河北省高等学校科学技术研究指导项目(ZD2010124)
- 作品数：2 被引量：3H指数：1
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- 相关机构：中国科学院河北工业大学更多>>
- 发文基金：河北省高等学校科学技术研究指导项目国家教育部博士点基金国家自然科学基金更多>>
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- 氮化镓材料中质子输运过程的模拟
- 2012年
- 对入射能量为50keV～3MeV的质子在氮化镓(GaN)材料中的输运过程进行了Monte-Carlo模拟,得到垂直入射质子在GaN材料中的输运情况、质子与晶格原子作用产生的空位分布特征。模拟结果表明:在厚度固定(3.5μm)的GaN材料中,当入射能量小于300keV时,质子束横向扩展明显,入射离子全部被阻止在材料中;随着入射能量增大,质子束横向扩展减弱,离子穿透几率增大,当能量大于500keV时,入射离子几乎全部从材料中穿出。
- 张明兰张晓倩杨瑞霞狄炤厅
- 关键词：GAN质子输运
- GaN厚膜中的质子辐照诱生缺陷研究被引量：3
- 2013年
- 本文采用正电子湮没谱研究质子辐照诱生缺陷,实验发现:能量为5MeV的质子辐照在GaN厚膜中主要产生的是Ga单空位,没有双空位或者空位团形成;在10K测试的低温光致发光谱中,带边峰出现了"蓝移",辐照后黄光带的发光强度减弱,说明黄光带的起源与Ga空位(VGa)之间不存在必然的联系,各激子发光峰位置没有改变,仅强度随质子注量发生变化;样品(0002)面双晶XRD扫描曲线的半峰宽在辐照后明显增大,说明质子辐照对晶格的周期性产生了影响,薄膜晶体质量下降.
- 张明兰杨瑞霞李卓昕曹兴忠王宝义王晓晖
- 关键词：GAN质子辐照
