国家自然科学基金(50672079)
- 作品数：4 被引量：2H指数：1
- 相关作者：陈松岩赖虹凯余金中李成林桂江更多>>
- 相关机构：厦门大学中国科学院更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划更多>>
- 相关领域：电子电信理学一般工业技术更多>>
- Si_(0.75)Ge_(0.25)虚衬底上应变补偿Si/Si_(0.62)Ge_(0.38)量子阱发光被引量：2
- 2009年
- 由于Si/SiGe异质结构的带阶差主要发生在价带,为实现高效率的发光,本文从理论上设计了在硅基Si1-xGex虚衬底上外延应变补偿的Si/S1-yGey(y>x)量子阱的能带结构,将量子阱对电子的限制势垒提高到100meV以上。在实验上,采用300℃生长的Ge量子点插入层,制备出薄的SiGe驰豫缓冲层(虚衬底),表面Ge组份达到0.25,表面粗糙度小于2nm,驰豫度接近100%。在我们制备的SiGe缓冲层上外延了应变补偿SiGe/Si多量子阱结构,并初步研究了其发光特性。
- 廖凌宏周志文李成陈松岩赖虹凯余金中王启明
- 关键词：光致发光谱
- 红外微腔探测器中金属支撑柱的制备工艺研究
- 2008年
- 基于一般正胶光刻工艺的剥离工艺，所需胶膜的厚度要大大超过剥离薄膜的厚度.这样在剥离线宽小、厚度大的微腔结构探测器的金属互连柱图形时就会存在光刻分辨率低、剥离难的问题.本文重点研究了基于AZ5214E光刻胶图像反转性能的剥离工艺，对图像反转光刻所特有的反转烘、掩模曝光、泛曝光工艺条件进行了详细的对比实验.结果表明：当反转烘温度为96-98℃，第一次掩模曝光时间和泛曝光时间分别为8.1 s、8.4 s时，可以得到较好的光刻图形.通过电子束蒸发Ti，成功剥离出高2.40μm、面积3.0μm×3.0μm的Ti微互连柱.此工艺的优点在于分辨率高，胶膜与剥离薄膜的厚度比接近1时，也能剥离出所要图形，可以用于制备MEMS微腔器件中的微互连柱.
- 何熙陈松岩方辉罗仲梓谷丹丹
- 氧化法制备SiGe弛豫缓冲层及其表征
- 制备低位错密度、表面平整、高 Ge 组分渐变的 SiGe 弛豫缓冲层具有重要的意义,它是实现 Ge 红外探测器、应变 Si-MOS 器件的基础。传统的 Ge 组分渐变缓冲层,需要很大的厚度才能实现较高 Ge 组分并将位错...
- 蔡坤煌张永李成赖虹凯陈松岩
- 关键词：SI/SIGE
- 文献传递
- P型张应变Si/SiGe量子阱红外探测器的能带设计
- 2008年
- 提出p型张应变Si/SiGe量子阱红外探测器(QWIP)结构,应用k.p方法计算应变Si/SiGe量子阱价带能带结构和应变SiGe合金空穴有效质量.结果表明量子阱中引入张应变使轻重空穴反转,基态为有效质量较小的轻空穴态,因此p型张应变Si/SiGe QWIP与n型QWIP相比具有更低的暗电流;而与p型压应变或无应变QWIP相比光吸收和载流子输运特性具有较好改善.在此基础上讨论了束缚态到准束缚态子带跃迁型张应变p-Si/SiGe QWIP的优化设计.
- 邓和清林桂江赖虹凯李成陈松岩余金中
- 关键词：红外探测器
- 不同发射极指数的SiGe HBT直流特性分析
- ＜正＞SiGe HBT 具有良好的频率特性和功率特性,已经在微波领域和无线通信中得到了广泛的应用。但是,在大功率应用中,HBT 器件由于承载较大的电流而引起发射极电流集边效应和自加热等效应, 通常将器件的发射极设计为义指...
- 张永徐剑芳陈荔群蔡坤煌李成赖虹凯陈松岩康俊勇成步文王启明
- 文献传递
- 太赫兹Si/SiGe量子级联激光器波导模拟(英文)
- 2008年
- 波导层结构设计是制备太赫兹(THz)量子级联激光器的关键问题之一.本文基于德鲁得( Drude)模型,利用时域有限差分(FDTD)法,对Si/Si Ge量子级联激光器的波导层进行优化设计,从理论上对传统的递变折射率波导、单面金属波导、双面金属波导以及金属/金属硅化物波导横磁模(TM模)的模式损耗和光场限制因子进行了对比分析.结果表明,金属/金属硅化物波导不但可以减小波导损耗,而且有很高的光学限制因子,同时其工艺也比双面金属波导容易实现,为Si/Si Ge太赫兹量子级联激光器波导层的设计提供了一定的理论指导.
- 陈锐林桂江陈松岩李成赖虹凯余金中
- 关键词：太赫兹SI/SIGE量子级联激光器波导
