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A new route for length measurement by phase-shifting interferometry被引量：3: 2012年; By the mathematic models of flexible hinge,the accurate relationship between the phase-shifting and pressure acting on the hinge is deduced and verified by experimental results.Through the optimization of the geometric parameter of flexible hinge,a phase-shifting generator is developed to determine the length of an object precisely by interferometry.The experiments show that the triple phase-shifting produced using this generator is up to 1 m.With this generator,an example for the application in length measurement is introduced.The result shows the length uncertainty is 0.5 nm when the temperature uncertainty is limited in 2 mK.This paper provides a novel technique to measure the dimension of an object,especially to the diameter of a silicon sphere for Avogadro constant project.; LUO ZhiYongLI ZhangHong; 关键词：ETALON

硅球密度绝对测量被引量：3: 2012年; 单晶硅球密度的绝对测量是阿伏加德罗常数测量的关键技术,是目前国际热点研究领域.本文综述了包括我国在内的国际单晶硅球密度测量的最新进展,涉及硅球密度测量的技术原理、测量领域、影响因素、测量装置及最佳测量能力等,分析了硅球密度测量的主要难点和关键技术,预测了相关研究的技术前景及发展趋势.; 罗志勇赵克功张继涛陈赤; 关键词：阿伏加德罗常数氧化层厚度

高斯光束对标准硅球直径测量的影响分析被引量：3: 2008年; 针对高精度硅球直径测量系统的特点,分析平面波反射光的多光束干涉和双光束干涉,以及正入射时高斯光束反射光中心的多光束干涉和双光束干涉,对不同条件下的高斯光束反射光中心的干涉光强进行了数值模拟。对采用五步相移算法时高斯多光束干涉的影响进行了研究,给出了特定参数条件下不同束腰ω0和传播距离z时的最大相位误差,当ω0=5mm,z=2000mm时的最大相位误差达0.08%。; 康岩辉邾继贵罗志勇叶声华; 关键词：光学测量高斯光束多光束干涉

一种可溯源的光谱椭偏仪标定方法被引量：10: 2010年; 提出了一种用X射线反射术标定光谱椭偏仪的方法.作为一种间接测量方法,光谱椭偏术测得的薄膜厚度依赖于其光学常数,不具有可溯源性.在掠入射条件下,X射线反射术能测得薄膜的物理厚度,测量结果具有亚纳米量级的精密度且与薄膜光学常数无关.在单晶硅基底上制备了厚度分别为2nm,18nm,34nm,61nm及170nm的SiO2薄膜标样,并用强制过零点的直线拟合了两种方法的标样测量结果,拟合直线的斜率为1.013±0.013,表明该方法可在薄膜厚度测量中标定光谱椭偏仪.; 张继涛李岩罗志勇; 关键词：膜厚

标准硅球直径精密测量中光束对准误差分析: 2008年; 单晶硅球直径的准确测量是阿伏加德罗常数测量中一项重要内容,并决定着最终的测量不确定度。针对高精度硅球直径测量系统双光路的特点,在不考虑图像圆心提取误差的情况下,运用几何关系推导,分别就平行光束垂直于标准板和以一定角度斜入射标准板条件下引入的测量误差进行了研究,分析了直径测量误差随光束对准误差的变化。结果表明在保证一定的光束对准精度条件下,其对测量系统最终的精度影响是可以忽略的。; 康岩辉邾继贵杨凌辉罗志勇叶声华; 关键词：光学测量

阿伏加德罗常数测量研究最新进展被引量：2: 2012年; 综述了阿伏加德罗常数（NA）测量研究的最新进展。介绍了目前测NA准确度较高的方法-x射线晶体密度法，该方法通过测量单晶硅的摩尔质量、宏观密度和晶格常数得到NA。采用x射线晶体密度法有望实现NA相对测量不确定度达到2×10^-8。分析了当前限制NA测量准确度提高的关键研究内容：单晶硅摩尔质量、硅球直径和表面氧化层厚度的测量。并展望了NA测量未来的工作方向。; 张继涛罗志勇赵克功; 关键词：计量学阿伏加德罗常数直径氧化层

阿伏加德罗常数测量与千克重新定义被引量：11: 2011年; 阿伏加德罗常数(NA)是一个联系微观尺度和宏观尺度的基本物理常数,它的精确测量可用于重新定义国际基本单位千克和摩尔,因而有助于推动国际单位制的发展.现代NA测量方法为X射线晶体密度法,它以单晶硅为材料,通过测量其摩尔质量、宏观密度和晶格常量得到NA,该方法涉及到的关键技术包括单晶硅材料的生长、大尺寸单晶硅球加工、硅原子量测量技术、X射线干涉术、精密光学干涉技术、超薄膜厚度及成份测量技术等.本文综述了现代NA测量的研究进展、研究难点和未来的研究方向,并以千克重新定义为例,分析了NA测量研究在基础计量学领域的重要作用.; 李岩张继涛罗志勇; 关键词：计量学阿伏加德罗常数

气体同位素比值质谱法测定硅同位素丰度比的样品制备方法研究: 2011年; 介绍了气体同位素比值质谱法测定硅同位素丰度比的样品制备方法。采用碱溶法溶解单晶硅样品，经阳离子交换反应、烘干焙烧制得二氧化硅，再用氢氟酸溶解二氧化硅得到氟硅酸溶液，进一步滴加氯化钡溶液生成氟硅酸钡沉淀，将氟硅酸钡热分解最终制得四氟化硅气体。通过优化制备工艺条件，获得了高收率的四氟化硅气体，采用气体同位素比值质谱仪测定四氟化硅气体硅同位素丰度比。测量结果表明，该方法制备出的四氟化硅气体用于硅同位素丰度的测量，具有再现性好，回收率达到了97％以上，能满足准确测量硅摩尔质量的要求。; 李红易洪张敬畅易未; 关键词：计量学单晶硅

高精度标准单晶硅球直径测量系统的研究被引量：3: 2009年; 为建立我国高准确度固体密度基准和质量自然基准,对高精度标准单晶硅球直径测量系统进行了研究。论述了平面波前激光干涉法测量直径的原理和方法,分析了相移扫描、温度测量控制、以及硅球体积计算等系统的关键组成部分,并给出了各部分的实验结果。理论分析和实验结果表明,整个直径测量系统目前的不确定度为3 nm。; 康岩辉邾继贵罗志勇叶声华; 关键词：光学测量

标准硅球直径精密测量中光束对准误差分析: 单晶硅球直径的准确测量是阿伏加德罗常数测量中一项重要内容,并决定着最终的测量不确定度。针对高精度硅球直径测量系统双光路的特点,在不考虑图像圆心提取误差的情况下,运用几何关系推导,分别就平行光束垂直于标准板和以一定角度斜入...; 康岩辉邾继贵杨凌辉罗志勇叶声华; 关键词：光学测量; 文献传递

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