻抗幅值远大于贫铀,腐蚀电流远小于贫铀,铌镀层对贫铀具有良好的防腐蚀性能;镀铌贫铀的腐蚀特征为局部腐蚀,并由孔蚀向电偶腐蚀转变。
王庆富刘清和王晓红郎定木李科学唐凯刘卫华
关键词:贫铀磁控溅射离子镀电化学腐蚀
共1页<1>
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