中国科学院微电子研究所所长基金
- 作品数：14 被引量：34H指数：4
- 相关作者：徐静波张海英付晓君黎明张育胜更多>>
- 相关机构：中国科学院微电子研究所中国科学院南开大学更多>>
- 发文基金：中国人民解放军总装备部预研基金国家重点基础研究发展计划中国科学院知识创新工程更多>>
- 相关领域：电子电信理学自动化与计算机技术更多>>
- 基于Agilent VEE的HEMT器件直流参数自动测试系统
- AlGaN/GaN基HEMT（High Electron Mobility Transistor,高电子迁移率晶体管）器件在高温、高频、大功率方面具有广泛的应用前景,测量其直流特性是极其重要的一步,但是,由于仪器硬件方面...
- 欧阳思华吴锦李艳奎刘新宇
- 关键词：HEMT
- 文献传递
- 纳秒脉冲空气辉光放电等离子体及应用被引量：9
- 2010年
- 采用基于半导体断路开关的纳秒脉冲高压电源,在两个金属电极之间产生放电区间为1 600mm×100 mm×25 mm的常压辉光空气等离子体。等离子体发生器采用负高压针电极阵列与平板阳极结构,针电极的直径为1 mm,长度为20 mm,针电极之间的间隔为20 mm,针电极与平板零电位之间的距离为25mm,在每个负高压针电极末端周围同时形成圆锥形辉光放电,在平板地电极则形成大面积辉光放电。采用电压探针测量了该新型等离子体的放电特性,结果表明:放电脉冲的上升时间为26 ns,最高脉冲输出峰值电压为27 kV;利用该辉光等离子体对幅宽为1 000 mm聚四氟乙烯薄膜进行了表面改性处理,处理后其表面接触角由原来的124°降到69°,亲水性能大为提高。
- 万军贾向红宋铭炜王守国
- 关键词：半导体断路开关表面处理
- 一种用于数字PFC的嵌入式SARADC被引量：1
- 2011年
- 设计了一个用于数字PFC(功率因数校正)的12位精度的逐次逼近(SAR)A/D转换器.对DAC模块中出现的电容寄生问题进行了详细分析,针对性提出了一种1-6-5式的新型电容分段结构,并采用伪差分结构消除电荷注入和时钟馈通引入的一阶效应,使ADC性能有很大提高.上述设计在0.35μm CMOS工艺下完成,目前该芯片正在流片中.仿真结果表明,在采样频率为0.98MSPS,输入信号为50kHz时,新型分段结构ADC的信噪比SNR与无杂散动态范围SFDR较六六分段约有6%的提高.
- 杨超赵野周玉梅
- 一种适用于信号检测的低失真低功耗Σ-Δ A/D转换器被引量：3
- 2011年
- 采用TSMC 0.18μm混合信号1P6M CMOS工艺,实现了一种适用于传感器信号检测的低失真低功耗Σ-Δ模数转换器(ADC)。该ADC的调制器采用前馈结构和128倍过采样率,实现了12.8 MHz的数据流输出;数字滤波器通带纹波限定在±0.001 dB,阻-带80 dB的有效衰减。ADC工作于1.8 V电源电压,整体功耗为3.6 mW(2 mA),版图尺寸为1.9 mm×1.45 mm。后仿真结果显示,该ADC在50 kHz信号带宽内达到84 dB的信噪失真比、94.58 dB的动态范围和-92.6 dB的总谐波失真。
- 范军蒋见花李海龙
- 关键词：Σ-Δ调制器A/D转换器微弱信号检测开关电容积分器
- T形栅In_(0.52)Al_(0.48)As/In_(0.6)Ga_(0.4)As MHEMTs功率器件(英文)
- 2008年
- 利用电子束光刻技术制备了200nm栅长GaAs基T型栅InAl As/InGaAs MHEMT器件.该GaAs基MHEMT器件具有优越的直流、高频和功率性能,跨导、饱和漏电流密度、阈值电压、电流增益截止频率和最大振荡频率分别达到510mS/mm,605mA/mm,-1.8V,138GHz和78GHz.在8GHz下,输入功率为-0.88(2.11)dBm时,输出功率、增益、PAE、输出功率密度分别为14.05(13.79)dBm,14.9(11.68)dB,67.74(75.1)%,254(239)mW/mm,为进一步研究高性能GaAs基MHEMT功率器件奠定了基础.
- 黎明张海英徐静波付晓君
- 关键词：MHEMTINALAS/INGAAST型栅功率器件
- 200nm栅长In_(0.52)Al_(0.48)As/In_(0.6)Ga_(0.4)As MHEMTs器件(英文)
- 2008年
- 利用电子束光刻技术制备出200nm栅长GaAs基InAIAs/InGaAs MHEMT器件.Ti/Pt/Au蒸发作为栅极金属.同时为了减少栅寄生电容和寄生电阻,采用3层胶工艺,实现了T型栅.GaAs基MHEMT器件获得了优越的直流和高频性能,跨导、饱和漏电流密度、域值电压、电流增益截止频率和最大振荡频率分别达到510mS/mm,605mA/mm,-1.8V,110GHz及72GHz,为进一步研究高性能GaAs基MHEMT器件奠定了基础.
- 黎明张海英徐静波付晓君
- 关键词：MHEMT电子束光刻T型栅
- 10bit 20MS/s流水线模数转换器设计被引量：2
- 2010年
- 设计了一个20MHz采样率,10bit精度流水线模数转换器。采用新颖的栅压自举开关,使电路在输入信号频率很高时仍具有良好的动态性能;用MATLAB仿真增益增强型运算放大器在不同反馈因子下闭环零、极点特性,提出了使大信号建立时间最短的主运放、辅助运放单位增益带宽和相位裕度范围。采用SMIC0.35μm2P4M工艺流片验证,20MHz采样率,2.1MHz输入信号下,SFDR=73dBc,ENOB=9.18bit。
- 卫宝跃周玉梅范军胡晓宇陈利杰
- 关键词：模数转换器自举开关
- 基于CORDIC算法的高速可配置FFT的FPGA实现被引量：4
- 2010年
- 论述了一种用于星载合成孔径雷达(SAR)星上数据实时自主处理系统中的高性能FFT的FPGA实现.采用CORDIC算法实现复数乘法,降低了系统的复杂性,提高了运算速度,并提出一种新型便捷的旋转因子产生方法,无需额外的ROM资源.采用块浮点的数据类型,有效避免了大点数FFT的溢出问题.运算点数可配置,能够实现64～32k点,实部、虚部均为16bit数据的FFT运算.整体设计采用16点并行流水结构,提出了适用于16通道并行读写的无冲突地址产生方法.最高工作频率可达118.89MHz,100MHz频率下,1024点FFT的计算时间仅为4.48μs,完全满足高速实时的运算要求.
- 文婧媛徐欣锋
- 关键词：CORDIC算法FFT块浮点
- 氧化锌纳米线晶体管的电学特性研究被引量：3
- 2011年
- 成功制作了氧化锌纳米线沟道场效应晶体管器件,所制作器件的电学性能通过I-V测试进行了分析。使用了水浴法生长了单晶性完整的氧化锌纳米线,该纳米线被用作背栅场效应晶体管的沟道,采用光刻方式制备的器件具有良好的直流特性,进行退火后进一步改善器件的源漏接触,提高器件性能,最终制备成功的场效应晶体管显示出p型MOS的特性,其开关态电流比达到105。在Vds=2.5 V时,跨导峰值为0.4μS,栅氧电容约为0.9 fF,器件夹断电压Vth为0.6 V,沟道迁移率约为87.1 cm2/V.s,计算得到氧化锌纳米线载流子浓度ne=6.8×108 cm-3。在Vgs=0 V时,器件沟道电阻率为100Ω.cm。
- 付晓君张海英徐静波
- 关键词：氧化锌纳米线场效应晶体管背栅退火
- 平滑陡直的Si深槽刻蚀方法被引量：6
- 2009年
- Si深槽刻蚀技术在MEMS器件加工中具有重要的作用,现有的刻蚀方法在选择比和各向异性问题上各有优缺点。常用的Bosch工艺采取了钝化与刻蚀交替进行的措施,但具有侧壁粗糙的缺点。提出了不同于Bosch工艺的新刻蚀方法,采用刻蚀反应和淀积钝化反应同时进行并保持化学平衡的方法,取得了平滑陡直的刻蚀效果。在电感耦合等离子体刻蚀机ICP-98A上的实验结果表明,在直径100mm的光刻胶掩蔽Si片上,刻蚀深度为39.2μm,光刻胶剩余4.8μm,侧壁表面满足平滑陡直的要求。
- 张育胜
- 关键词：电感耦合等离子体化学平衡
