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内蒙古自治区自然科学基金(200508010206)

作品数:10 被引量:70H指数:6
相关作者:王喜贵娜米拉薄素玲齐霞于振友更多>>
相关机构:内蒙古师范大学北京大学更多>>
发文基金:内蒙古自治区自然科学基金国家自然科学基金内蒙古师范大学科研基金更多>>
相关领域:理学更多>>

文献类型

  • 10篇期刊文章
  • 3篇会议论文

领域

  • 13篇理学

主题

  • 11篇发光
  • 11篇发光性
  • 10篇光性质
  • 10篇发光性质
  • 6篇掺杂
  • 5篇溶胶
  • 4篇配合物
  • 4篇共掺
  • 4篇共掺杂
  • 4篇EU3
  • 3篇菲咯啉
  • 3篇1,10-菲...
  • 3篇EU
  • 3篇TB
  • 2篇樟脑酸
  • 2篇溶胶-凝胶法
  • 2篇溶胶-凝胶技...
  • 2篇三元配合物
  • 2篇TB^3+
  • 2篇

机构

  • 13篇内蒙古师范大...
  • 1篇北京大学

作者

  • 13篇王喜贵
  • 6篇薄素玲
  • 6篇娜米拉
  • 5篇齐霞
  • 4篇吴红英
  • 3篇赵斯琴
  • 3篇于振友
  • 1篇李霞
  • 1篇赵慧
  • 1篇翁诗甫
  • 1篇吴瑾光
  • 1篇李力猛
  • 1篇张洪雷
  • 1篇王晓敏

传媒

  • 4篇光谱学与光谱...
  • 3篇内蒙古师范大...
  • 2篇无机化学学报
  • 1篇化学世界

年份

  • 1篇2011
  • 1篇2010
  • 4篇2009
  • 5篇2008
  • 1篇2007
  • 1篇2006
10 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
CaMoO4∶Tb^3+发光材料的制备和发光性质的研究被引量:9
2010年
用共沉淀法制备了样品CaMoO_4:Tb^(3+)的前驱物,经TG-DTA测试表明:样品在850℃时有能量吸收峰,即达到样品反应的活化点。XRD谱图分析显示,焙烧后样品CaMoO_4:Tb^(3+)为CaMoO_4的白钨矿结构,但峰位发生了右移,说明晶体内部产生了微小的晶体缺陷,推测该缺陷可能是由晶胞内2个Tb^(3+)取代了3个Ca^(2+)形成空穴而引发的。通过对激发谱图的测试发现,此种缺陷结构有利于使MoO_4^(2-)发射特征峰(488 nm)的能量有效地传递给Tb^(3+),使Tb^(3+)的4f电子发生跃迁,特别使Tb^(3+)的~7F_6→~5D_4(488 nm)电子跃迁大大加强,因而在样品CaMoO_4:Tb^(3+)的发射谱图(λ_(ex)=488 nm)中,自激活荧光体MoO_4^(2-)的发射强度被大大减弱,而Tb^(3+)的~5D_4→~7F_5(544 nm)跃迁的绿光发光强度被大大增强,使该材料成为有潜在应用价值的发光材料。
王喜贵薄素玲娜米拉齐霞
关键词:TB^3+发光性质
不同有机酸配体对Tb(Ⅲ)离子荧光效率的影响被引量:9
2007年
对合成的七种Tb-配合物的荧光发射光谱和激发光谱进行了比较研究,重点比较了七种Tb-配合物的荧光强度,并从配体结构、能量传递和能级匹配等方面分析了不同配体对Tb(Ⅲ)离子荧光效率的影响,同时讨论了七种Tb-配合物的红外光谱和拉曼光谱。研究表明,配体不影响Tb(Ⅲ)离子的特征发射峰位置,只影响其荧光效率。配体的共轭性、刚性越好,配合物荧光效率越高,二元酸比一元酸更有利于增强Tb(Ⅲ)离子的荧光效率。
王喜贵吴红英翁诗甫吴瑾光
关键词:配合物
Tb^3+和Na2WO4共掺杂SiO2材料的制备及其发光性质被引量:7
2008年
通过溶胶-凝胶技术制备了稀土离子Tb3+和Na2WO4共掺杂的SiO2材料,利用DTA-TG,IR,XRD等测试手段研究了材料的结构。材料属于非晶态,800℃退火后Tb3+和Na2WO4共掺杂样品的主要结构为SiO2的网状结构。通过三维荧光光谱,荧光激发光谱和发射光谱,分析探讨了Na2WO4对掺稀土离子的SiO2体系发光性质的影响。结果显示,在230nm激发下,样品显示Tb3+的5D4—7Fj(j=4,5,6)和5D3—7Fj(j=4,5,6)发射光谱,在紫外灯的照射下,发射均匀的蓝绿色荧光,说明样品掺杂均匀且分散性较好。Na2WO4的掺入,并不影响Tb3+在SiO2基质中的发射峰的主要位置,但对发光强度有很大的影响,敏化了5D4—7F6蓝色跃迁而猝灭了5D4—7F5绿色跃迁,使材料发射蓝绿色荧光。文章通过所得的能级图,对样品的跃迁机理进行了分析。
王喜贵李霞
关键词:溶胶-凝胶技术发光性质
铽-樟脑酸-1,10-菲咯啉二元、三元配合物的合成及发光性质
实验合成了稀土铽-樟脑酸二元配合物和铽(铽、镧)-樟脑酸-1,10-菲咯啉单核和异核三元固体配合物。对配合物进行元素分析、红外光谱、稀土络合滴定等测定,确定配合物的组成分别为Tb(CA)·2HO和RE(CA)(phen)...
赵斯琴王喜贵吴红英
关键词:樟脑酸发光性质
文献传递
稀土Eu^3+掺杂纳米TiO2-SiO2发光材料的制备和发光性质的研究被引量:14
2011年
采用溶胶-凝胶法制备了稀土Eu3+掺杂于不同比例的纳米TiO2—SiO2复合体系,研究了基质中钛、硅摩尔配比对发光性能的影响。样品的FTIR谱图显示:纳米复合氧化物SiO2—TiO2之间发生了键合作用,形成了Ti—O—Si键;TEM显示样品的颗粒大小约为35 nm,是具有一定的单分散性的球形颗粒;XRD和SAED结果表明,样品退火至700℃后仍为单一的锐钛矿相,这说明微量硅的加入对二氧化钛的锐钛矿相有热稳定的作用。当微量的Si4+进入TiO2的晶格,取代部分Ti4+的位置时,形成了结构等电子陷阱。通过对样品的激发光谱、发射光谱分析,发现这种结构有利于将基质吸收的能量传递到发光中心,使Eu3+的465nm处7F0→5D2激发效率最高,成为最灵敏的激发线。
王喜贵齐霞薄素玲娜米拉
关键词:溶胶-凝胶法发光性能
Eu^(3+)、Ga^(3+)共掺杂SiO_2基质材料的制备及其发光性质被引量:12
2008年
通过溶胶-凝胶方法制备了稀土离子Eu3+和Ga3+共掺杂的SiO2材料;利用IR、XRD等研究了材料的结构,结果表明材料属于非晶态,800℃退火后样品的主要结构仍为SiO2的网状结构。400℃退火的样品在393nm激发下发射光谱显示了Eu3+的特征发射光谱,产生3条明显谱带,分别是576nm(5D0-7F0),588nm(5D0-7F1),612nm(5D0-7F2)。588nm(5D0-7F1)处的跃迁在800℃退火后发生猝灭,这是因为发光中心Eu3+的化学环境由于掺入Ga3+离子而发生了改变。Ga3+的共掺杂使材料在460nm处发射较强蓝光,在同一材料中实现了蓝色和红色的共发射。材料在460nm处蓝色荧光的强度随激发波长的增大而先增强后减弱。Ga3+或Eu3+的掺入量不同时,除发射强度不同外,材料的发射谱图基本相同。通过实验还确定800℃的退火温度为最佳退火温度。
王喜贵于振友娜米拉薄素玲
关键词:溶胶-凝胶方法发光性质
Eu3+和Ga3+共掺杂SiO2基质材料的发光性质
用溶胶-凝胶方法制备了Eu与Ga共掺杂的SiO发光材料,通过三维荧光光谱、激发光谱和发射光谱测试分析了Eu与Ga共掺杂SiO发光材料的发光性质。研究发现Ga的掺入在材料中引入了蓝色荧光,在Eu和Ga共掺杂材料中实现了蓝色...
王喜贵于振友
关键词:共掺杂发光
文献传递
镧、钇掺杂铕-樟脑酸-1,10-菲咯啉三元配合物的合成及荧光性能被引量:1
2009年
实验合成了单核铕-樟脑酸-1,10-菲咯啉三元配合物和La、Y掺杂异核铕-樟脑酸-1,10-菲咯啉三元配合物。通过配位滴定、元素分析和红外光谱等测试,确定其组成为RE2(CA)3(phen)2(RE为Eu、La和Y;CA为樟脑酸;phen为1,10-菲咯啉);通过三维荧光光谱图确定其最佳激发波长为330.0 nm,即在330.0 nm激发光下的发射光谱图中均显示出Eu3+离子5D0→7F0(579nm),5D0→7F1(594 nm)和5D0→7F2(612 nm)等三条特征谱线,其中5D0→7F2(612 nm)为最强跃迁峰。荧光强度变化研究表明,适量镧和钇离子的掺杂并没有降低铕离子的荧光强度,说明镧和钇对铕离子荧光发射有敏化作用。
赵斯琴王喜贵吴红英
关键词:樟脑酸10-菲咯啉
Eu^(3+)和CaWO_4共沉淀发光材料的制备及其发光性质被引量:4
2009年
通过共沉淀技术制备了稀土离子Eu3+和CaWO4共沉淀发光材料,并通过测试样品的红外光谱(IR)、激发光谱、发射光谱,研究了稀土离子Eu3+和CaWO4共沉淀发光材料的结构和发光性能.结果显示:反应产物中有CaWO4生成,在实验过程中加入的有机活性剂基本除净;样品显示出Eu3+的特征发射光峰位于588 nm和612 nm,分别属于5D0→7F1和5D0→7F2跃迁,对应的主要激发光谱位置分别是363 nm(7F0→5D4),383 nm(7F0→5G2),395 nm(7F0→5L6),414 nm(7F0→5D3),465 nm(7F0→5D2),536 nm(7F0→5D1),560 nm(7F2→5D1),585 nm(7F0→5D0).说明稀土离子Eu3+在共沉淀材料中具有良好的发光性能,其含量为0.50%时发光性能最好.
王喜贵齐霞张洪雷王晓敏
关键词:共沉淀法CAWO4发光性质
CaMoO_4∶Eu^(3+)发光材料的制备和发光性质的研究被引量:19
2009年
用共沉淀法与高温焙烧法制备了样品CaMoO4∶Eu3+。TG-DTA谱图表明:800℃时,样品吸收的能量最大,即形成稳定的CaMoO4∶Eu3+结构。用XRD谱图进一步分析表明:800℃时,样品CaMoO4∶Eu3+已形成CaMoO4的白钨矿结构。由于2个Eu3+取代3个Ca2+,导致了晶体产生微小的晶体缺陷,从而形成具有p-n结的半导体。经过激发和发射谱图的测试发现:这种缺陷结构不但可以使Eu3+禁戒的4f电子发生跃迁,而且可以使MoO42-的能量高效地传递给Eu3+,尤其使与MoO42-的发射特征峰(488nm)部分重叠的Eu3+(465nm)的7F0→5D2电子跃迁得到了极大的加强,进而在λex=465nm的发射谱图中,自激活荧光体MoO42-的发射强度被大大减弱甚至猝灭,而Eu3+的5D0→7F2(612nm)跃迁的红光发光强度被大大增强,使该材料成为有潜在应用价值的发光材料。
王喜贵薄素玲齐霞娜米拉李力猛
关键词:发光性质
共2页<12>
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