博士科研启动基金(2007BS009)
- 作品数：6 被引量：3H指数：1
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- 数字技术在纳米复合材料研究中的应用
- 2011年
- 纳米复合材料体系中是现代众多科学课题中热门的研究课题之一。随着数字技术的发展,对纳米复合材料的研究的方法也从与研究体材料同样的原始方法过度到了数字化时代。
- 程莉娜富笑男罗艳伟王信春
- 关键词：数字技术纳米复合材料
- 金／硅纳米孔柱阵列的场发射
- 2009年
- 利用浸渍技术在硅纳米孔柱阵列(silicon nanoporous pillar array(简称Si-NPA))上制备了复合纳米薄膜Au/Si-NPA。测试了其场发射性能。测试结果显示,Au/Si-NPA的开启电场为约2V/μm;在7.59V/μm的外加电场下,其发射电流密度为67μA/cm2;在外加电压2000V时,其电流浮动率为21%。导致Au/Si-NPA优良的发射性能是由于其独特的表面形貌和结构所致。
- 富笑男罗艳伟符建华李坤程莉娜李新建
- 关键词：场发射
- Au/Si-NPA复合纳米体系的SERS增强能力研究
- 2012年
- 利用具有准周期结构的硅纳米孔柱阵列(silicon nanoprous pillar array,Si-NPA)为衬底使用浸渍法制备优化Au/Si-NPA活性基底。并利用最优化制备的Au/Si-NPA活性基底对罗丹明6G(Rhoda-mine 6G,R6G)进行探测,研究其表面增强拉曼散射(surface enhanced Raman scattering,SERS)光谱并对其增强原理进行解释。
- 富笑男李坤
- 关键词：金纳米颗粒表面增强拉曼散射多孔硅硅纳米孔柱阵列
- 沉积时间对Au/Si-NPA电学特性的影响
- 2011年
- 采用浸渍法在硅纳米孔柱阵列(Silicon Nanoporous Pillar Array,Si-NPA)衬底上制得了一系列金/硅纳米孔柱阵列(Au/Si-NPA),不同Au/Si-NPA所用沉积时间不同。通过测试分析所制Au/Si-NPA的I-V特性曲线,研究了沉积时间对Au/Si-NPA电学特性的影响。结果表明:在沉积时间小于30 min时,Au/Si-NPA的正向电流随沉积时间的延长而减小;而当沉积时间超过30 min时,Au/Si-NPA的正向电流随沉积时间的延长而增大。这种电学特性变化主要是由Au/Si-NPA的表面形貌及成分出现变化引起的。
- 富笑男程莉娜罗艳伟刘琨王信春
- 关键词：整流特性
- 硅纳米孔柱阵列的场致电子发射被引量：1
- 2009年
- 测试了用水热技术制备的硅纳米孔柱阵列(silicon nanoporous pillar array(简称Si-NPA))的场致发射性能。测试结果显示,Si-NPA的开启电场为约1.48V/μm;在5V/μm的外加电场下,其发射电流密度为28.6μA/cm2;在外加电场4.4V/μm时,其电流浮动率为13%。Si-NPA发射性能增强的原因是由于其独特的表面形貌和结构所致。
- 富笑男符建华罗艳伟李坤程莉娜李新建
- 关键词：硅纳米孔柱阵列场致电子发射纳米硅多孔硅
- 以硅纳米孔柱阵列为模板制备金纳米薄膜被引量：2
- 2009年
- 采用浸渍技术,分别以新鲜和老化两组硅纳米孔柱阵列(Si-NPA)衬底为模板制备了不同形貌特征的Au/Si-NPA。结果表明:造成两组衬底上形成的Au/Si-NPA形貌上的巨大差异主要是由于两组Si-NPA衬底表面氧含量的分布不同所致。进一步分析发现,Si-NPA在Au/Si-NPA的形成过程中既起到了模板作用,又起到了还原的双重作用。由于Si-NPA具有规则的阵列结构,从而使得金在Si-NPA表面上的沉积速率产生选择性,最终可以形成准周期的、规则的金纳米复合薄膜。
- 富笑男符建华李坤罗艳伟李新建
- 关键词：硅纳米孔柱阵列
