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北京市自然科学基金(2091003)

作品数:5 被引量:4H指数:1
相关作者:方玲周少雄卢志超刘迎春阎有花更多>>
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发文基金:北京市自然科学基金更多>>
相关领域:电气工程理学一般工业技术更多>>

文献类型

  • 5篇中文期刊文章

领域

  • 3篇电气工程
  • 1篇一般工业技术
  • 1篇理学

主题

  • 2篇电池
  • 2篇太阳能
  • 2篇太阳能电池
  • 2篇硫化
  • 2篇CIS薄膜
  • 1篇电压
  • 1篇太阳电池
  • 1篇中频磁控溅射
  • 1篇微结构
  • 1篇微结构研究
  • 1篇开路电压
  • 1篇溅射
  • 1篇溅射制备
  • 1篇功率
  • 1篇功率密度
  • 1篇PREPAR...
  • 1篇THIN_F...
  • 1篇
  • 1篇AZO薄膜
  • 1篇BUFFER...

机构

  • 3篇安泰科技股份...

作者

  • 4篇卢志超
  • 4篇周少雄
  • 4篇方玲
  • 3篇阎有花
  • 3篇刘迎春
  • 2篇李正邦
  • 2篇朱景森
  • 2篇李德仁
  • 2篇胡小萍
  • 1篇李艳萍
  • 1篇张承庆
  • 1篇侯立婷

传媒

  • 2篇金属功能材料
  • 1篇光谱实验室
  • 1篇物理测试
  • 1篇Transa...

年份

  • 2篇2011
  • 3篇2010
5 条 记 录,以下是 1-5
排序方式:
电沉积/硫化法制备CuInS_2薄膜微结构研究被引量:3
2010年
以电沉积制备的Cu-In预制膜为衬底材料,硫粉为原料,尝试了Cu-In预制膜以一定速度移动的特殊硫化方法。采用SEM和EDS观察和分析了它们的表面形貌和成分,采用XRD表征了薄膜的组织结构,并分析了硫化中的反应动力学过程。结果表明:Cu-In预制膜由CuIn和CuIn2混合相组成,由其形成的CIS薄膜中除了CuInS2相以外,还出现CuxS二元相。KCN刻蚀处理去除表层的CuxS相后,底层的CuInS2薄膜具有黄铜矿相结构,与基底附着性较好。当速度为3.3v0时,CuInS2薄膜高质量结晶,薄膜均匀、致密,组分接近化学计量比,沿(112)面择优取向生长,适合于制备CIS太阳能电池吸收层。
阎有花刘迎春方玲李德仁卢志超周少雄李正邦
关键词:微结构
氧对CIS薄膜太阳能电池开路电压的影响
2010年
采用硫化Cu-In前驱膜的方法制备CuInS2薄膜,通过分析CIS薄膜制备过程中不同阶段样品中的氧,讨论了氧的来源及其存在形态,以及对CIS层开路电压可能造成的影响。用扫描电镜(SEM)和能量色散谱仪(EDS)研究前驱膜的形貌及其成分,用X射线衍射仪(XRD)表征薄膜的结构,用俄歇电子能谱(AES)对硫化薄膜中各元素沿深度方向的分布进行了检测,最后用I-V测试仪对硫化膜的开路电压进行测量。结果表明,CuInS2薄膜中的氧来源于Cu-In前驱膜,氧主要以Cu2In2O5的形式存在于CIS/Cu-In界面处,由于氧化物在硫化反应过程中影响了Cu和In向外表面的扩散,从而影响了CIS薄膜的成分和CIS太阳能电池的性能。
侯立婷刘迎春方玲胡小萍朱景森阎有花李艳萍卢志超周少雄
关键词:硫化太阳电池
功率密度对中频磁控溅射制备AZO薄膜性能的影响被引量:1
2011年
利用中频磁控溅射法在普通玻璃衬底上沉积掺铝氧化锌(ZnO∶A l,简称AZO)薄膜,通过调整溅射功率密度参数得到沉积速率与功率密度之间的关系,制备了不同厚度的AZO薄膜。利用台阶仪、XRD、XPS、紫外可见分光光度计和H all测试系统等方法研究了功率密度与厚度对AZO薄膜结构、组分、光学和电学性能的影响。实验结果表明,功率密度为4W/cm2、薄膜厚度为739nm时薄膜的综合性能较好,其电阻率为1.136×10-3Ω.cm,可见光区的平均透过率为90.5%。改善结晶质量能显著提高AZO薄膜的光电性能。
张承庆胡小萍朱景森方玲李德仁卢志超周少雄
关键词:功率密度中频磁控溅射
Growth of CuI buffer layer prepared by spraying method
2011年
CuI thin films with nano-scale grains of about 35nm were deposited via spraying method with using acetonitrile as solvent. The influence of iodine doping concentration in acetonitrile solution on the structure, topographic and optical properties of CuI thin films was investigated. X-ray diffraction results showed that CuI iodine-doped films doped CuI:I2 were in γ-phase of zinc blende structure with (111) preferential plane. Scanning electron microscopy revealed that the microstructure of CuI films depended on the relative amount of doping iodine in the solution. When the iodine doping amount in acetonitrile solution was 0.025 g, the film was uniform and compact, the optical transmittance was 75.4% in the part of visible region and the energy band gap was close to 2.96 eV.
阎有花刘迎春方玲卢志超李正邦周少雄
载气流量对CIS薄膜性能的影响
2010年
采用Cu-In预制层后硫化法制备CuInS2(CIS)薄膜。研究了硫源处载气流量对薄膜形貌、成分及结构等的影响。用扫描电镜(SEM)、能量色散谱仪(EDS)、X射线衍射仪(XRD)对薄膜形貌、成分、结构进行了表征,并用扩散生长模型加以解释。结果表明,具有CuIn和CuIn2混合相的Cu-In预制膜,在不同的载气流量下,硫化后所制备的薄膜均具有CIS/CuxIny/Cu结构。检测结果支持铜、铟离子穿过先期生成的CIS膜向外扩散,在表面处与硫反应生成CIS的生长模型。
侯立婷刘迎春方玲胡小萍朱景森李艳萍卢志超周少雄
关键词:硫化太阳能电池
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