国家自然科学基金(50672054)
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- MOCVD方法制备In2O3薄膜的性质研究
- 用金属有机化学气相淀积(MOCVD)方法以三甲基铟为源材料,以 O为氧化气体,在蓝宝石衬底(0001) 面上生长出了高质量的立方相 InO薄膜。研究了 InO 薄膜的结构、表面形貌和光电性质。结果表明制备样品具有 InO...
- 杨帆马瑾冯先进孔今沂张凯
- 关键词：MOCVD光电性质
- 文献传递
- 金属有机物化学气相沉积法生长Ga_(2(1-x))In_(2x)O_3薄膜的结构及光电性能研究
- 2009年
- 采用金属有机物化学气相沉积(MOCVD)法在蓝宝石(0001)衬底上制备出了Ga2(1-x)In2xO3(x=0.1—0.9)薄膜,研究了薄膜的结构、电学和光学特性以及退火处理对薄膜性质的影响.测量结果表明:当In组分x=0.2时,样品为单斜β-Ga2O3结构;x=0.5的样品,薄膜呈现非晶结构,退火处理后薄膜结构得到明显的改善,由非晶结构转变为具有(222)单一取向的立方In2O3结构;对于x=0.8,薄膜为立方In2O3结构,退火后薄膜的晶体质量得到提高.在可见光区薄膜本身的透过率均达到了85%以上,带隙宽度随样品中Ga含量的改变在3.76—4.43eV之间变化,且经退火处理后带隙宽度明显增大.
- 杨帆马瑾孔令沂栾彩娜朱振
- 关键词：金属有机物化学气相沉积蓝宝石衬底退火
- MOCVD方法制备In2O3薄膜的性质研究
- 2007年
- 用金属有机化学气相淀积（MOCVD）方法以三甲基铟为源材料，以O2为氧化气体，在蓝宝石衬底（0001）面上生长出了高质量的立方相In2O3薄膜。研究了In2O3薄膜的结构、表面形貌和光电性质。结果表明制备样品具有In2O3体心立方结构和（222）方向择优取向生长，电阻率～6．40×10^-3Ω·cm，在可见光区域的平均透过率达到了90％以上。
- 杨帆马瑾冯先进孔今沂张凯
- 关键词：MOCVD光电性质
