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国家自然科学基金(50672073)

作品数:3 被引量:5H指数:2
相关作者:蒋仙高积强刘军林程基宽杨建峰更多>>
相关机构:西安交通大学更多>>
发文基金:国家自然科学基金西安交通大学博士学位论文基金更多>>
相关领域:电子电信一般工业技术更多>>

文献类型

  • 3篇中文期刊文章

领域

  • 2篇电子电信
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 2篇单晶
  • 2篇碳化硅
  • 2篇PVT
  • 1篇英文
  • 1篇碳化硅单晶
  • 1篇热应力
  • 1篇热应力分析
  • 1篇位错
  • 1篇晶体
  • 1篇晶体形态
  • 1篇硅单晶
  • 1篇SIC单晶
  • 1篇SIC晶体

机构

  • 3篇西安交通大学

作者

  • 2篇乔冠军
  • 2篇杨建峰
  • 2篇程基宽
  • 2篇刘军林
  • 2篇高积强
  • 2篇蒋仙
  • 1篇杨建锋
  • 1篇刘光亮
  • 1篇戴培赟
  • 1篇史永贵

传媒

  • 2篇稀有金属材料...
  • 1篇西安交通大学...

年份

  • 1篇2011
  • 2篇2007
3 条 记 录,以下是 1-3
排序方式:
6H-SiC单晶中的蜷线
2007年
用PVT法制备了6H-SiC。用光学显微镜观察了晶体生长面的原生形貌。讨论了6H-SiC中蜷线的形状及其形成机理。蜷线起源于螺旋位错,它们的形状则决定于这些位错的符号与相对位置。在(0001)Si面上,蜷线表现为圆形螺旋,而在(0001)C面上则表现为六角形螺旋。通常情况下,蜷线的极点没有任何包裹物。然而在某些情况下,蜷线的极点会出现包裹物,如夹杂、微管、孔洞或者负晶等。当(0001)Si面作为生长面时,6H-SiC单晶的生长机制符合螺旋位错模型(BCF理论模型)。
程基宽高积强刘军林蒋仙杨建峰乔冠军
关键词:碳化硅位错
附加碳源对SiC单晶生长过程的影响(英文)被引量:2
2007年
研究了用物理气相传输(PVT)法制备SiC单晶的过程中附加碳源对晶体生长速度及缺陷的影响,并将活性炭与SiC粉末一起加入到石墨坩埚中进行晶体生长。用XRD分别测定了晶体生长前后坩埚与活性炭的石墨化度,并用光学显微镜观察了晶体中的缺陷。结果表明,随晶体生长过程的进行石墨坩埚的活性降低,直接导致晶体生长速度减慢,并使籽晶表面Si液相形成的可能性增大,与Si液相相关的缺陷增多。活性炭的加入给生长过程提供了充足的碳源,提高了晶体的生长速度,并抑制了籽晶表面Si液相的形成,从而降低了与Si液相相关缺陷出现的几率。
程基宽高积强刘军林蒋仙杨建峰乔冠军
关键词:PVTSIC晶体
物理气相传输(PVT)法生长碳化硅的晶体形态热应力分析被引量:3
2011年
利用有限元方法对物理气相传输(PVT)法生长碳化硅晶体过程中出现的3种典型生长形态进行了热应力分析.结果表明:在3种晶体生长形态中,热应力最大值都出现在晶体与石墨坩埚盖接触区域;平面型生长形态中温度场及相应的热应变场和等效应力场分布均比较均匀;凸面型和凹面型生长形态的温度场及相应的热应变场和等效应力场分布均变化较大,而且在凸面型的中间区域和凹面型的边缘区域也存在较大的应力值.因此,为提高晶体质量,提出在石墨坩埚盖上沉积或反应生成碳化硅过渡层来减小热应力的改良方法,同时调整碳化硅晶体生长系统,尽量保证碳化硅晶体的平面型生长形态.
史永贵戴培赟杨建锋刘光亮
关键词:碳化硅单晶热应力
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