国家教育部博士点基金(20060611029)
- 作品数：6 被引量：16H指数：3
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- GMM，PZT和弹性基板复合磁电耦合效应研究
- 将超磁致伸缩材料（GMM）、压电材料（PZT-5H）复合于弹性基板上,利用共振原理构造了一种新型的磁电换能器。当激励磁场的频率等于或者接近于弹性基板的固有频率时,GMM 将驱动弹性基板振动并发生共振,粘结于基板上的压电材...
- 卞雷祥文玉梅李平程磊刘盼刚
- 关键词：磁致伸缩材料压电材料
- 文献传递
- Terfenol-D/PZT和弹性基板阵列换能器的磁电效应研究被引量：1
- 2009年
- 利用共振原理,将磁致伸缩材料(Terfenol-D)、压电材料(PZT-8)复合于弹性基板上构造了一种新型的换能器。当激励磁场的频率等于或者接近于弹性基板的固有频率时,Terfenol-D将驱动弹性基板振动并发生共振,粘结于弹性基板上的压电材料的输出电压将达到最大。实验研究表明,在800Oe偏置磁场和1Oe交变磁场激励下,在谐振点392kHz处,阵列结构换能器的最大磁电耦合电压系数和最大输出功率分别达到了235.5mV/Oe和2.403μW,相比MP层合结构换能器,分别提高了13.77%和33.7%。
- 张亚非李平文玉梅陈蕾
- 关键词：磁致伸缩材料压电材料阵列
- 基片表面力负载对SAW谐振器的特性影响研究被引量：1
- 2008年
- 分析了SAW谐振器表面力负载对谐振器谐振频率和机械损耗产生的影响。进行了两种表面力加载方式的实验研究,对比实验结果表明:基片底面固定时,表面力负载对SAW谐振器谐振频率的影响主要与负载在基片表面产生的应力大小有关,而谐振器的机械损耗主要与力在基片表面的分布有关。实验结果为SAW力传感器的结构设计提供了参考。
- 孙雪梅李平文玉梅陈雨郑敏
- 关键词：谐振频率机械损耗
- 磁场加载方式对磁电器件磁电效应影响的研究被引量：1
- 2009年
- 将磁致伸缩材料(Terfenol-D)和压电材料(PZT-8)复合,利用谐振原理构造了一种磁电器件。当激励磁场的频率等于或者接近于Terfenol-D的固有频率时,Terfenol-D将驱动PZT-8振动并发生共振,压电材料的输出电压将达到极大。在不同的偏置磁场和交变磁场的加载方式下,研究了谐振状态下的磁电层合器件在强、弱偏置磁场强度下的磁电特性,研究表明,当偏置磁场和交变磁场分别沿长度和宽度方向施加时,相比在弱磁场下,强磁场下磁电层合器件的磁电电压系数分别提高了43.3%和近2倍。
- 李平张亚非
- 关键词：磁致伸缩材料压电材料
- GMM PZT和超声变幅杆复合结构磁电换能器研究被引量：6
- 2007年
- 将超磁致伸缩材料(GMM)、压电材料(PZT-5H)与超声变幅杆复合,构造了一种新型的磁电换能器.超声变幅杆具有聚能和放大应变的功能,可以数十到数百倍增强换能过程中对压电材料的激励,提高机电换能输出和增强磁电耦合效应.实验表明,在800 Oe偏置磁场和峰峰值为1 Oe交变磁场激励下,谐振点处的磁电耦合电压峰峰值达到498 mV,在负载电阻为2.55 kΩ时,输出功率达到4.08μW.
- 卞雷祥文玉梅李平杨帆郑敏
- 关键词：超声变幅杆磁致伸缩材料压电材料
- Terfenol-D/SAW谐振器/Terfenol-D复合磁传感器被引量：5
- 2008年
- 设计了一种由超磁致伸缩材料Terfenol-D和SAW谐振器构成的复合磁传感器,在磁场作用下,Terfenol-D沿长度方向伸缩,并将应力应变传递至SAW谐振器,使其产生应变,造成谐振频率改变,通过测量SAW谐振器谐振频率的变化来测量磁场强度。分析了该磁传感器的传感原理,建立了该复合磁传感器的静态模型,对弹性敏感元件进行了受力分析,根据压磁方程和受力平衡得到该磁传感器的静态特性。实验结果表明:该复合磁传感器灵敏度可达341.6Hz/Oe,较Terfenol-D/SAW谐振器结构灵敏度提高了3倍;测量谐振频率的分辨率为1Hz,SAW谐振器频率稳定度为0.1×10-6时,该磁传感器对磁场的分辨率为10-6T。
- 肖庭富文玉梅李平郑敏
- 关键词：超磁致伸缩材料声表面波谐振器磁传感器静态特性
- GMM,PZT和弹性基板复合磁电耦合效应研究被引量：4
- 2007年
- 将超磁致伸缩材料(GMM)、压电材料(PZT-5H)复合于弹性基板上,利用共振原理构造了一种新型的磁电换能器。当激励磁场的频率等于或者接近于弹性基板的固有频率时,GMM将驱动弹性基板振动并发生共振,粘结于基板上的压电材料的输出电压将达到极大。实验研究表明,该器件的磁电耦合电压曲线呈现多个峰值,在800Oe偏置磁场和1Oe交变磁场激励下,谐振点处的磁电耦合电压系数达到1.552V/Oe。
- 卞雷祥文玉梅李平程磊刘盼刚
- 关键词：磁致伸缩材料压电材料
